飛兆XS DrMOS提供更薄的Ultrabook應用解決方案
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
Ultrabook設備和筆記本等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰，以滿(mǎn)足更薄的低側高終端系統要求。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅動(dòng)器功率級解決方案，用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應用。FDMF6708N集成了一個(gè)驅動(dòng)器IC、兩個(gè)功率MOSFET和一個(gè)自舉肖特基二極管，采用熱性能增強型6x6mm2 PQFN Intel DrMOS v4.0標準封裝。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/130495.htm
FDMF6708N可讓設計人員節省50%的占位面積，同時(shí)提供高開(kāi)關(guān)頻率和高功率密度。該器件的過(guò)零檢測(ZCD)功能改善了輕負載效率，延長(cháng)了電池壽命。與傳統分立解決方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET 技術(shù)以及具有更低源極電感的clip-bond封裝，在滿(mǎn)負載下提供高效率。而傳統分立解決方案需要更大的PCB空間、更長(cháng)的布局走線(xiàn)、更厚的電感，以及更多的元件，因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。
FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封裝，與最接近的競爭產(chǎn)品相比，該器件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%，在滿(mǎn)負載條件下(30A)效率改善6%。該器件適用于要求開(kāi)關(guān)頻率在600KHz – 1.0MHz，輸入電壓甚至達到20V的應用?？勺屧O計人員使用更小、更薄的電感和電容，減小解決方案的尺寸，同時(shí)滿(mǎn)足熱性能要求。FDMF6708N器件能夠幫助設計人員應對設計挑戰，設計出更酷、更薄且具有更高能效的Ultrabook產(chǎn)品。
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