Diodes 40V閘極驅動(dòng)器減少I(mǎi)GBT開(kāi)關(guān)損耗

　　Diodes 公司推出專(zhuān)為開(kāi)關(guān)高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動(dòng)器(gate driver) ，有助于提高太陽(yáng)能逆變器、電機驅動(dòng)和電源應用的功率轉換效率。

　　當輸入電流為 1mA 時(shí)，該閘極驅動(dòng)器通?？商峁?4A 的驅動(dòng)電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個(gè)發(fā)射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應(latch-up)及貫通問(wèn)題(shoot-through)，實(shí)現少于 10ns 的傳輸延遲時(shí)間。

　　ZXGD3006E6 的操作范圍涵蓋 40V，可全面改善開(kāi)關(guān)器件，從而把通態(tài)損耗降至最低。該器件同時(shí)允許從 +20V 至 -18V 的閘極驅動(dòng)，有助于防止由 dV/dt 引起的IGBT 誤觸發(fā)(false triggering)。

　　這個(gè)閘極驅動(dòng)器提供獨立電源和路漏輸出(sink output)，可分別器件開(kāi)啟及關(guān)閉時(shí)間，從而讓電路設計師能為特定應用設定更佳的開(kāi)關(guān)功能。再加上擁有 10Amp 的峰值電流處理能力，該器件可控制大閘極容性負載的充電和放電，以減少更高運行頻率下的 EMI(電磁干擾)問(wèn)題和跨導風(fēng)險(cross conduction)。

　　該閘極驅動(dòng)器采用堅固耐用的 SOT26 封裝，可比競爭器件提供更高的脈沖電流，確保減少熱耗散，從而提升產(chǎn)品可靠性。此外，新器件的封裝引腳經(jīng)過(guò)優(yōu)化，能簡(jiǎn)化印刷電路板布線(xiàn)，并減少寄生引線(xiàn)電感。