基于瑞薩QzROM單片機的EFT抗干擾措施

　　QzROM單片機介紹

　　QzROM是應用了經(jīng)過(guò)細微化處理的PROM技術(shù)的可編程存儲器。QzROM單片機是指搭載了新型存儲器QzROM的瑞薩單片機(圖1)，廣泛應用于照相機、便攜式設備、家電及民用設備等。

　　EFT概念

　　EFT(電快速瞬變脈沖群，如圖2)是由電路中的感性負載斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生。特點(diǎn)是一連串的脈沖，對電路的影響比較大，可造成MCU(單片機)程序跑飛、死機、復位等情況。由于一連串的脈沖可以在電路的輸入端產(chǎn)生累積效應，使干擾電平的幅度最終超過(guò)電路噪聲門(mén)限。

　　當脈沖串的每個(gè)脈沖相距很近時(shí)，電路的電容沒(méi)有足夠時(shí)間放電，就又開(kāi)始新的充電，容易達到較高的電平。所以脈沖串的周期越短對電路影響越大。

　　EFT抗干擾措施，主要介紹三類(lèi)方法：

　　1.優(yōu)化PCB(印制電路板)布線(xiàn)

　　•在元件布局方面，需優(yōu)先放置MCU(單片機)、時(shí)鐘、復位電路;將元器件劃分不同的功能模塊，合理擺放各模塊位置，調整元器件角度，縮短總布線(xiàn)長(cháng)度。

　　•在布線(xiàn)寬度、布線(xiàn)間隙方面，盡量用更粗的布線(xiàn)寬度和布線(xiàn)間隙，減少在干擾下導線(xiàn)上的電壓對信號的影響，同時(shí)減少各個(gè)布線(xiàn)間的干擾。

　　•在地線(xiàn)、電源線(xiàn)布置方面：盡量將MCU、時(shí)鐘、復位電路的地線(xiàn)、電源線(xiàn)與其他功能分離開(kāi)來(lái)，低頻時(shí)注意覆銅的放置，應盡量縮短布線(xiàn)長(cháng)度。