負載電容究竟有多重要？看完本文你就明白了

why care負載電容

負載電容（load capacitance）常用的標準值有12.5 pF，16 pF，20 pF，30pF，負載電容與石英諧振器一起決定振蕩器的工作頻率，通過(guò)調整負載電容，一般可以將振蕩器的工作頻率調到標稱(chēng)值。

負載電容和諧振頻率之間的關(guān)系不是線(xiàn)性的，負載電容變小時(shí)，頻率偏差量變大；負載電容提高時(shí)，頻率偏差減小。下圖是一個(gè)晶體的負載電容和頻率的誤差的關(guān)系圖。

圖1、晶振誤差— 負載電容（22 pF 負載電容）

負載電容的定義

從石英晶體插腳兩端向振蕩電路方向看進(jìn)去的全部有效電容為該振蕩電路加給石英晶體的負載電容。石英晶體的負載電容的定義如下式：

圖1中標示出了C_G，C_D，C_S的的組成部分。

圖1、晶體振蕩電路的概要組成

C_G指的是晶體振蕩電路輸入管腳到gnd的總電容（比如 USB PHY的USB_XI信號到地）。容值為以下三個(gè)部分的和。

● USB_XI管腳到gnd的寄生電容, C_i

● 晶體-震蕩電路XI的PCB走線(xiàn)到到gnd的寄生電容，C_PCBXI

● 電路上另外增加的并聯(lián)到gnd“負載電容”, C_L1

C_D指的是晶體振蕩電路輸入管腳到gnd的總電容（比如 USB PHY的USB_XO信號到地）。容值為以下三個(gè)部分的和。

● USB_XO管腳到gnd的寄生電容, C_o

● 晶體-震蕩電路XO的PCB走線(xiàn)到到gnd的寄生電容，C_PCBXO

● 電路上另外增加的并聯(lián)到gnd“負載電容”, C_L2

C_S指的晶體兩個(gè)管腳之間的寄生電容（shunt capacitance），在晶體的規格書(shū)上可以找到具體值，一般0.2pF~8pF不等。如圖二是某32.768KHz的電氣參數，其寄生電容典型值是0.85pF（在表格中采用的是Co）。

圖2、某晶體的電氣參數

C_i以及C_o的取值，一般可以在芯片手冊上查詢(xún)到。比如圖三是某芯片的XI/XO的寄生電容值。

圖3、某芯片的輸入電容

C_L1/C_L2的計算過(guò)程

一般我們會(huì )說(shuō)，計算晶體振蕩電路的負載電容，事實(shí)上是根據晶體規格書(shū)上標稱(chēng)的負載電容，計算出實(shí)際需要在晶體兩端安裝的電容C_L1以及C_L2的值。

假設我們需要計算的電路參數如下所述。芯片管腳的輸入電容如圖三CN56XX所示，C_i=4.8pF；所需要采用的晶體規格如圖二所示，負載電容C_L=12.5pF，晶體的寄生電容C_S=0.85pF。

我們可以得到下式：

為了保持晶體的負載平衡，在實(shí)際應用中，一般要求CG=CD，所以進(jìn)一步可以得到下式：

根據C_G的組成部分，可以得到：

C_G=C_i+C_PCBXI+C_L1=23.3pF

晶體布線(xiàn)時(shí)都會(huì )要求晶體盡量靠近振蕩電路，所以C_PCBXI一般比較小，取0.2pF；C_i=4.8pF。所以最終的計算結果如下：(C_L2的計算過(guò)程類(lèi)似)

C_L1=C_L2=18.3pF≈18pF

例外情況

現在有很多芯片內部已經(jīng)增加了補償電容（internal capacitance），所以在設計的時(shí)候，只需要選按照芯片datasheet推薦的負載電容值的選擇晶體即可，不需要額外再加電容。但是因為實(shí)際設計的寄生電路的不確定性，最好還是預留C_L1/C_L2的位置。

以上的計算都是基于C_G=C_D的前提，的確有一些意外情況，比如cypress的帶RTC的nvsram的時(shí)鐘晶體要求兩邊不對稱(chēng)，但是幸運的是，cypress給出了詳細的計算過(guò)程以及選型參考。

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