英特爾晶圓代工，更新路線(xiàn)圖

超越Intel 18A：18A-P、14A 和混合鍵合

拋開(kāi)業(yè)務(wù)問(wèn)題不談，英特爾今天發(fā)布的公告的重點(diǎn)是該公司的晶圓廠(chǎng)路線(xiàn)圖，該路線(xiàn)圖將在兩年多以來(lái)首次延期?，F在，英特爾正在發(fā)貨一些首批追趕節點(diǎn)，并準備發(fā)貨其余節點(diǎn)，該公司將介紹 2025 年 18A 后的情況。

在高性能/高密度賽道上，這里的重要補充是 18A 的后繼者14A。除其他成就外，14A 將是英特爾首次使用高數值孔徑 (High-NA) EUV（下一代極紫外光刻技術(shù)）的節點(diǎn)。高數值孔徑 EUV 有望實(shí)現更精細的特征，允許在不依賴(lài)多重圖案化的情況下處理晶圓，而這對于較小節點(diǎn)尺寸的傳統 EUV 來(lái)說(shuō)是必需的。英特爾將其代工業(yè)務(wù)押注于 High-NA，這與英特爾在 EUV 領(lǐng)域的起步相對較晚（Intel 4/Meteor Lake 是其首款產(chǎn)品）形成鮮明對比，以至于英特爾已經(jīng)獲得了迄今為止全球唯一的高數值孔徑掃描儀。

憑借 High-NA 的使用，14A 將成為英特爾繼 20A/18A 合并之后的第一個(gè)完整節點(diǎn)。它將在功能尺寸和性能方面提供什么還有待觀(guān)察——風(fēng)險生產(chǎn)定于 2026 年底進(jìn)行，這還需要幾年時(shí)間——但如果一切按照英特爾的計劃進(jìn)行，這將是他們進(jìn)一步發(fā)展的地方鞏固其作為晶圓廠(chǎng)工藝技術(shù)領(lǐng)導者的地位。

在其他地方，英特爾正在計劃其主要節點(diǎn)的幾種變體，包括 14A。這些變體都獲得了新的后綴，具體如下：

E，Feature Extension：E 節點(diǎn)是對以某種方式增強的節點(diǎn)的包羅萬(wàn)象的標簽。據英特爾稱(chēng)，這主要基于新功能，例如支持更高的電壓（想想用于 HPC 的臺積電“X”節點(diǎn)）、更高的溫度等。這些節點(diǎn)的性能也可能比基本節點(diǎn)更好，但一般來(lái)說(shuō)，每瓦性能將提高不到 5%。

P, Performance Improvement：這些節點(diǎn)相對于節點(diǎn)的基本版本提供了更大但仍然適度的性能改進(jìn)。AP 節點(diǎn)應提供 5% 到 10% 的每瓦性能改進(jìn)。它們本質(zhì)上是節點(diǎn)的“plus”版本。順便說(shuō)一句，如果一個(gè)新節點(diǎn)的每瓦性能提升超過(guò) 10%，那么英特爾表示我們應該期望它完全是一個(gè)新節點(diǎn)。

T, Through-Silicon Vias：最后，T 后綴將用于指示支持硅通孔 (TSV) 的英特爾節點(diǎn)的特殊版本，用于制造基礎芯片，而基礎芯片又用于銅銅混合鍵合?；旌湘I合也是英特爾在其 Foveros Direct 3D 品牌下推廣的，是當前芯片堆疊的最終游戲，允許使用微小的銅鍵合將芯片直接堆疊在彼此的頂部，這些銅鍵合使用 TSV 路由到各自的芯片中?；旌湘I合/TSV 將允許凸塊間距小于 10 微米，因此即使在一平方毫米內，芯片之間也能實(shí)現大量連接。

考慮到這些后綴，我們在英特爾路線(xiàn)圖上看到了當前、即將推出和新宣布的工藝節點(diǎn)的幾種變體。性能軌道上的是14A-E，它是英特爾最新路線(xiàn)圖上最遠的節點(diǎn)。英特爾沒(méi)有透露此處提供的具體增強功能，但高壓操作是一個(gè)不錯的猜測。

同時(shí)，18A 將在 2025 年左右獲得性能更高的變體，即18A-P。英特爾一再指出，18A 預計將是一個(gè)壽命較長(cháng)的節點(diǎn)，因此看到它獲得更高性能的變體也就不足為奇了，特別是因為其是一個(gè)不受高數值孔徑光刻機設計限制的節點(diǎn)。（主要是芯片/掩模版尺寸）。

