運放的噪聲評估簡(jiǎn)單辦法及舉例
上一期《運放的噪聲評估的來(lái)龍去脈》詳細說(shuō)明了運放噪聲評估的基本原理和方法,但是如果按照那一套辦法的話(huà),有點(diǎn)太復雜了,這一節就來(lái)說(shuō)一下簡(jiǎn)單的辦法,或是說(shuō)是一些常規經(jīng)驗。
經(jīng)驗1:抓大放小——如果噪聲A是不相干噪聲B的3倍或以上,那么我們完全可以忽略噪聲B
“抓大放小”,指的是只評估大的主要的噪聲源,忽略掉小的噪聲源。
問(wèn)題的關(guān)鍵在于如何判定哪些噪聲源是主要的,哪些噪聲源是次要的。了解主要的噪聲源不僅能簡(jiǎn)化計算,也能告訴我們?yōu)榱私档涂傇肼曀?,需要關(guān)注哪些因素。比如如果運放電流噪聲占主要部分,我們可以用一個(gè) CMOS 運放,來(lái)代替 Bipolar 運放,因為CMOS的電流噪聲一般要比Bipolar運放的噪聲小,另外,如果電阻噪聲是主導的,我們可能就需要減小電阻值。
判斷的方法:如果噪聲A比不相干噪聲B大3倍及以上,那么我們完全可以忽略噪聲B。
為什么是這樣呢?
舉個(gè)例子,如果噪聲A為Vrms_A=1uV,不相干噪聲B為噪聲A的3倍,即Vrms_B=3uV,根據上一節的內容可以知道,A和B疊加之后的噪聲有效值大小為2者的平方和根,即為3.16uV。如果我們忽略較小的噪聲A,只看B的噪聲,那么就是3uV,其與3.16uV其實(shí)是相差不大的,誤差只有(3.16-3)/3.26=5.3%。如果噪聲B比噪聲A大得更多,顯而易見(jiàn),忽略A帶來(lái)的誤差更小,總噪聲基本就等于噪聲B了,這個(gè)原因其實(shí)主要是因為平方和的關(guān)系,兄弟們可以算算差10倍的情況,誤差只有0.5%。
對于噪聲分析來(lái)講,由于平方和的原因,差異會(huì )被放大,因此,很多時(shí)候,小的噪聲都是可以忽略的。
經(jīng)驗2:JFET/CMOS類(lèi)型運放的電流噪聲通??梢院雎?/p>
多數 CMOS 運放,電流噪聲在fA/√Hz級別,Bipolar運放則在pA/√Hz級別。當電阻非常大時(shí)電流噪聲則需要重點(diǎn)考慮,采用 100kohm 或者以上的大電阻,可能需要采用CMOS 或JFET 運放。
如下圖是TI的一些運放的電流噪聲參數:
經(jīng)驗3:將運放電流噪聲頻譜密度乘以相關(guān)電阻,可轉化為電壓噪聲頻譜密度,然后與運放本身的電壓噪聲頻譜密度對比,如此可以評估電流噪聲是否主導。
我們一般評估噪聲,最終還是看對輸出端噪聲電壓的貢獻,因為電流乘以電阻才等于電壓,因此,最終的噪聲大小還跟電路中電阻的取值有很大的關(guān)系。顯然,電阻越大,那么噪聲電壓就越大。反之電阻越小,那么噪聲就越小。
所以說(shuō),如果電阻值非常小,電流噪聲常常都是可以忽略的,比如對于小于1K的電阻來(lái)說(shuō),即使使用的是 bipolar 運放,電流噪聲一般也可以忽略。
確定電流噪聲是否是主導,最簡(jiǎn)單的方法,就是將電流噪聲頻譜密度轉換為等效的電壓噪聲頻譜密度,然后將其與運放的電壓噪聲頻譜密度直接對比就可以知道。這個(gè)其實(shí)就是利用前面的“抓大放小”經(jīng)驗原則,如果電壓噪聲要比電流噪聲大很多,那么電流噪聲就不用管了。
以TI的TLV9061為例,其寬帶電壓噪聲頻譜密度為10nV/√Hz,其電流噪聲頻譜密度為23fA/√Hz
如果我們用它搭建下面的運放電路,將電流噪聲頻譜密度轉化為電壓噪聲頻譜密度,折算后為:e折算=23fA/√Hz*Rp=23pA/√Hz。這個(gè)值也是遠小于運放本身的電壓噪聲頻譜密度(10nV/√Hz)。那么結合經(jīng)驗1,我們完全可以忽略電流噪聲,不用再深入去計算電流噪聲具體是多少。
這里可能有一個(gè)疑問(wèn),為什么是乘以Rp?
從運放噪聲電路模型上看,同相端的噪聲電流全部都流過(guò)了Rp,即噪聲電流引起同相端電壓變化就是噪聲電流乘以Rp。
如果去掉Rp,那么電流噪聲引起的噪聲輸出就是0嗎?
