USB 3.0電路保護方案
作者：Matt Williams 泰科電子瑞侃電路保護產(chǎn)品部全球應用工程經(jīng)理
時(shí)間：2010-03-02
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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與多數傳統MLV(多層變阻器)或TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管技術(shù)相比，PESD器件具有更低的電容，而其低觸發(fā)電壓和低鉗位電壓也有助于保護敏感電子元件。該器件適用于USB2.0的高速D+和D-信號線(xiàn)和USB 3.0的SuperSpeed信號線(xiàn)。在電路保護設計方案中增加PESD器件可以實(shí)現滿(mǎn)足IEC61000-4-2標準要求的保護水平，該標準規定接觸模式為8kV (典型)/15kV(最大)，規定空氣放電模式為15kV(典型)/25kV(最大)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/106465.htm協(xié)同電路保護
協(xié)同電路保護設計可用于改善對USB應用中大電流、高電壓和ESD瞬態(tài)的保護。圖5和圖6給出了USB 3.0設計方案需要的附加電路器件，并與USB 2.0設計方案進(jìn)行了比較。
器件推薦
PolySwitch過(guò)流保護器件可以幫助設計人員滿(mǎn)足USB 3.0規范的大電流要求并提供簡(jiǎn)單、節省空間的解決方案。PESD器件具有高速數據傳輸應用所需的低電容(一般為0.2pF)和電子行業(yè)最普遍的外形尺寸。PolyZen器件能為設計人員提供傳統鉗位二極管的易用性，又不需要大量的散熱。這種單一器件有助于對使用不正確電源提供保護，也能防止因過(guò)流事件而造成損傷。
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