Vishay發(fā)布2013年“Super 12”明星產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布推出2013年的“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品展示了該公司在半導體和無(wú)源器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢，為設計工程師提供接觸業(yè)內領(lǐng)先的性能規格的捷徑，以及從中管窺Vishay非常廣泛的產(chǎn)品組合?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/142837.htm

 

　　2013年的Super 12產(chǎn)品是：

　　VCNL3020全集成接近傳感器 — 將一個(gè)紅外發(fā)射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC組合進(jìn)小尺寸表面貼裝封裝里。傳感器支持易用的I2C總線(xiàn)通信接口，具有中斷功能。

　　WSBM8518 Power Metal Strip^® 電池電流采樣電阻 — 采用帶有4pin內插連接器的模塑外殼，易于實(shí)現從分流電阻到PCB板的連接。器件具有100µΩ的極低阻值，可提高汽車(chē)和工業(yè)應用中電池管理的精度。

　　170 V TMBS^® Trench MOS勢壘肖特基整流器 — 這些整流器適用于通信電源，具有10A～80A的電流等級和0.65V的極低正向壓降，采用TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW功率封裝。

　　MCW 0406 AT專(zhuān)業(yè)和精密系列寬端頭薄膜片式電阻 — 器件通過(guò)AEC-Q200認證，兼具高達300mW的功率等級和非常高的精密度，包括±0.1%的公差、±25ppm/K的TCR和低至1?的歐姆值，可用于汽車(chē)和工業(yè)電子產(chǎn)品。

　　TrenchFET^® Gen IV功率MOSFET — 使用新型高密度設計，在10V和4.5V下具有1.0mΩ和1.35mΩ的超低導通電阻，小于0.5的極低Qgd/Qgs比，采用PowerPAK^® SO-8、PowerPAK 1212-8和PowerPAIR^®封裝。

　　IHLP-6767GZ-5A IHLP^® 低高度、大電流電感器 — Vishay的最大IHLP功率電感器。這款器件可在+155℃下連續工作，1.0μH電感的電流最高可達53A，可用于汽車(chē)應用。

　　eSMP^® SlimSMA™ 和SMPD封裝 — 非常適合消費、計算機、工業(yè)、通信和汽車(chē)應用，SlimSMA DO-221AC封裝的整流器和瞬態(tài)電壓抑制器具有0.95mm的超低高度，SMPD封裝器件的典型高度為1.7mm。

　　LPS 1100功率厚膜電阻 — 對于風(fēng)電機組和剎車(chē)系統，器件是首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻，在+25℃下的功率等級達1100W。

　　E系列高壓MOSFET -- 600V和650V MOSFET采用Vishay的下一代超級結技術(shù)，特定導通電阻低30%，改進(jìn)了柵極電荷，采用TO-220 FullPAK、TO-247AC/AD、D2PAK、DPAK、IPAK和PowerPAK 8x8封裝。

　　T16液鉭電容器 — T16器件采用鉭材料和玻璃到鉭膜的密封，提高了性能，在+ 85℃下的反向電壓為1.5V，采用高可靠性設計。

　　SiP32458/SiP32459由轉換速率控制的負載開(kāi)關(guān) — 這款高邊負載開(kāi)關(guān)采用小型1mm x 1.5mm WCSP封裝，工作電壓為1.5V～5.5V，在3V～5.5V范圍導通電阻穩定在20mΩ。

　　VJ HIFREQ系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC) — 器件采用0402、0603和0805外形尺寸，Q值大于2000，耗散因數小于0.05 %。