可編程晶振調整頻率怎么弄呢？

對于可編程晶振調整頻率可以直接使用說(shuō)明進(jìn)行操作。晶體振蕩器單元的實(shí)際驅動(dòng)電平在驅動(dòng)電平規格內。晶振作為電子產(chǎn)品中的必需品，廣泛應用于各個(gè)領(lǐng)域，存在各種問(wèn)題，如晶振異常振蕩頻率、晶振異常振蕩頻率包括無(wú)頻率信號號輸出以及實(shí)際振蕩頻率與標稱(chēng)頻率的差異等。

過(guò)高的驅動(dòng)電平可能導致更高的振蕩頻率或更大的R1。如何衡量駕駛水平如果實(shí)際負載電容與規格中規定的負載電容不同，實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標稱(chēng)頻率不同。這個(gè)頻率差可以通過(guò)以下措施來(lái)調整：

電路板上的負載電容似乎大于6pF。因此，使用8pF作為負載電容會(huì )改變指定的30MHz應時(shí)晶體振蕩器單元。通過(guò)這種改變，實(shí)際振蕩頻率由30MHz降低到5ppm，頻率差可以調節，這些方面都是根據自己的需求進(jìn)行選擇。

晶體單元的實(shí)際驅動(dòng)電平超過(guò)其指定的最大值。重要的是，壓電應時(shí)晶振單元的實(shí)際驅動(dòng)水平在驅動(dòng)水平規格內。過(guò)高的驅動(dòng)電平可能導致更高的振蕩頻率或更大的R1。請參考下面如何衡量駕駛水平：如果要降低驅動(dòng)級別，可以采取以下措施：

1、改變阻尼電阻：

通過(guò)改變阻尼電阻，反相放大器的輸出幅度衰減，實(shí)際驅動(dòng)電平變低。通過(guò)這種變化，振蕩幅度會(huì )減小。因此，最好檢查振蕩裕量是否超過(guò)5倍。此外，應注意不要使振蕩幅度過(guò)小。

2、改變外部負載電容：

通過(guò)改變外部負載電容，由于振蕩電路的高阻抗，實(shí)際驅動(dòng)電平變低。在這種情況下，由于負載電容較小，應時(shí)晶振的實(shí)際振蕩頻率變高。因此，最好檢查實(shí)際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內。

晶體單元的振蕩頻率根據其規格中規定的負載電容進(jìn)行分類(lèi)。因此，如果實(shí)際負載電容與規格中規定的負載電容不同，實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標稱(chēng)頻率不同。這個(gè)頻率差可以通過(guò)以下措施來(lái)調整：

調整外部負載電容。為了改變外部負載電容，實(shí)際振蕩頻率變低。如果外部負載電容較大，請注意振蕩裕量會(huì )較低。外部負載電容較大時(shí)，振蕩幅度可能很小。更換不同負載電容的晶振單元。為了應用負載電容大的晶胞，實(shí)際振蕩頻率變高。比如：需要30MHz的頻率，用一個(gè)指定頻率為30MHz的晶振單元作為負載電容，額定頻率為6pF。確認實(shí)際振蕩從30MHz低至30ppm。振蕩電路可能無(wú)法在晶體單元的標稱(chēng)頻率附近工作，這被稱(chēng)為“不規則振蕩”，然后根據相關(guān)的說(shuō)明操作即可。