基于DSP開(kāi)發(fā)系統設計與實(shí)現
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TPS767D301的輸出端1OUT的電壓由式(1)確定：
Vo=Vref(1+R1／R2) (1)
式中：Vref=1．183 4 V為電壓調整器的內部參考電壓；R1和R2的取值應保證驅動(dòng)電流近似為50μA。如果電阻過(guò)小，會(huì )使電流過(guò)大，消耗電力；如果電阻過(guò)大，FB引腳會(huì )出現電流脈沖尖峰，會(huì )使輸出電壓波動(dòng)。典型電壓輸出時(shí)，R1和R2的取值如表1所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/149182.htm
為了提高輸出電壓的穩定性，模擬電源與數字電源之間通過(guò)鐵氧體磁珠和電容進(jìn)行濾波，鐵氧體磁珠具有可以忽略的寄生電容，電氣特性和一般的電感相似，這樣可以減少來(lái)自模擬電源或其他并聯(lián)電路所產(chǎn)生的噪聲生干擾。
2 系統RAM擴展
在TMS320F28335的片上已經(jīng)集成了34 K×16 b的RAM，且內部RAM的訪(fǎng)問(wèn)速度可達150 MIPS，通常用于放置系統對運算速度要求較高的程序。F28335的片上還集成了256 K×16 b的FLASH，但由于FLASH燒寫(xiě)次數有限，而且燒寫(xiě)速度慢，操作麻煩。使用外擴RAM后，仿真時(shí)程序可以放入外擴RAM中運行，程序長(cháng)度不受限制，這樣程序的設計和調試就非常方便。在調試完成后通過(guò)修改．cmd文件等方法將程序燒進(jìn)FLASH中運行。同時(shí)，外擴RAM還可以開(kāi)放給其他任務(wù)。外擴RAM選用ISSI公司的IS61LV25616，存儲容量為256 K×16 b，3．3 V的供電電壓。使用區間6作為外擴存儲區間，存儲地址范圍為0x100000～0x13FFFF。由于IS61LV25616的訪(fǎng)問(wèn)速度有8 ns，10 ns，12 ns，15 ns可選擇，而當CPU運行在150 MHz時(shí)，地址和數據的最小有效時(shí)間為3個(gè)時(shí)鐘周期，即20 ns，所以不用考慮時(shí)序問(wèn)題。存儲器的地址線(xiàn)和數據線(xiàn)分別對應DSP的地址線(xiàn)和數據線(xiàn)，片選端CS和DSP的GPIO28連接，存儲器的讀／寫(xiě)端口分和DSP的讀／寫(xiě)端口連接，具體電路圖如2所示。
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