Intel 3 是英特爾首款大批量 EUV 節點(diǎn)，也將在未來(lái)幾年內出現一些變化。這包括英特爾首個(gè) TSV/Foveros Direct 節點(diǎn)、Intel 3-T以及將于 2025 年推出的功能增強型英特爾3-E 。最后，基于更高性能設計的第二個(gè)支持 TSV 的節點(diǎn)版本將隨Intel 3P-T一起提供。值得注意的是，在英特爾路線(xiàn)圖上，只有Intel 3 具有支持 TSV 的節點(diǎn)；由于這些 T 節點(diǎn)旨在用于工作軟管基礎模具，因此英特爾并未制定任何計劃使用 18A 等尖端節點(diǎn)制造基礎.芯片。（盡管毫無(wú)疑問(wèn)，18A 仍將在 Foveros Direct 中用作top dies，例如在Clearwater Forest中）

最后，英特爾之前宣布的Intel 12 節點(diǎn)將于 2027 年投入生產(chǎn)。該預算節點(diǎn)正在與 UMC 聯(lián)合開(kāi)發(fā)，但將僅在英特爾代工廠(chǎng)生產(chǎn)。

英特爾：4年內5個(gè)節點(diǎn)已步入正軌

雖然英特爾今天發(fā)布的公告的重點(diǎn)是圍繞他們未來(lái)的雄心壯志，但要實(shí)現這一目標，他們仍然需要實(shí)現當前的目標。這意味著(zhù)他們承諾在 4 年內按時(shí)交付 5 個(gè)節點(diǎn)。

重要的是，英特爾再次重申 4 年計劃仍在按計劃進(jìn)行。英特爾的 4 年計劃結束時(shí)，18A 將于 2025 年投入生產(chǎn)，到 2024 年，客戶(hù)已經(jīng)可以開(kāi)始為英特爾最雄心勃勃的節點(diǎn)設計芯片。

值得注意的是，英特爾最近完成了自己的 18A 主要產(chǎn)品Clearwater Forest 的流片，并于今天宣布。Clearwater 是基于英特爾第二代 E 核的 Xeon（Sierra Forest 的后繼產(chǎn)品），是英特爾代工技術(shù)的杰作。除了用于計算元件的 18A 之外，Clearwater 還使用 Intel 3 作為其基礎芯片，使用 EMIB 進(jìn)行進(jìn)一步的芯片連接，甚至使用 Foveros Direct（混合鍵合）進(jìn)行芯片間連接。Clearwater 最終將與消費級Panther Lake一起成為英特爾的前兩個(gè)大型 18A 項目。

憑借其特征尺寸、RibbonFET 晶體管和PowerVia 背面供電的組合，英特爾此前曾表示，他們希望通過(guò) 18A 重新獲得工藝領(lǐng)先地位。截至今天的活動(dòng)，這仍然是英特爾對何時(shí)重回巔峰的預測。

與此同時(shí)，距離生產(chǎn)更近了，英特爾報告稱(chēng)，其大批量 EUV 工藝節點(diǎn)Intel 3 已準備好進(jìn)行大批量生產(chǎn)。它的前身 Intel 4 現已針對 Meteor Lake 發(fā)貨，而 intel 3 是其改進(jìn)版本，具有全系列可用的單元庫（而不是僅提供高性能的 Intel 4）。

鑒于英特爾目前僅使用其 5 個(gè)節點(diǎn)中的第二個(gè)節點(diǎn)來(lái)交付產(chǎn)品，因此無(wú)法回避的事實(shí)是，至少作為外部觀(guān)察者，英特爾的許多“步入正軌”聲明都是在相信該公司的話(huà)。但鑒于英特爾的時(shí)間表從一開(kāi)始就基于內部（風(fēng)險生產(chǎn)）里程碑而不是產(chǎn)品出貨里程碑，因此永遠不會(huì )有任何其他方式。

盡管如此，盡管我們今天手里沒(méi)有 Clearwater Forest 芯片，但他們的設計已經(jīng)流片并已準備好接受客戶(hù)設計這一事實(shí)，就像人們所希望的那樣，是一個(gè)充滿(mǎn)希望的跡象。

