NXP將推出50種采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品

　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅鍺)工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)、針對高頻無(wú)線(xiàn)電應用的新產(chǎn)品，旨在滿(mǎn)足行業(yè)對更強大、高性?xún)r(jià)比和高集成度硅基技術(shù)日益增長(cháng)的需求。恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe:C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)良的動(dòng)態(tài)范圍，專(zhuān)為滿(mǎn)足現實(shí)生活中無(wú)線(xiàn)、寬帶通信、網(wǎng)絡(luò )和多媒體市場(chǎng)領(lǐng)域的高頻應用需要而設計。2010年5月25日至27日在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MTT-S國際微波年會(huì )”上，恩智浦將會(huì )展示其高性能射頻解決方案(恩智浦展位號：3324)。

　　恩智浦目前已有10多種硅鍺產(chǎn)品上市，采用其QUBIC4技術(shù)開(kāi)發(fā)并售出的射頻產(chǎn)品已超過(guò)2500萬(wàn)件。此銷(xiāo)售業(yè)績(jì)彰顯了恩智浦QUBIC4工藝的技術(shù)成熟度以及行業(yè)對SiGe:C工藝實(shí)現GaAs技術(shù)性能的認可度。

　　恩智浦半導體射頻小信號業(yè)務(wù)總經(jīng)理Ronald van Cleef先生表示：“作為射頻技術(shù)和器件設計領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者之一，恩智浦致力于SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，適應射頻、微波市場(chǎng)的飛速發(fā)展。我們將借助采用硅基工藝，努力為市場(chǎng)提供具有砷化鎵(GaAs)技術(shù)的性能、高性?xún)r(jià)比、高集成度的高頻解決方案。”

　　恩智浦創(chuàng )新的高性能SiGe:C QUBiC4工藝可以讓無(wú)線(xiàn)設備制造商增加更多設備功能，同時(shí)更節省空間、更節約成本、性能更可靠以及制造更方便。QUBiC4技術(shù)加快了從GaAs技術(shù)向硅芯片技術(shù)的轉移速度，實(shí)現了高技術(shù)含量,低噪聲特性和IP可用性。恩智浦提供了三種不同的QUBiC4工藝：QUBiC4+，針對小于5GHz應用的硅基工藝，如中功率放大器;QUBiC4X，一種0.25µm SiGe:C 工藝，大約6年前推出，常用于高達30GHz和極低噪聲應用，如GPS;以及最新推出的0.25µm QUBiC4Xi SiGe:C工藝，特征頻率(Ft)超過(guò)200GHz，特別適合30GHz以上以及要求極低噪聲系數的應用，例如VSAT和雷達應用。

　　恩智浦的QUBiC4 SiGe:C技術(shù)擁有量產(chǎn)所需的完善IP和先進(jìn)的內部制造工藝，可以提高整體射頻性能，降低器件成本，同時(shí)提供比砷化鎵(GaAs) 技術(shù)更高和更靈活的性能。憑借超過(guò)45年在射頻建模、設計和封裝方面的豐富經(jīng)驗，恩智浦的QUBiC4技術(shù)將砷化鎵(GaAs)技術(shù)的高性能與硅基工藝的可靠度完善溶合在一起。隨著(zhù)高速數字數據傳輸和無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的持續發(fā)展，恩智浦的QUBiC4技術(shù)將推動(dòng)傳統的砷化鎵(GaAs)技術(shù)解決方案不斷向前發(fā)展，實(shí)現更低成本、更高集成度和更多功能，同時(shí)滿(mǎn)足低功耗需求。

　　基于QUBiC4技術(shù)的產(chǎn)品涵蓋移動(dòng)平臺、個(gè)人導航設備、有源相控陣雷達、衛星DBS/-VSAT、電子計量、軟件無(wú)線(xiàn)電(SDR)技術(shù)、基站、點(diǎn)對點(diǎn)無(wú)線(xiàn)鏈路以及無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)WLAN等廣闊領(lǐng)域，這些都是高頻和高集成度至關(guān)重要的領(lǐng)域。終端用戶(hù)的受益之處則在于手機變得更小巧,更輕便而功能卻不斷增加。

　　上市時(shí)間

　　2010年底之前將有50多種采用 SiGe:C 工藝的恩智浦產(chǎn)品面市，其中十多種產(chǎn)品已經(jīng)上市，包括GPS低噪聲放大器，如BGU7005;中等功率放大器，如BGA7124 ;以及本振(LO)發(fā)生器，如TFF1003HN。

　　其他40種新產(chǎn)品將在5月和年內陸續發(fā)布，包括全新的第6代和第7代寬帶晶體管、低噪聲放大器、中等功率放大器、可變增益放大器和本振(LO)發(fā)生器等。