Ramtron推出MaxArias無(wú)線(xiàn)內存

　　鐵電內存(F-RAM)供貨商Ramtron International Corporation稍早前展示了一款MaxArias無(wú)線(xiàn)內存。這種無(wú)線(xiàn)內存結合了Gen2 RFID無(wú)線(xiàn)存取功能與其非揮發(fā)性F-RAM內存技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性，能讓設計師運用RF兼容高性能應答器(transponder) IC來(lái)發(fā)送、擷取和儲存更多的信息，從而擴大其系統的通訊范圍和內存容量。

　　Ramtron表示，MaxArias無(wú)線(xiàn)內存非常適合高價(jià)值資產(chǎn)追蹤、藥物追蹤、制造和維護記錄收集以及智能型能源讀表等應用。

　　MaxArias無(wú)線(xiàn)內存的第一批產(chǎn)品包括：WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為256/512/1024 x 16位，這些組件具有幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數(寫(xiě)入次數大約為1,014次)，以及二十年的數據保存期。就運作范圍、持續的內存存取帶寬及可靠性而言，MaxArias無(wú)線(xiàn)內存具有完全對稱(chēng)的讀/寫(xiě)運作能力，達到Gen-2標準的最大數據速率。

　　Ramtron表示，首款MaxArias無(wú)線(xiàn)記憶體系列結合了最高16Kb的高性能非揮發(fā)性F-RAM內存和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF無(wú)線(xiàn)接口協(xié)議標準，運作頻率為860MHz至960MHz。結合優(yōu)化的天線(xiàn)設計，MaxArias WM710xx產(chǎn)品系列可以使用由射頻場(chǎng)感應出的能量來(lái)供電。根據Gen-2標準，MaxArias芯片可接收和處理經(jīng)由RFID閱讀器傳輸的指令。

　　Ramtron的MaxArias無(wú)線(xiàn)內存具有超越傳統以EEPROM為基礎的RF IC的獨特優(yōu)勢。它具備更高的RF靈敏度，WM710xx能實(shí)現零功耗寫(xiě)入運作，因而在執行寫(xiě)入時(shí)不會(huì )影響功率或速度。使用低功耗F-RAM的MaxArias無(wú)線(xiàn)內存具有逾十公尺或更大范圍的對稱(chēng)無(wú)線(xiàn)讀/寫(xiě)功能;而在寫(xiě)入速度方面，MaxArias無(wú)線(xiàn)內存的速度較EEPROM快六倍，能夠實(shí)現整個(gè)內存區塊的寫(xiě)入運作，以更快的速度儲存更多的數據，免除以EEPROM為基礎的組件的「預備時(shí)間」(soak time)限制。

　　此外，Ramtron的SureWrite特性可確保數據完整性，防止在全區塊寫(xiě)入期間出現數據損壞。由于F-RAM組件完全不受磁場(chǎng)的影響，并具有高伽瑪輻射承受能力，MaxArias無(wú)線(xiàn)內存是需暴露于磁場(chǎng)或輻射干擾之應用的理想選擇。

　　WM710xx MaxArias無(wú)線(xiàn)內存能在整個(gè)工業(yè)溫度范圍(-40℃至+85℃)運作，并備有幾種配置，包括標準RoHS兼容的6腳UDFN封裝、凸塊芯片、裸片，或經(jīng)全面測試且符合ISO-18000-6C標準的電子卷標。