中國IC專(zhuān)利申請量增多

　　2009年，國際金融危機對全球半導體市場(chǎng)造成了較大影響，我國集成電路產(chǎn)業(yè)亦首次出現了負增長(cháng)。然而，在國家大力發(fā)展戰略新興產(chǎn)業(yè)的大背景下，3G、移動(dòng)通信、半導體照明、汽車(chē)電子等新興領(lǐng)域正在迅速發(fā)展，其中孕育的巨大市場(chǎng)，將使我國IC產(chǎn)業(yè)在嚴峻的挑戰面前覓得發(fā)展良機。隨著(zhù)《國家中長(cháng)期科技發(fā)展規劃綱要》確定的01、02重大專(zhuān)項的深度實(shí)施和集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”規劃的編制，國內的集成電路產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新一輪發(fā)展高潮。

　　設計類(lèi)專(zhuān)利國內申請人比重增大

　　經(jīng)檢索，2009年公開(kāi)的我國設計類(lèi)專(zhuān)利申請共計13135件。由宏觀(guān)統計分析專(zhuān)利申請量歷年的變化可看出，從2001年至2005年，全國集成電路設計類(lèi)專(zhuān)利申請量進(jìn)入高速增長(cháng)期，年增長(cháng)率維持在30%以上，2006后逐漸放緩。需要特別指出的是，2008年至2009年的曲線(xiàn)下降可能是來(lái)源于中國專(zhuān)利的早期公開(kāi)延遲審查，所以不能作為專(zhuān)利申請趨勢的判定依據。

　　2009年我國企業(yè)的設計類(lèi)專(zhuān)利申請數量居首，為8323件，約占該類(lèi)專(zhuān)利申請總量的63%。美國和日本企業(yè)緊隨其后，排名第二和第三位，分別為1385件和1115件，共計約占該類(lèi)專(zhuān)利申請總量的19%。

　　2005年至2009年我國在集成電路設計領(lǐng)域的年度專(zhuān)利申請占總量的一半以上，且增長(cháng)率保持在35%以上，說(shuō)明我國近年來(lái)在該領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)成果保持在較高水平。然而，美國、日本等技術(shù)發(fā)達國家仍占據著(zhù)中國專(zhuān)利申請的一定份額，同時(shí)，歐洲各國及韓國等也正在積極布置和建設專(zhuān)利體系。日本申請人所占比例則呈現下降趨勢，在2008年已經(jīng)進(jìn)入負增長(cháng)。2009年的增長(cháng)率下降可能是來(lái)源于中國專(zhuān)利的早期公開(kāi)延遲審查，所以不能作為專(zhuān)利申請趨勢的判定依據。但從長(cháng)遠趨勢來(lái)看，國內申請人將在該領(lǐng)域繼續占據領(lǐng)先地位。

　　制造類(lèi)專(zhuān)利申請質(zhì)量有所提高

　　截止到2009年12月31日，我國集成電路制造類(lèi)的發(fā)明專(zhuān)利和實(shí)用新型專(zhuān)利共有58642件，其中發(fā)明專(zhuān)利申請55420件，約占 94.5%，實(shí)用新型專(zhuān)利3222件，約占5.5%。

　　近5年來(lái)制造領(lǐng)域國內申請人在數量和質(zhì)量上都逐漸超越日本、美國等發(fā)達國家。2008年是其主要轉折點(diǎn)，不僅所占比例首次超過(guò)日本，數量上也有約40%的增長(cháng)。原因可能在于2007年相關(guān)政策的刺激。至2009年，國內申請人的優(yōu)勢進(jìn)一步鞏固，預計在新修改的專(zhuān)利法及其實(shí)施條例生效的影響下，將繼續保持領(lǐng)先地位。

　　封測類(lèi)專(zhuān)利申請數量逐年增長(cháng)

　　經(jīng)檢索，截至2009年12月31日，我國集成電路封裝類(lèi)的發(fā)明專(zhuān)利和實(shí)用新型專(zhuān)利共有21517件，其中發(fā)明專(zhuān)利申請有18507件，占 86%，實(shí)用新型專(zhuān)利有3016件，占14%。我國集成電路測試類(lèi)的發(fā)明專(zhuān)利和實(shí)用新型專(zhuān)利共有3295件，其中發(fā)明專(zhuān)利申請有2664件，占 80.8%，實(shí)用新型專(zhuān)利有631件，占19.2%。

