VISHAY高速轉換器工作頻率達1MHZ

　Vishay Intertechnology宣布推出兩款新型高速轉換器解決方案，這兩款器件將控制 MOSFET、同步 MOSFET 及驅動(dòng)電路整合到了一個(gè)超薄的高性能 PowerPAK® MLF 10x10 封裝中。這兩款新型產(chǎn)品簡(jiǎn)化了單相及多相直流到直流設計流程，并且提供了比分立解決方案高 3% 的效率。 

　　它們主要面向服務(wù)器、路由器、負載點(diǎn) (POL) 轉換器以及 3.3V、5V 及 12V 中間總線(xiàn)架構環(huán)境，這兩款新型器件不僅節省了板面空間及能耗，而且在較小的占位面積上實(shí)現了更高的額定功率。MOSFET 與驅動(dòng)器的整合有助于將可在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)產(chǎn)生振鈴及峰值的寄生漏感降至最低。   

　　SiC714CD10 及 SiC711CD10 可與任何 PWM IC 或 ASIC 配合使用，以生產(chǎn)出高效的降壓轉換器。低端 MOSFET 控制引腳可實(shí)現預先偏壓的啟動(dòng)，從而防止來(lái)自預充電輸出電容的不良吸收電流導致故障，在 POL 及服務(wù)器應用中尤為如此。 

　　額定輸入電壓介于 3.3V～16V 的新型 SiC714CD10 可在靜止空氣中提供 27A 的持續輸出電流，并且專(zhuān)為實(shí)現 10% 的占空比而進(jìn)行了優(yōu)化。其低端 MOSFET 的典型導通電阻值為 3mW，高端 MOSFET 為 10.2mW。 

　　Vishay SiC711CD10 的額定輸入電壓介于 3.3V～16V，占空比為 40%，該器件可提供高達 25A 的持續輸出電流。其高端與低端 MOSFET 的典型導通電阻值均為 4mW。 

　　這兩款器件均針對 12V 到邏輯電平轉換進(jìn)行了優(yōu)化，并且額定開(kāi)關(guān)頻率范圍介于 100kHz～ 1MHz 以上。它們的 PowerPAK MLF 10x10 封裝具有較低的熱阻，而且該封裝的簡(jiǎn)單襯墊幾何結構可實(shí)現直接的板布局及裝配。 

　　先斷后接的工作方式提供了抗“穿透性”，并且可將停滯時(shí)間縮減至最短。這兩款器件還具有欠壓鎖定及開(kāi)／關(guān)功能。內置自舉二極管進(jìn)一步減少了所需的外部元件數。 

　　目前，具有整合驅動(dòng)器的這兩款新型快速轉換 MOSFET 的樣品及量產(chǎn)批量均可提供，大宗訂單的供貨周期為 12 周。