科學(xué)家開(kāi)發(fā)下一代「完全整合」LED元件
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
倫斯勒理工學(xué)院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布，已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱(chēng)這項創(chuàng )新將敲開(kāi)新一代LED技術(shù)的大門(mén)，因為它的制造成本更低、更有效率，而且新的功能和應用也遠超出照明范疇。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/146959.htm
附圖 : 整合GaN LED和HEMT單晶片的元件剖面圖 BigPic:800x486
目前LED照明系統的核心是由氮化鎵制成的LED晶片，但許多外部元件如電感、電容、矽互連和線(xiàn)路等都有待安裝或整合到晶片中。而整合這些必要元件的大尺寸晶片則又會(huì )增加照明產(chǎn)品的設計復雜性。此外，這些復雜的LED照明系統組裝過(guò)程也相當緩慢，不僅需要大量手動(dòng)操作，而且價(jià)格昂貴。
倫斯勒理工學(xué)院的電子電腦暨系統工程系教授T. Paul Chow帶領(lǐng)的一項研究正試圖透過(guò)開(kāi)發(fā)一款具備完全采用氮化鎵制造之元件的晶片來(lái)解決這些挑戰。這種完全整合的獨立型晶片可簡(jiǎn)化LED的制造，可減少組裝和所需的自動(dòng)化步驟。此外，由于采用單一晶片，因此零件故障的比率也能降低，并提升能源效率和成本效益，以及照明設計的靈活性。
Chow和研究團隊們直接在氮化鎵的高電子遷移率電晶體(HEMT)頂部生長(cháng)氮化鎵LED結構。他們使用數種基本技術(shù)來(lái)互連兩個(gè)區域，創(chuàng )造出了他們稱(chēng)之為首個(gè)在相同氮化鎵晶片上整合HEMT和LED的獨立元件。該元件在藍標石基板上成長(cháng)，展現出的光輸出和光密度都能和標準氮化鎵LED元件相比。Chow表示，這項研究對于朝開(kāi)發(fā)嶄新的發(fā)光整合電路(light emitting integrated circuit，LEIC)光電元件而言相當重要。
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