USB 3.0電路保護方案

　　泰科電子的內部檢測表明，熱插拔引起的瞬態(tài)，盡管時(shí)間很短暫，但電壓幅度卻可能超過(guò)16~24V。內部檢測還發(fā)現第三方充電器的開(kāi)路電壓超過(guò)了5V ±5%的USB規范要求。在所有USB受電設備，尤其是VBUS端口上安裝過(guò)壓保護器件(如PolyZen聚合體保護zener二極管器件)可以有效防止因電壓瞬態(tài)而受損。對于USB 3.0設備來(lái)說(shuō)，PolyZen器件可酌情置于USB輸入端口、Power -B插頭和母插孔電源端口上。

　　ESD保護

　　過(guò)壓瞬態(tài)往往是ESD造成的，電源總線(xiàn)和數據總線(xiàn)上都可能出現。盡管現代集成電路可以抵御最高2000 V的電壓，但人體本身卻能輕易地聚集高達25000V的靜電。在I/O端口保護應用中，數據線(xiàn)上需要具有快速鉗位和恢復響應的極低電容ESD器件。

　　現有USB 2.0協(xié)議支持最高480Mbps的數據傳輸速率、即插即用、熱插拔安裝和運行。比較而言，USB 3.0規范支持的數據傳輸速率高達5Gbps，并向下兼容低速USB 2.0規范。

　　USB 3.0在連接上增加了四個(gè)新引腳來(lái)支持全新的SuperSpeed接口：USB3_TX (差分線(xiàn)對)和USB3_RX(差分線(xiàn)對)，如圖4所示。

　　USB 3.0的SuperSpeed接口需要比USB 2.0電容更低的ESD保護。增加極低電容PESD器件可以減小插入損耗，滿(mǎn)足USB 3.0的眼圖要求。PESD器件的典型電容為0.2pF，超過(guò)6 GHz范圍內插入損耗平穩，同時(shí)可以應對各種ESD瞬態(tài)。