英特爾也很快宣稱(chēng)他們的客戶(hù)勝利是他們進(jìn)步的進(jìn)一步證據，并且英特爾代工廠(chǎng)正走在正確的道路上。雖然英特爾沒(méi)有透露任何具體合作伙伴的名稱(chēng)，但他們透露，他們已經(jīng)就 18A 達成了 4 項“大型”交易。其中一項交易包括一項“有意義的”預付款協(xié)議。最終，英特爾代工廠(chǎng)的財務(wù)成功不僅取決于開(kāi)發(fā)新節點(diǎn)，還取決于簽約客戶(hù)，以獲得完成所有這些主要投資所需的必要數量。因此，對于英特爾來(lái)說(shuō)，作為代工業(yè)務(wù)的相對新手，讓客戶(hù)愿意為產(chǎn)能預付費是他們的一大優(yōu)勢。

英特爾，未來(lái)依仗的技術(shù)

在今天一次采訪(fǎng)中，英特爾通過(guò)分享其未來(lái)數據中心處理器的一瞥，概述了它將為其代工客戶(hù)提供的新芯片技術(shù)。這些進(jìn)步包括更密集的邏輯以及3D 堆疊芯片內的連接性增加 16 倍，它們將是該公司與其他公司的芯片架構師共享的首批高端技術(shù)之一。

在內部，英特爾計劃在代號為 Clearwater Forest 的服務(wù)器 CPU 中使用這些技術(shù)的組合。該公司認為該產(chǎn)品是一種具有數千億個(gè)晶體管的片上系統，是其代工業(yè)務(wù)的其他客戶(hù)能夠實(shí)現的目標的一個(gè)例子。

英特爾數據中心技術(shù)和探路總監Eric Fetzer表示，“我們的目標是讓計算達到我們能夠實(shí)現的最佳每瓦性能” 。這意味著(zhù)使用該公司最先進(jìn)的制造技術(shù)——Intel 18A。

“但是，如果我們將該技術(shù)應用于整個(gè)系統，就會(huì )遇到其他潛在問(wèn)題，”他補充道?！跋到y的某些部分不一定能像其他部分一樣擴展。邏輯通?？梢愿鶕柖珊芎玫財U展一代又一代?！钡渌δ軇t不然。例如，SRAM（CPU 的高速緩存）一直滯后于邏輯。連接處理器和計算機其余部分的 I/O 電路則更加落后。

面對這些現實(shí)，正如所有領(lǐng)先處理器制造商現在面臨的那樣，英特爾將 Clearwater Forest 的系統分解為其核心功能，選擇最適合的技術(shù)來(lái)構建每個(gè)功能，并使用一套新技術(shù)將它們重新縫合在一起。其結果是 CPU 架構能夠擴展到多達 3000 億個(gè)晶體管。

在Clearwater Forest ，數十億個(gè)晶體管被分為三種不同類(lèi)型的硅 IC，稱(chēng)為芯片或小芯片，互連并封裝在一起。該系統的核心是使用 Intel 18A 工藝構建的多達 12 個(gè)處理器核心小芯片。這些小芯片以 3D 方式堆疊在三個(gè)使用 Intel 3 構建的“基礎芯片”之上，該工藝為今年推出的Sierra Forest CPU制造計算核心。CPU 的主高速緩存、電壓調節器和內部網(wǎng)絡(luò )將安裝在基礎芯片上?！岸询B通過(guò)縮短跳數來(lái)改善計算和內存之間的延遲，同時(shí)啟用更大的緩存，”英特爾高級首席工程師Pushkar Ranade說(shuō)。

最后，CPU 的 I/O 系統將位于使用 Intel 7 構建的兩個(gè)芯片上，到 2025 年，該芯片將落后該公司最先進(jìn)的工藝整整四代。事實(shí)上，這些小芯片與Sierra Forest 和 Granite Rapids CPU中的小芯片基本相同，從而減少了開(kāi)發(fā)費用。

以下是所涉及的新技術(shù)及其提供的功能：

1

3D混合鍵合

英特爾當前的芯片堆疊互連技術(shù) Foveros 將一個(gè)芯片與另一個(gè)芯片連接起來(lái)，采用的是長(cháng)期以來(lái)芯片與封裝連接方式的大幅縮小版：微小的焊料“微凸塊”，短暫熔化后即可連接芯片。這使得 Meteor Lake CPU 中使用的 Foveros 版本大約每 36 微米建立一個(gè)連接。Clearwater Forest 將使用新技術(shù)Foveros Direct 3D，該技術(shù)不同于基于焊接的方法，可將 3D 連接的密度提高 16 倍。