　　為了更清晰準確地了解中國集成電路封裝測試類(lèi)專(zhuān)利技術(shù)領(lǐng)域分布，探索其分布趨勢和集中分布點(diǎn)，我們參照了國際專(zhuān)利分類(lèi)(IPC)表的分類(lèi)體系，對該領(lǐng)域的專(zhuān)利申請進(jìn)行了技術(shù)分類(lèi)。

　　從集成電路封裝測試類(lèi)IPC年度分布可以看出，2009年中國集成電路封裝領(lǐng)域的專(zhuān)利絕大多數集中在H01L21(專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備)和H01L23(半導體或其他固態(tài)器件的零部件)中，其數量均超過(guò)了1500件。另外可以預見(jiàn)到H01L25(由多個(gè)單個(gè)半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件)有可能成為該類(lèi)技術(shù)熱點(diǎn)之一。

　　企業(yè)對知識產(chǎn)權重視和利用水平達到新高度

　　1985年～2009年期間，我國集成電路專(zhuān)利申請數量有了極大的飛躍。自2000年開(kāi)始，專(zhuān)利申請年平均增長(cháng)率超過(guò)40%，與國內集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展態(tài)勢相一致。特別是2008年《國家知識產(chǎn)權戰略綱要》的實(shí)施以及2009年《電子信息產(chǎn)業(yè)振興規劃》等利好政策的出臺，包括新修訂的專(zhuān)利法及其實(shí)施細則生效，國內企業(yè)對知識產(chǎn)權的重視和利用水平都將達到新的高度。

　　從國內外專(zhuān)利申請趨勢來(lái)看，2009年最為突出的是IC設計類(lèi)。盡管受專(zhuān)利早期公開(kāi)延遲審查制度以及國際金融危機的影響專(zhuān)利總量出現下降，但我國相比國外所占比例已上升至60%。同時(shí)在美國、日本等均遭遇負增長(cháng)的情況下取得了年增長(cháng)率4%以上的好成績(jì)。充分說(shuō)明了國內IC企業(yè)在全球不利形勢下更要強調自主創(chuàng )新。利用我國擴大內需的一系列措施，有效整合價(jià)值鏈，以知識產(chǎn)權為制高點(diǎn)持續發(fā)展壯大。從技術(shù)發(fā)展趨勢來(lái)看，各領(lǐng)域都出現了一定程度的變化。如封裝領(lǐng)域中，專(zhuān)利申請以H01L21(專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備)和H01L23(半導體或其他固態(tài)器件的零部件)為主要方向。而在測試領(lǐng)域中，G05F1(從系統的輸出端檢測的一個(gè)電量對一個(gè)或多個(gè)預定值的偏差量并反饋到系統中的一個(gè)設備里以便使該檢測量恢復到它的一個(gè)或多個(gè)預定值的自動(dòng)調節系統)又可能成為新的技術(shù)發(fā)展方向。上述技術(shù)點(diǎn)可以為封裝測試類(lèi)企業(yè)研發(fā)和銷(xiāo)售提供參考。

　　據預測，2010年國內集成電路產(chǎn)業(yè)將在全球半導體產(chǎn)業(yè)復蘇與國內內需市場(chǎng)繼續保持旺盛的雙重帶動(dòng)下實(shí)現較大幅度的增長(cháng)。與此對應的是，集成電路除設計領(lǐng)域外各方向的專(zhuān)利申請也呈現持續上升的趨勢。在機遇與挑戰并存的復雜背景下，集成電路企業(yè)唯有加大對科技研發(fā)的投入、提高自主創(chuàng )新能力，系統實(shí)施知識產(chǎn)權戰略，同時(shí)注重知識產(chǎn)權質(zhì)量和效益，方能在殘酷的國際競爭中脫穎而出，并為我國轉變經(jīng)濟發(fā)展方式提供支撐，從而幫助我國實(shí)現提高知識產(chǎn)權創(chuàng )造、運用、保護和管理水平的戰略目標。