韓國周三批準三星在華投建40億美元閃存廠(chǎng)

　　據國外媒體報道，周三，韓國政府宣布，已經(jīng)批準三星電子在中國建設一座閃存芯片工廠(chǎng)。這家工廠(chǎng)計劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠(chǎng)。工廠(chǎng)將使用20納米或以下半導體生產(chǎn)工藝，大規模的量產(chǎn)將會(huì )在在2013年啟動(dòng)，該工廠(chǎng)每月處理的晶圓個(gè)數將達到十萬(wàn)個(gè)。據報道，三星電子目前尚未確定工廠(chǎng)的選址。

　　根據韓國政府規定，本國企業(yè)要在海外設立高科技生產(chǎn)基地，必須向政府提交申請，以避免高端技術(shù)的外泄。韓國知識和經(jīng)濟部官員周三表示，三星電子將會(huì )成立一個(gè)委員會(huì )，專(zhuān)門(mén)防止中國工廠(chǎng)閃存芯片技術(shù)被泄露。

　　三星是全世界最大的NAND閃存芯片制造商，占據了全球四成的市場(chǎng)份額。其競爭對手主要包括日本東芝、韓國海力士半導體，以及美國美光科技公司。

　　根據IT研究機構Gartner公司的報告，今年，中國的NAND閃存消耗量將占到全球一半，金額達到290億美元，到2015年，中國的消耗份額還將攀升到55%。

　　隨著(zhù)華為科技、中興通訊等中國企業(yè)逐漸提升在全球智能手機、平板電腦領(lǐng)域的市場(chǎng)份額，中國廠(chǎng)商對于NAND閃存的需求也出現了快速增長(cháng)。