飛思卡爾RF業(yè)務(wù)部對美國航空航天和國防市場(chǎng)做出長(cháng)期承諾

　　射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)飛思卡爾半導體(NYSE:FSL)日前宣布了一項重大舉措，主要展示其新型和現有商用RF功率和微波RF器件如何滿(mǎn)足美國航空航天和國防(A&D)市場(chǎng)的需求。

　　飛思卡爾計劃通過(guò)全新的氮化鎵(GaN) RF功率晶體管產(chǎn)品、經(jīng)過(guò)驗證的400多個(gè)LDMOS RF功率晶體管和砷化鎵(GaAs)單片微波集成電路(MMIC)產(chǎn)品支持廣泛的A&D應用。這些飛思卡爾產(chǎn)品將由主攻A&D市場(chǎng)和客戶(hù)的一個(gè)由專(zhuān)業(yè)人員組成的專(zhuān)門(mén)團隊提供支持。

　　飛思卡爾高級副總裁兼射頻業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Ritu Favre表示：“飛思卡爾擁有60多年的RF功率創(chuàng )新和經(jīng)驗，我們希望將業(yè)務(wù)重點(diǎn)從我們領(lǐng)先的RF功率晶體管領(lǐng)域延伸至不斷增長(cháng)的A&D市場(chǎng)。飛思卡爾長(cháng)期以來(lái)一直在與客戶(hù)密切合作，共同創(chuàng )建經(jīng)濟高效的解決方案，這些解決方案結合了精湛的性能、久經(jīng)考驗的可靠性和極強的耐用性，A&D設備制造商將從中獲益匪淺。”

　　根據分析機構ABI Research的調查，到2018年面向全球國防市場(chǎng)的RF功率器件(4 GHz以下，4 W輸出以上)的銷(xiāo)售總額將達到1.44億(美元)。

　　ABI Research的RF器件研究總監Lance Wilson表示：“多年來(lái)，飛思卡爾一直是面向無(wú)線(xiàn)基礎設施的RF功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先企業(yè)。當他們進(jìn)入包括A&D在內的其他RF功率市場(chǎng)領(lǐng)域時(shí)，該經(jīng)驗和專(zhuān)業(yè)技術(shù)將為其帶來(lái)極大幫助。”

　　RF創(chuàng )新歷程：現在面向航空航天和國防

　　飛思卡爾的RF業(yè)務(wù)部門(mén)(前身是摩托羅拉半導體產(chǎn)品部門(mén)的一部分)在RF功率晶體管開(kāi)發(fā)領(lǐng)域擁有60多年的歷史和經(jīng)驗，在1952年推出了其首款器件。從那時(shí)起，它已成為面向無(wú)線(xiàn)基礎設施市場(chǎng)的LDMOS RF功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，每年提供3000多萬(wàn)件產(chǎn)品。飛思卡爾擁有RF功率晶體管市場(chǎng)的唯一設在美國的LDMOS器件制造工廠(chǎng)，并保留了自有的成品生產(chǎn)基地。

　　公司的Airfast™ LDMOS器件提供高線(xiàn)性、寬瞬時(shí)帶寬和先進(jìn)的塑料封裝。面向商業(yè)應用進(jìn)行“強化”的飛思卡爾LDMOS產(chǎn)品非常適合滿(mǎn)足A&D的要求，它能夠在大于65:1的極端負載失配(VSWR)環(huán)境中運行，并具有靜電放電(ESD)增強保護。公司推出的LDMOS器件頻率范圍可擴展至3 GHz以上，RF功率輸出可達1250 W。飛思卡爾的GaAs MMIC器件覆蓋5 GHz以上的應用，包括增益模塊放大器、功率放大器(高達4 W)和具有低至0.35 dB的噪聲指數的低噪放大器。飛思卡爾的首款GaN RF功率晶體管計劃于2013年年末上市。

　　這種獨特的經(jīng)驗和世界級技術(shù)將由一支專(zhuān)注A&D市場(chǎng)(包括技術(shù)和應用支持)的RF專(zhuān)家團隊完善。飛思卡爾RF A&D團隊由飛思卡爾技術(shù)團隊的高級成員領(lǐng)導，擁有超過(guò)30年的RF功率晶體管經(jīng)驗，包括從設計工程到執行管理。之前他擔任飛思卡爾RF功率業(yè)務(wù)部門(mén)的營(yíng)銷(xiāo)總監，在市場(chǎng)、銷(xiāo)售和分銷(xiāo)領(lǐng)域擁有40年的經(jīng)驗。飛思卡爾產(chǎn)品還將由一支由營(yíng)銷(xiāo)、項目管理、應用、合規性和其他專(zhuān)業(yè)人員組成的團隊提供額外支持，該團隊主攻A&D市場(chǎng)和客戶(hù)。

　　已購面向A&D應用的新產(chǎn)品將包含在飛思卡爾長(cháng)期供貨計劃中，供貨期至少為15年。