Vishay在Techno-Frontier 2013展出創(chuàng )新產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，將參加7月17日至19日在東京國際展覽中心舉行的Techno-Frontier 2013，并在電源系統專(zhuān)項展覽Power System Japan的1D-207展位展出其最新的半導體和無(wú)源元件。作為為互聯(lián)、移動(dòng)和可持續發(fā)展提供元器件方案的供應商，Vishay將展示在各個(gè)產(chǎn)品線(xiàn)上所取得的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新技術(shù)，幫助各種應用提高效率和可靠性。

　　在Techno-Frontier 2013上，Vishay Siliconix將展示在4.5V柵極驅動(dòng)下最大導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET^® Gen IV MOSFET;PowerPAK^® SO-8L和8x8L封裝的50W前大燈LED驅動(dòng);優(yōu)化了熱性能和電性能的PowerPAIR^®器件。重點(diǎn)推出功率IC包括采用3mm x 3mm DFN10封裝的28V可編程、受保護的智能負載開(kāi)關(guān)，5mm x 5mm封裝的高密度60A功率級;3 mm x 3 mm QFN-16封裝的高效16V microBUCK^®穩壓器。

　　Vishay Semiconductors將展示各種二極管，包括采用SMPD封裝的45V～120V TMBS^® Trench MOS勢壘肖特基整流器;用于電動(dòng)汽車(chē)、UPS和太陽(yáng)能逆變器的第二代 650V FRED Pt^® Ultrafast二極管;FRED Pt 超快恢復整流器。另外，Vishay Semiconductors將在顯著(zhù)位置展示SurfLight™高功率紅外表面發(fā)射器等光電子產(chǎn)品，帶有數字輸出的全集成接近傳感器，以及1mA和5mA輸入電流的光耦。

　　Vishay的無(wú)源元件包括該公司各種各樣的最新電容器、電阻和電感器。重點(diǎn)展示的電阻包括具有高功率密度和可在+275℃高溫惡劣環(huán)境下使用的Vishay Dale Power Metal Strip®電阻，以及用于功率計和電池管理應用的高電流Power Metal Strip分流電阻。

　　特色電容器包括具有業(yè)內最小外形尺寸的Vishay Sprague Micro Tan^®汽車(chē)級固鉭片式電容器;Vishay ESTA功率電子電容器;Vishay Vitramon通過(guò)安全認證的多層陶瓷片式電容器(MLCC)。Vishay Dale將展出面向汽車(chē)應用的薄型、高電流IHLP®器件，用于桌面電腦和服務(wù)器的高溫通孔電感器等電感器產(chǎn)品。

　　另外，Vishay將在Techno-Frontier 2013的展位進(jìn)行兩項演示。Vishay Siliconix將演示用600V和650V的E系列功率MOSFET來(lái)提高效率。Vishay Semiconductors將演示一個(gè)采用低正向電壓和快速開(kāi)啟時(shí)間的TMBS整流器，以及具有高阻抗并能減小信號損失的低CJ TVS器件的系統。