當然不是的,前面我們已經(jīng)知道了,Rp是平衡電阻,其一般等于R1和R2的并聯(lián)值大小。即使我們干掉這個(gè)電阻,同相端電流噪聲引起的噪聲電壓為0,但是反相端同樣也有電流噪聲,這個(gè)是忽略不了的,其大小就是反相端噪聲電流乘以R1和R2的并聯(lián)值,大多數情況下也Rp乘以噪聲電流。
所以說(shuō),去掉Rp僅僅是將同相端電流噪聲的影響降低到0,反相端并不會(huì )有什么影響,因此并不會(huì )導致總的電流噪聲有量級的變化。反之,去掉平衡Rp可能會(huì )有負面影響(具體影響可以看”運放-4-偏置電路Ib和失調電流Ios(2)”章節)。
并且,一般電路Rp阻值就是R1和R2的并聯(lián)值,因此同相端和反相端的電流噪聲是一樣的,所以我們計算一次就好了,除非說(shuō)是電阻失配。因此我們評估噪聲量級的時(shí)候,直接用Rp來(lái)計算下就可以了。
另外一方面,如果我們發(fā)現電流噪聲頻譜密度轉化為電壓噪聲頻譜密度后,比運放本身的噪聲電壓頻譜密度還大,那就說(shuō)明了我們的電阻取值過(guò)大,需要減小阻值。
經(jīng)驗4:當系統帶寬比 1/f 噪聲的拐點(diǎn)頻率大10 倍以上,1/f噪聲便可以忽略不計。對于大多數精密運放,噪聲拐點(diǎn)頻率是在1Hz到1kHz之間,因此對于帶寬大于10kHz的系統,幾乎可以不考慮 1/f 噪聲的影響。
以上面的電路為例子,放大倍數為100倍,tlv9061的增益帶寬積為10Mhz,因此其帶寬為10Mhz/100=100Khz,是大于10Khz的。根據經(jīng)驗4,大于10Khz可以忽略1/f噪聲,因此,我們不用再去詳細計算1/f噪聲了。
經(jīng)驗5:如果說(shuō)運放本身的電壓噪聲頻譜密度大于3倍的電阻噪聲電壓頻譜密度,那么電阻的噪聲也是可以忽略的。反之,則說(shuō)明我們的電阻取值不合理,需要降低電阻阻值。
還是以這個(gè)電路為例,電阻Rp=1K的電壓噪聲頻譜密度可以通過(guò)下圖快速查出,其值為4nV/√Hz,運放本身的寬帶電壓噪聲頻譜密度為10nV/√Hz,只有2.5倍的關(guān)系,并沒(méi)有到3倍,但也相差不多,至少說(shuō)明電阻噪聲非主導地位,但是也不是特別小。
按照經(jīng)驗5來(lái)說(shuō),這個(gè)電阻其實(shí)并不是特別合理,小一點(diǎn)會(huì )更好,500Ω電阻噪聲會(huì )降低到3nV/√Hz,因此,如果選用500Ω左右的電阻應該是更好些的(僅僅從噪聲角度)。
不過(guò),我們真正設計電路的時(shí)候,并非一刀切,雖然這里說(shuō)以3倍為界限,現在2.5倍那是一定不行嗎?當然也不是,現在還有2.5倍的關(guān)系,說(shuō)明噪聲的主導地位依然是運放本身的噪聲,并非電阻噪聲,降低電阻阻值是可以降低噪聲,但是收益不會(huì )特別高,另外一方面,降低阻值必然會(huì )增加功耗,如果對功耗非常敏感,電阻自然也不能太小。我們設計電路要綜合考慮各種因素,根據需求來(lái)調整。
就上面這個(gè)電路而言,我們假設Rp這個(gè)電阻依然是1K。評估噪聲的時(shí)候,如果是我,盡管電阻噪聲只有2.5倍,我會(huì )認為其離3倍很接近,為了省事,會(huì )不去計算電阻的噪聲的。其次,這個(gè)3倍本身就是經(jīng)驗值,前面知道,3倍帶來(lái)的誤差是5%左右,2.5倍的話(huà),計算一下帶來(lái)的誤差也只是7.7%左右,粗糙評估完全沒(méi)問(wèn)題。
噪聲計算舉例
以上的經(jīng)驗準則我也是詳細的解釋了一番,所以還是顯得有點(diǎn)啰嗦,現在我們舉例實(shí)操一下,還是用上面那個(gè)電路吧,說(shuō)明下計算全過(guò)程。
計算過(guò)程:
以上就是運放噪聲評估簡(jiǎn)單辦法的過(guò)程,可以看到,運用這幾條經(jīng)驗,評估出來(lái)還是挺快的。至于精確的評估結果,原諒我,那個(gè)過(guò)程太繁瑣了(可見(jiàn)上一期文章“運放-8-運放的噪聲評估的來(lái)龍去脈”),我懶得算了。。。
小結
本文介紹了下運放噪聲評估的簡(jiǎn)單易行的辦法,主要參考的是TI的視頻課程:TI 高精度實(shí)驗室放大器系列 - 噪聲4,鏈接如下:
https://edu.21ic.com/video/2596
幾條經(jīng)驗規則匯總如下:
經(jīng)驗1:抓大放小——如果噪聲A是不相干噪聲B的3倍及以上,那么我們完全可以忽略噪聲B。
經(jīng)驗2:JFET/CMOS類(lèi)型運放的電流噪聲通??梢院雎?。
經(jīng)驗3:將運放電流噪聲頻譜密度乘以相關(guān)電阻,可轉化為電壓噪聲頻譜密度,然后與運放本身的電壓噪聲頻譜密度對比,如此可以評估電流噪聲是否主導。
經(jīng)驗4:當系統帶寬比 1/f 噪聲的拐點(diǎn)頻率大 10 倍以上,1/f噪聲便可以忽略不計。對于大多數精密運放,噪聲拐點(diǎn)頻率是在 1Hz 到 1kHz 之間,因此對于帶寬大于 10kHz 的系統,幾乎可以不考慮 1/f 噪聲的影響。
經(jīng)驗5:如果說(shuō)運放本身的電壓噪聲頻譜密度大于3倍的電阻噪聲電壓頻譜密度,那么電阻的噪聲也是可以忽略的。反之,則說(shuō)明我們的電阻取值不合理,需要降低電阻阻值。
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