聯(lián)發(fā)科技展訊聯(lián)芯角力TD芯片

　　基于此，展訊決定直接研發(fā)40納米工藝TD芯片。“盡管風(fēng)險巨大，但時(shí)不我待。”一位展訊內部人士如此形容TD芯片市場(chǎng)競爭的急迫狀態(tài)。

　　事實(shí)上，各大TD芯片供應商也在暗自角力。據了解，聯(lián)芯科技、T3G和聯(lián)發(fā)科，目前也有更高工藝制程的TD芯片研發(fā)計劃。“按照正常的研發(fā)周期測算，一般要在一年半到兩年時(shí)間。”李力游認為，在TD芯片性?xún)r(jià)比上，“展訊將有至少領(lǐng)先一年的時(shí)間差。”

　　據悉，目前包括高通、博通在內，全球主流的3G芯片商用產(chǎn)品，一般集中在65納米工藝，少數產(chǎn)品達到45納米工藝。

　　最新消息顯示，包括青島海信、華為終端公司在內的多家手機廠(chǎng)商，已經(jīng)開(kāi)始采用展訊此款芯片，并通過(guò)了工信部的入網(wǎng)檢測和中國移動(dòng)的入庫檢測。“其最終的性能是否達到大規模商用化的要求，還有待市場(chǎng)檢驗。”有業(yè)內人士分析。