它被稱(chēng)為“混合鍵合”，類(lèi)似于將兩個(gè)芯片表面的銅焊盤(pán)焊接在一起。這些墊片稍微凹陷并被絕緣體包圍。當將兩個(gè)芯片壓在一起時(shí)，一個(gè)芯片上的絕緣體會(huì )粘附到另一芯片上。然后，對堆疊的芯片進(jìn)行加熱，使銅在間隙中膨脹并粘合在一起，形成永久鏈接。競爭對手臺積電在某些AMD CPU中使用混合鍵合版本，將額外的高速緩存連接到處理器核心小芯片，并在A(yíng)MD 最新的 GPU中將計算小芯片連接到系統的基礎芯片。

Fetzer 表示，“混合鍵合互連能夠大幅提高”連接密度?！斑@種密度對于服務(wù)器市場(chǎng)非常重要，特別是因為這種密度驅動(dòng)著(zhù)非常低的皮焦每比特通信?！比绻勘忍啬茉闯杀咎?，則數據從一個(gè)硅芯片傳輸到另一個(gè)硅芯片所涉及的能量很容易消耗產(chǎn)品功率預算的很大一部分。Foveros Direct 3D 使每比特的成本降至 0.05 皮焦耳以下，這使其與在硅芯片內移動(dòng)比特所需的能量處于同一水平。

節省的大部分能源來(lái)自于傳輸更少的銅線(xiàn)的數據。假設您想要將一個(gè)芯片上的 512 線(xiàn)總線(xiàn)連接到另一個(gè)芯片上相同大小的總線(xiàn)，以便兩個(gè)芯片可以共享一組一致的信息。在每個(gè)芯片上，這些總線(xiàn)可能窄至每微米 10-20 根電線(xiàn)。要使用當今的 36 微米間距微凸塊技術(shù)將信號從一個(gè)芯片傳輸到另一個(gè)芯片，意味著(zhù)將這些信號分散到一側數百平方微米的硅上，然后將它們聚集到另一側的同一區域。Fetzer說(shuō)，對所有額外的銅和焊料進(jìn)行充電“很快就會(huì )成為延遲和大功率問(wèn)題”。相比之下，混合鍵合可以在幾個(gè)微凸塊占據的同一區域中進(jìn)行總線(xiàn)到總線(xiàn)的連接。

盡管這些好處可能很大，但轉向混合鍵合并不容易。要形成混合鍵合，需要將已經(jīng)切割的硅芯片與仍附著(zhù)在晶圓上的硅芯片連接起來(lái)。正確對齊所有連接意味著(zhù)芯片必須被切割成比微凸塊技術(shù)所需的公差大得多的公差。修復和恢復也需要不同的技術(shù)。Fetzer 表示，甚至連接失敗的主要方式也是不同的。對于微凸塊，您更有可能因連接到相鄰焊點(diǎn)的一點(diǎn)焊料而發(fā)生短路。但對于混合鍵合，危險是導致連接斷開(kāi)的缺陷。

2

背面電源

該公司今年通過(guò)其Intel 20A 工藝（將先于英特爾 18A 的工藝）為芯片制造帶來(lái)的主要區別之一是背面供電。在當今的處理器中，所有互連，無(wú)論是承載電力還是數據，都構建在芯片的“正面”硅基板上方。Foveros 和其他 3D 芯片堆疊技術(shù)需要硅通孔、互連，這些互連可以向下鉆穿硅以從另一側建立連接。但背面電力傳輸更進(jìn)一步。它將所有電源互連放置在硅下方，基本上將包含晶體管的層夾在兩組互連之間。

這種布置會(huì )產(chǎn)生影響，因為電源互連和數據互連需要不同的功能。電源互連需要較寬以減少電阻，而數據互連應較窄以便可以密集封裝。隨著(zhù)今年晚些時(shí)候Arrow Lake CPU的發(fā)布，英特爾將成為第一家在商用芯片中引入背面供電的芯片制造商。英特爾去年夏天發(fā)布的數據顯示，僅背面電源就帶來(lái)了6% 的性能提升。

