瑞薩發(fā)布首款嵌入式閃存技術(shù)
—— 適用于汽車(chē)實(shí)時(shí)應用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)
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時(shí)間：2012-01-05
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會(huì )社(TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車(chē)實(shí)時(shí)應用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對汽車(chē)應用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠(chǎng)商，采用該技術(shù)的首款產(chǎn)品預計將于2012年秋季開(kāi)始供應。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/127783.htm瑞薩電子在開(kāi)發(fā)具有高質(zhì)量及高可靠性的閃存MONOS(金屬氮氧硅)技術(shù)方面，擁有豐富的經(jīng)驗且廣受好評。在2007年，瑞薩電子便成為第一家推出90nm汽車(chē)用閃存MCU產(chǎn)品的廠(chǎng)商。
瑞薩電子閃存MONOS技術(shù)為可擴充的技術(shù)，不僅可靠性高且具備高效能。40nm閃存測試組件的評估結果，已證明其在三個(gè)重要的參數(數據保存、程序/擦寫(xiě)周期耐受性及程序設計時(shí)間)方面，均能成功做到優(yōu)異的特性表現。40nm制程節點(diǎn)可整合多種與安全相關(guān)的功能性與通訊接口。
瑞薩電子40nm閃存IP保證數據可保存20年，并可在最高170℃結合溫度下進(jìn)行讀取。此外，程序代碼閃存支持120 MHz讀取速度，而數據閃存即使在125,000次程序/擦寫(xiě)周期后，仍可達到業(yè)界領(lǐng)先的20年超長(cháng)數據保存時(shí)間。
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