高創(chuàng )科技推出電源架構GTLVR系列CPU/GPU核心電壓調節耦合電感器

高創(chuàng )科技 推出嶄新電源架構GTLVR系列 CPU/GPU核心電壓調節耦合電感器，專(zhuān)屬高可靠度服務(wù)器／產(chǎn)業(yè)電腦／車(chē)載AI電腦應用。 高創(chuàng )科技

傳統大功耗CPU／GPU應用的服務(wù)器產(chǎn)品，其核心電壓VRM規格已經(jīng)來(lái)到VR14版，然而所定義的分立式電感（通常使用氣隙夾片式電感，或稱(chēng)為氣隙Bead Core電感，例如 : 高創(chuàng )科技 GTV系列）透過(guò)愈來(lái)愈高的工作頻率，搭配愈來(lái)愈低的感值，雖然帶來(lái)承載大功耗的能力，但其帶來(lái)越大的紋波電流及電感耦合系數下，需求愈來(lái)愈多的輸出電容，占用了更多的PCB空間，這些都是研發(fā)人員的苦惱，也是服務(wù)器機種效能及穩定性的諸多瓶頸。

IEEE APEC 2020會(huì )議上Google著(zhù)眼于此些問(wèn)題而提出嶄新TLVR耦合電感結構，透過(guò)1:1變壓器式的設計以及更簡(jiǎn)約的結構，解決分立式電感的缺點(diǎn)，同時(shí)間帶來(lái)更多效能及成本上的競爭力。

高創(chuàng )科技（GOTREND Technology）推出GTLVR966411PV& GTLVR126011PV系列TLVR架構的耦合電感器，具備更大的耐電流，更強固的本體以及優(yōu)異的EMI效果，可用低成本應用于需要強調可靠度的產(chǎn)品上，應用領(lǐng)域如產(chǎn)業(yè)電腦／5G****／服務(wù)器／車(chē)載AI電腦...等。

傳統VR架構多相（N Phase）電源使用的氣隙大電流分立式電感器（高創(chuàng )科技 GTV系列）多年來(lái)在高功耗的CPU／GPU服務(wù)器上扮演了很好的高轉換效率SMPS儲能放能穩壓的角色，透過(guò)多相電源架構（N Phase）分流，可以達到更大功率下的電流需求，但隨著(zhù)更新VRM版本的推出，電源相數持續增加，開(kāi)關(guān)切換頻率持續拉高，同時(shí)間必須使用更小感值的電感器來(lái)匹配儲能放能。

耦合電感器常應用于多相電源拓撲，充分利用其相間磁耦合電流紋波相抵消的技術(shù)優(yōu)勢。而通常使用普通分立式電感時(shí)，一般只在多相降壓轉換器輸出抵消電流紋波。當耦合電感器通過(guò)磁耦合時(shí)，電流紋波抵消作用到所有電路元件、MOSFET、電感線(xiàn)圈。最終所有相關(guān)操作僅影響到單相，從而減小電流紋波幅值，并達到頻率倍增的效果。

而減小電流波形的RMS可有助于提高電源轉換的效率，且可縮小磁性元件，并且在獲得較快的瞬態(tài)響應下，可進(jìn)而減少輸出電容需求，節約BOM Cost。

應用電路圖。高創(chuàng )科技

高創(chuàng )科技TLVR架構的耦合電感器特色與應用領(lǐng)域

特色為1: 1耦合電感器，超高工作頻率達5MHz以上。并且擁有超低直流阻抗 : DCR 0.125 & 0.33  ;  0.125 & 0.37mohm，超高飽和-溫升電流耐受：98A-75A ; 125A-77A。其氣隙特性本體強固，且有優(yōu)異體積面積占比 : 9x6x10mm ; 11x5x11mm。另外，有超低銅阻可直接引腳端子，配有5種感值，匹配PMIC設計。產(chǎn)品經(jīng)有害物質(zhì)檢測，符合RoHS Directive 2002 / 95 / EC。

可應用于PMIC多相電壓調節器、新架構電壓調節器模塊（TLVR）、電腦服務(wù)器 / 產(chǎn)業(yè)電腦級 VRM和EVRD、5G數據網(wǎng)絡(luò )和存儲系統、GPU圖形卡和BMS電池電源系統PMIC控制、POL負載點(diǎn)模塊和DCR感應電路。

高創(chuàng )科技創(chuàng )立于1999年，專(zhuān)業(yè)設計產(chǎn)銷(xiāo)磁性零組件23年，客戶(hù)遍布海內外5C產(chǎn)業(yè)，擁有IATF16949認證體系及AEC Q200品質(zhì)水準，優(yōu)異的QCDS值得信賴(lài)！更多詳細信息，請參閱官網(wǎng)或連聯(lián)絡(luò )GOTREND高創(chuàng )科技業(yè)務(wù)人員。