3至5年內中國芯片將沖破美國限制，應用驅動(dòng)是我們的優(yōu)勢，封裝是彎道超車(chē)的機會(huì )

在近期的中國國際電視臺（CGTN）專(zhuān)訪(fǎng)中，中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)、長(cháng)江存儲董事長(cháng)陳南翔就中國半導體產(chǎn)業(yè)的現狀與未來(lái)展開(kāi)了深入的討論。以下是對話(huà)的主要內容整理：

陳南翔指出，盡管中國芯片產(chǎn)業(yè)尚未實(shí)現爆炸式增長(cháng)，但這一天終將到來(lái)。他預測，在摩爾定律不再奏效的同時(shí)，中國將受益于新的封裝技術(shù)。憑借在應用和封裝技術(shù)方面的優(yōu)勢，中國的芯片產(chǎn)業(yè)將在3至5年內實(shí)現“爆炸式增長(cháng)”，為中國克服美國的技術(shù)限制開(kāi)辟道路。

在談到中國芯片產(chǎn)業(yè)能否追趕上西方時(shí)，陳南翔表示，中國的機會(huì )在于市場(chǎng)和消費者在應用上的創(chuàng )新。他提出，由于摩爾定律等技術(shù)路徑依賴(lài)的消失，中國應該采取應用驅動(dòng)的發(fā)展模式，利用中國市場(chǎng)的獨特優(yōu)勢，推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

“因為現在是一個(gè)應用為王的時(shí)代，此外以前大家注重的都是晶圓制造技術(shù)，而在當下還需要最新的封裝技術(shù)的加持。比如當前火熱的AI芯片都是需要最先進(jìn)的晶圓制造技術(shù)和最先進(jìn)的封裝技術(shù)的?！标惸舷枵f(shuō)。

陳南翔回顧了中國在發(fā)展集成電路過(guò)程中走過(guò)的彎路，本質(zhì)上中國想要發(fā)展的是一種（芯片）產(chǎn)業(yè)，但是在過(guò)去，這一事情是交給大學(xué)、研究院、科學(xué)院來(lái)做，他們把這一研究做的更學(xué)術(shù)性，而中國現在需要的是一種產(chǎn)業(yè)，需要創(chuàng )新的產(chǎn)業(yè)、創(chuàng )新的服務(wù)以及創(chuàng )新的商業(yè)模式，從而轉變?yōu)樽罱?jīng)濟的商業(yè)價(jià)值，這是兩種完全不同的路徑。

他強調了從學(xué)術(shù)性研究轉向產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新、服務(wù)和商業(yè)模式的必要性，認為中國現在需要的是一種能夠轉化為經(jīng)濟商業(yè)價(jià)值的產(chǎn)業(yè)模式。經(jīng)過(guò)長(cháng)時(shí)間的摸索，中國已經(jīng)明白了什么樣的發(fā)展模式是注定要失敗的，并正在探索一種新的市場(chǎng)驅動(dòng)型產(chǎn)業(yè)模式。

談及封裝技術(shù)的重要性，陳南翔認為，當前三星、英特爾、臺積電等公司在3納米等技術(shù)節點(diǎn)上的定義各不相同，缺乏統一標準?！耙郧澳柖捎行У臅r(shí)候，在每一個(gè)節點(diǎn)上，大家都知道三年后如何發(fā)展、六年以后如何發(fā)展。但是在當下再問(wèn)大家這一節點(diǎn)在三年乃至六年后如何發(fā)展，大家很難說(shuō)清楚?！?/span>

在當前應用為王的時(shí)代，陳南翔認為，封裝技術(shù)將成為關(guān)鍵，其重要性或將超越晶圓制造技術(shù)。這種技術(shù)態(tài)勢的轉變對中國而言是一個(gè)巨大利好，為中國實(shí)現“彎道超車(chē)”提供了機會(huì )。

陳南翔坦言，半導體產(chǎn)業(yè)正面臨全國人民的期待，這增加了行業(yè)的曝光度和對人才的吸引力。同時(shí)，他也提到了來(lái)自媒體和公眾的壓力，希望公眾能夠理性、耐心地看待國內半導體行業(yè)的發(fā)展，“這是一場(chǎng)馬拉松而非短跑競賽，希望大家給予足夠的時(shí)間和空間，讓產(chǎn)業(yè)能夠扎實(shí)地構建基礎，才能展現其實(shí)力?！?/span>

他同時(shí)提到了長(cháng)江存儲在面對美國制裁時(shí)的困境。在去年10月當選為中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)后，陳南翔就呼吁業(yè)界同舟共濟，攜手應對來(lái)自美國的科技制裁。他表示，一些國家出于地緣政治考量，已經(jīng)破壞了芯片半導體產(chǎn)業(yè)鏈的全球化體系，現在行業(yè)面臨巨大的不確定性，“再全球化”正在發(fā)生。

陳南翔認為，芯片產(chǎn)業(yè)鏈將進(jìn)入“動(dòng)蕩且無(wú)序”的時(shí)刻。不僅沖擊現有的全球供應鏈產(chǎn)業(yè)分工，甚至給產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式帶來(lái)重大影響。 他提議，如果中國企業(yè)依法合規買(mǎi)到的設備不能交貨或者無(wú)法使用，廠(chǎng)家應該設定一個(gè)時(shí)間回購設備，“我想做個(gè)呼吁，去建設你們的誠信，體現于你們的公平原則。就長(cháng)江存儲來(lái)講，依法合規買(mǎi)回來(lái)的設備連零件也拿不到。如果是公平的話(huà)，應該會(huì )設一個(gè)時(shí)間，把設備在新的條件下回購，這樣才公平?！?nbsp;

此外，陳南翔還提到了長(cháng)江存儲對美光提起的專(zhuān)利侵權訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項專(zhuān)利，涉及3D NAND的各個(gè)方面。長(cháng)江存儲請求法院下令，要求美光停止在美國銷(xiāo)售其閃存，并向其支付專(zhuān)利使用費。 

長(cháng)江存儲表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND存儲器以及美光的部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列）侵犯了其在美國提交的11項專(zhuān)利或專(zhuān)利申請，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的基本方面。 

2022年底，美國商務(wù)部根據所謂的“證據”，以威脅其國家安全為由，將長(cháng)江存儲列入了實(shí)體清單，使其不能從美國獲得128層及以上的3D NAND的晶圓制造設備和技術(shù)。 

這次起訴，并非長(cháng)江存儲在美國的第一次“反擊”。2023年11月，長(cháng)江存儲在美國加州北區地方法院，對美光及子公司美光消費類(lèi)產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟，指控美光侵犯8項與3D NAND Flash相關(guān)的美國專(zhuān)利。 

關(guān)于陳南翔

陳南翔，今年62歲，于2021年5月加入國內存儲芯片企業(yè)“長(cháng)江存儲”，出任長(cháng)江存儲董事長(cháng)、代理CEO。在此之前，陳南翔曾擔任紫光集團聯(lián)席總裁、華潤微電子常務(wù)副董事長(cháng)等職務(wù)，在華潤集團工作18年，擁有電子科技大學(xué)半導體專(zhuān)業(yè)工學(xué)學(xué)士、航天711所大規模集成電路專(zhuān)業(yè)工學(xué)碩士、北京師范大學(xué)低能核物理研究所理學(xué)博士學(xué)位。