英特爾 18A 工藝技術(shù)的背面供電網(wǎng)絡(luò )技術(shù)將與英特爾 20A 芯片中的技術(shù)基本相同。然而，它在Clearwater Forest 中得到了更大的利用。即將推出的 CPU 在基礎芯片中包含所謂的“片內電壓調節器”。使電壓調節接近其驅動(dòng)的邏輯意味著(zhù)邏輯可以運行得更快。距離越短，調節器就能更快地響應電流需求的變化，同時(shí)消耗更少的功率。

由于邏輯芯片使用背面供電，因此電壓調節器和芯片邏輯之間的連接電阻要低得多?！巴ㄟ^(guò)技術(shù)提供的動(dòng)力以及 Foveros 堆疊為我們提供了一種非常有效的連接方式，”Fetzer 說(shuō)道。

3

RibbonFET，下一代晶體管

除了背面電源之外，該芯片制造商還采用英特爾 20A 工藝改用不同的晶體管架構：RibbonFET。自 2011 年以來(lái)， RibbonFET是納米片或全柵晶體管的一種形式，它取代了FinFET（自 2011 年起 CMOS 的主力晶體管）。在 Intel 18A 中，Clearwater Forest 的邏輯芯片將采用第二代 RibbonFET 工藝制造。Fetzer 表示，雖然這些設備本身與 Intel 20A 中出現的設備沒(méi)有太大區別，但設備的設計具有更大的靈活性。

他表示，“除了實(shí)現高性能 CPU 所需的功能之外，還有更廣泛的設備可以支持各種代工應用”，而這正是 Intel 20A 工藝的設計目的。

其中一些變化源于 FinFET 時(shí)代失去的一定程度的靈活性。在 FinFET 出現之前，采用相同工藝的晶體管可以制成多種寬度，從而允許在性能（伴隨更高電流）和效率（需要更好地控制漏電流）之間進(jìn)行或多或少的連續權衡。由于 FinFET 的主要部分是具有規定高度和寬度的垂直硅鰭，因此現在必須采取設備具有多少鰭的形式進(jìn)行權衡。因此，使用兩個(gè)翅片可以使電流加倍，但沒(méi)有辦法將其增加 25% 或 50%。

有了納米片器件，改變晶體管寬度的能力又回來(lái)了?！癛ibbonFET 技術(shù)可在同一技術(shù)基礎上實(shí)現不同尺寸的焊帶，”Fetzer 說(shuō)道?！爱斘覀儚挠⑻貭?20A 轉向英特爾 18A 時(shí)，我們在晶體管尺寸方面提供了更大的靈活性?！?/p>

這種靈活性意味著(zhù)設計人員可以用來(lái)構建系統的標準單元（基本邏輯塊）可以包含具有不同屬性的晶體管。這使得英特爾能夠開(kāi)發(fā)出一個(gè)“增強型庫”，其中包括比英特爾 20A 工藝的標準單元更小、性能更好或更高效的標準單元。

4

第二代EMIB

在 Clearwater Forest 中，處理輸入和輸出的芯片使用第二代英特爾EMIB水平連接到基礎芯片（具有高速緩存和網(wǎng)絡(luò )的芯片） 。EMIB 是一小塊硅，包含一組密集的互連和微凸塊，旨在將一個(gè)芯片連接到同一平面上的另一個(gè)芯片。硅嵌入封裝本身，以形成芯片之間的橋梁。

自 Sapphire Rapids 于 2023 年發(fā)布以來(lái)，該技術(shù)已在英特爾 CPU 中投入商業(yè)使用。它是一種成本較低的替代方案，可將所有芯片放在硅中介層上，硅中介層是一塊帶有互連圖案的硅片，其大小足以容納所有芯片。系統的芯片可供放置。除了材料成本之外，硅con 中介層的建造成本可能很高，因為它們通常比標準硅工藝設計的尺寸大幾倍。

第二代 EMIB 今年與 Granite Rapids CPU 一起首次亮相，它將微凸塊連接的間距從 55 微米縮小到 45 微米，并提高了電線(xiàn)的密度。這種連接的主要挑戰是封裝和硅在加熱時(shí)以不同的速率膨脹。這種現象可能會(huì )導致翹曲，從而破壞連接。

此外，就 Clearwater Forest 而言，“還存在一些獨特的挑戰，因為我們將常規芯片上的 EMIB 連接到 Foveros Direct 3D 基礎芯片和堆棧上的 EMIB”，Fetzer 說(shuō)道。他說(shuō)，這種情況最近被重新命名為 EMIB 3.5 技術(shù)（以前稱(chēng)為 co-EMIB），需要采取特殊步驟來(lái)確保所涉及的應力和應變與 Foveros 堆棧中的硅兼容，Foveros 堆棧比普通芯片更薄。

