IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術(shù)，可為 12V輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦。

　　IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件，比上一代器件減少了導通電阻 (RDS (on) ) 和柵極電荷 (Qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，這些器件具有超低柵極電阻 (Rg) ，通過(guò)把DC-DC轉換器的開(kāi)關(guān)損耗降至最低來(lái)進(jìn)一步提高效率。

　　IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“新款IRF6811和IRF6894芯片組利用IR的DirectFET 封裝技術(shù)，并采用IR的新一代硅技術(shù)來(lái)優(yōu)化關(guān)鍵的 MOSFET參數，為下一代計算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空間小的最佳解決方案。”

　　IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結合了業(yè)界領(lǐng)先的導通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導和開(kāi)關(guān)損耗降到最低。IRF6894還設有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導和反向恢復導致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET與上一代器件的占位面積兼容。