3D IC制程標準須與國際接軌
日前,在SEMI臺灣和臺工研院共同主辦、先進(jìn)堆疊系統與應用研發(fā)聯(lián)盟(Ad-STAC)協(xié)辦的“SEMI國際技術(shù)標準制訂與全球3D IC技術(shù)標準研討會(huì )”中,半導體制造聯(lián)盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen,以及SEMI資深協(xié)理James Amano,分享了數項SEMI國際技術(shù)標準最新發(fā)展、成功案例,以及國際上3D IC技術(shù)標準之布局。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/133029.htmSEMI指出,3D IC由于整合度高、體積小、成本和功耗低等優(yōu)勢,已成現今半導體產(chǎn)業(yè)不可或缺的重要發(fā)展技術(shù)。SEMI臺灣集結多家相關(guān)業(yè)者,積極參與國際產(chǎn)業(yè)技術(shù)標準的制訂,持續討論和研擬制訂不同生產(chǎn)階段中所需的標準,透過(guò)專(zhuān)利權的建置、掌握國際標準脈動(dòng),才是讓臺灣廠(chǎng)商持續創(chuàng )造競爭優(yōu)勢,以應產(chǎn)業(yè)萬(wàn)變的最佳策略。
臺灣工研院量測中心副主任林增耀在會(huì )中表示,世界經(jīng)濟局勢變動(dòng)劇烈,唯有擁有專(zhuān)利、掌握國際標準脈動(dòng),才是創(chuàng )造競爭優(yōu)勢以應萬(wàn)變的最佳策略,參與國際產(chǎn)業(yè)技術(shù)標準的制訂,更成為臺灣企業(yè)布局國際市場(chǎng)的重要攻防戰。
半導體制造聯(lián)盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen于會(huì )中表示,3D IC具備整合度高、體積小、成本和功耗低等優(yōu)勢,已成現今產(chǎn)業(yè)不可或缺的重要發(fā)展技術(shù),而隨著(zhù)3D IC技術(shù)受到重視,如何建立立體堆疊整合最常用的矽穿孔(TSV)技術(shù)標準也備受矚目。
SEMI產(chǎn)業(yè)標準與技術(shù)專(zhuān)案資深經(jīng)理張嘉倫指出,SEMI在臺灣致力于推動(dòng)3D IC標準制訂,已集結包括臺積電、聯(lián)電、日月光、矽品、晶電、聯(lián)發(fā)科、漢民科技等半導體大廠(chǎng)參與討論不同生產(chǎn)階段中所需的標準,相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域范圍涵蓋矽穿孔(TSV)、接合和薄化制程、測試檢驗和量測、設備和材料標準的研擬和制訂。
SEMI指出,由于3D IC設計復雜度遠高于傳統晶片,技術(shù)及成本挑戰接踵而來(lái),SEMI以制造業(yè)需求為導向,所制訂出的3D IC產(chǎn)業(yè)技術(shù)標準,對提升產(chǎn)能、降低制造成本、縮短產(chǎn)品上市所需時(shí)間,以確保全球各地在設備與制程的相容性,而這也是牽連到臺灣企業(yè)布局國際市場(chǎng)的重要攻防戰。
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