意法半導體發(fā)布碳化硅太陽(yáng)能解決方案

　　橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)發(fā)布碳化硅產(chǎn)品創(chuàng )新成果，助力系統廠(chǎng)商研發(fā)能夠將太陽(yáng)能轉化成電網(wǎng)電能的高能效電子設備?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/137024.htm

　　意法半導體已于近日在美國佛羅里達州舉辦的2012年國際太陽(yáng)能展覽會(huì )暨研討會(huì )(Solar Power International 2012)上展出了1200V碳化硅二極管。該產(chǎn)品可取代DC-DC升壓轉換器和DC-AC逆變器所用的普通二極管，把太陽(yáng)能光伏板模塊的低壓輸出電能轉換成高質(zhì)量的電網(wǎng)電壓AC電能。

　　作為太陽(yáng)能發(fā)電用二極管的基本材料，碳化硅二極管的各項技術(shù)指標均優(yōu)于普通雙極二極管(silicon bipolar)技術(shù)。碳化硅二極管導通與關(guān)斷狀態(tài)的轉換速度非?？?，而且沒(méi)有普通雙極二極管技術(shù)開(kāi)關(guān)時(shí)的反向恢復電流。在消除反向恢復電流效應后，碳化硅二極管的能耗降低70%，能夠在寬溫度范圍內保持高能效，并提高設計人員優(yōu)化系統工作頻率的靈活性。

　　意法半導體的1200V碳化硅二極管試驗證明，即便負載和開(kāi)關(guān)頻率很高，逆變器總體能效仍然提高2%。在逆變器的額定生命周期內，2%的能效改進(jìn)可讓家庭太陽(yáng)能發(fā)電系統和大功率發(fā)電站節省數兆瓦小時(shí)的寶貴電能。

　　意法半導體還發(fā)布了碳化硅MOSFET項目的最新進(jìn)展。意法半導體的碳化硅MOSFET將是世界首批商用碳化硅MOSFET。因為有諸多優(yōu)點(diǎn)，預計將會(huì )取代太陽(yáng)能逆變器中的高壓硅絕緣柵雙極晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)。 除了比IGBT降低50%的能耗外，碳化硅MOSFET無(wú)需特殊的驅動(dòng)電路，且工作頻率更高，這讓設計人員能夠盡可能減少電源元器件數量，降低電源成本和尺寸，并提高能效。

　　碳化硅MOSFET和二極管的其它應用包括計算機房和數據中心用的大型電源和電動(dòng)汽車(chē)的馬達驅動(dòng)電子系統。