PN結的整流特性：MDD整流二極管的核心物理機制

MDD整流二極管是電力電子和信號處理電路中的重要器件，其核心工作原理依賴(lài)于PN結的整流特性。PN結是由P型半導體和N型半導體構成的基本結構，通過(guò)其單向導電性，實(shí)現交流到直流的轉換。MDD本文將深入解析PN結的整流特性及其在整流二極管中的物理機制。

2.PN結的基本結構

PN結是由兩個(gè)摻雜類(lèi)型不同的半導體材料（P型和N型）組成：

P型半導體含有大量空穴（正電荷載流子），由摻入如硼（B）等受主雜質(zhì)形成。

N型半導體含有大量自由電子（負電荷載流子），由摻入如磷（P）等施主雜質(zhì)形成。

PN結形成后，載流子擴散：P區的空穴向N區擴散，N區的電子向P區擴散，導致PN結界面形成一個(gè)耗盡層，該區域幾乎沒(méi)有自由載流子，并且建立了一個(gè)內建電場(chǎng)。

3.PN結的整流特性

PN結的整流特性決定了整流二極管的單向導通能力，主要表現為正向導通、反向截止和反向擊穿三個(gè)工作狀態(tài)。

3.1正向偏置（導通狀態(tài)）

當P區電位高于N區（外加正向電壓），PN結處于正向偏置狀態(tài)：

施加的正向電壓抵消耗盡層的內建電場(chǎng)，使其變窄，PN結的勢壘降低。

電子從N區注入P區，空穴從P區注入N區，形成正向電流（IF）。

電流與電壓關(guān)系呈指數增長(cháng)，當達到一定電壓（硅二極管約0.7V，肖特基二極管約0.2V~0.5V）后，二極管進(jìn)入導通狀態(tài)。

3.2反向偏置（截止狀態(tài)）

當N區電位高于P區（外加反向電壓），PN結處于反向偏置狀態(tài)：

施加的反向電壓增強耗盡層的內建電場(chǎng)，使其變寬，形成高阻態(tài)。

由于幾乎沒(méi)有多數載流子可以通過(guò)，PN結僅允許極小的反向漏電流（IR）通過(guò)，通常在nA~μA級別。

在額定反向電壓范圍內，二極管相當于斷路，不會(huì )導通。

3.3反向擊穿（失效或穩壓工作狀態(tài)）

當反向電壓超過(guò)擊穿電壓（VBR）時(shí)，PN結進(jìn)入擊穿模式：

雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）：高電場(chǎng)加速少數載流子，使其在碰撞過(guò)程中產(chǎn)生更多電子-空穴對，形成強烈電流，可能損壞器件。

齊納擊穿（Zener Breakdown）：在高摻雜PN結（如穩壓二極管）中，量子隧穿效應使載流子通過(guò)耗盡層，形成穩定的擊穿電壓，可用于電壓調節。

4.PN結整流特性對整流二極管的影響

?單向導通性

由于PN結在正向導通、反向截止的特性，整流二極管能夠有效地將交流電轉換為直流電。

?導通電壓與損耗

硅整流二極管的VF≈0.7V~1.1V，適用于高壓整流。

肖特基二極管的VF≈0.2V~0.5V，適用于低壓高效整流。

?反向耐壓能力

普通整流二極管的反向耐壓（VR）可達50V~1000V，適用于電源整流、電機驅動(dòng)等應用。

低耐壓二極管（如肖特基）適用于高頻DC-DC轉換器，但需要關(guān)注其高漏電流（IR）問(wèn)題。

?高頻特性與反向恢復

普通硅整流二極管的反向恢復時(shí)間較長(cháng)（幾百ns級別），適用于工頻整流（50Hz/60Hz）。

快恢復二極管（FRD）和超快恢復二極管（UF）采用特殊工藝降低反向恢復時(shí)間，提高高頻整流性能（如開(kāi)關(guān)電源、逆變器）。

整流二極管的核心物理機制源于PN結的整流特性，其單向導電能力使其成為電路整流、穩壓和保護的重要元件。在應用中，需要根據導通電壓、反向耐壓、恢復時(shí)間等關(guān)鍵參數，選擇合適的整流二極管，以?xún)?yōu)化電路效率和可靠性。