生態(tài)系統齊聚一堂：EDA 工具和 IP 已準備就緒

最后，今天活動(dòng)的一部分專(zhuān)門(mén)面向英特爾以外的供應商，他們負責提供完成英特爾代工廠(chǎng)生態(tài)系統所需的其余工具、IP 和其他部分。

向合同制造的轉變給英特爾帶來(lái)了幾項變化，其中最大的變化之一是如何為英特爾晶圓廠(chǎng)設計芯片。當英特爾只生產(chǎn)供內部使用的芯片時(shí)，該公司可以自由地使用他們需要的任何工具，無(wú)論他們需要什么工具——標準化的必要性并不高，更不用說(shuō)向外界公開(kāi)這些流程的工作原理了。但現在英特爾代工廠(chǎng)的大門(mén)已經(jīng)敞開(kāi)，英特爾必須與工具提供商密切合作，以便外部公司能夠成功使用他們的晶圓廠(chǎng)。這意味著(zhù)英特爾正在從完全內部生態(tài)系統過(guò)渡到外部生態(tài)系統；他們未來(lái)的成功部分取決于確?？蛻?hù)為其晶圓廠(chǎng)開(kāi)發(fā)芯片的一切都到位。

最終結果是，英特爾代工廠(chǎng)一直與電子設計自動(dòng)化 (EDA) 提供商的知名企業(yè)合作，他們的工具是現代芯片設計的基礎。這包括 Synopsys、Cadence、Ansys、西門(mén)子等。其中許多人將在今天早上的 Direct Connect 活動(dòng)上發(fā)表講話(huà)，宣布他們的工具已獲得英特爾代工廠(chǎng)外部節點(diǎn)的認證。

有趣的是，Intel Foundry 今天還宣布圍繞 EMIB 開(kāi)展廣泛的行業(yè)合作。我期待在今天上午晚些時(shí)候計劃的 EDA 會(huì )議上聽(tīng)到更多相關(guān)信息，但據英特爾稱(chēng)，該公司一直在與 EDA 工具供應商合作，以簡(jiǎn)化 EMIB 在芯片設計中的使用，從而加快 EMIB 的開(kāi)發(fā)和交付- 為英特爾代工客戶(hù)配備的芯片。

除了 EDA 工具之外，英特爾還與 IP 提供商合作，以便將其關(guān)鍵 IP 移植到英特爾 Foundry 的工藝節點(diǎn)上或以其他方式開(kāi)發(fā)。這是一個(gè)更大的合作伙伴列表，涵蓋了從普通（內存 PHY）到 CPU 內核等復雜設計的所有內容。即使是最大的芯片設計商也不會(huì )完全在內部設計所有內容，因此獲取充實(shí)芯片設計所需的基礎 IP 塊是英特爾代工生態(tài)系統的另一個(gè)主要需求。

總體而言，英特爾代工在過(guò)去幾年中一直在吸引各種公司。但可以說(shuō)，CPU 設計商 Arm 是英特爾最重要的 IP 供應商。除了基于 Arm 的芯片已經(jīng)從英特爾曾經(jīng)堅如磐石的數據中心業(yè)務(wù)中占據了很大份額（尤其是云供應商現在設計自己的芯片）之外，Arm 也是非常受歡迎的人工智能加速器組合 - 甚至 Arm 本身也是如此期待他們的下一代 Neoverse 設計。因此，如果英特爾代工廠(chǎng)想要進(jìn)軍新興（且利潤豐厚）的人工智能市場(chǎng)，他們不僅需要能夠提供制造人工智能加速器的能力，還需要提供與之配套的CPU內核。

但在這方面，應該指出的是，英特爾本身也是這里的IP供應商。英特爾產(chǎn)品部門(mén)將作為小芯片/IP 供應商，甚至作為半定制設計公司來(lái)競爭業(yè)務(wù)，可以想象，該公司可以為真正需要定制級別的大客戶(hù)提供基于英特爾 IP 的定制設計。出于顯而易見(jiàn)的原因，今天公告的重點(diǎn)是圍繞英特爾代工，但英特爾代工業(yè)務(wù)的成功將不僅僅是僅僅基于第三方 IP 為第三方制造芯片。

來(lái)源：半導體行業(yè)觀(guān)察

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