全球首發(fā) | 全新一代SiC晶體生長(cháng)熱場(chǎng)材料

隨著(zhù)導電型SiC襯底的逐漸量產(chǎn)，對工藝的穩定性、可重復性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制，爐內熱場(chǎng)微小的調整或漂移，都會(huì )帶來(lái)晶體的變化或缺陷的增加。后期，更要面臨“長(cháng)快、長(cháng)厚、長(cháng)大”的挑戰，除了理論和工程的提高外，還需要更先進(jìn)的熱場(chǎng)材料作為支撐。

因此，「用」先進(jìn)材料，「長(cháng)」先進(jìn)晶體勢在必行。

但是，熱場(chǎng)中坩堝的材料，石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等使用不當，會(huì )帶來(lái)碳包裹物增多等缺陷。另外在有些應用場(chǎng)合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開(kāi)孔來(lái)增加透氣率。再者，透氣率大的多孔石墨，面臨加工、掉粉、蝕刻等挑戰。

基于此，恒普科技全球首發(fā)全新一代SiC晶體生長(cháng)熱場(chǎng)材料——多孔碳化鉭。

據恒普科技透露，碳化鉭的強度和硬度都很高，做成多孔狀，更是挑戰。做成孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰。

恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化鉭，孔隙率最大可以做到75%，處于國際領(lǐng)先水平。

該多孔碳化鉭可應用在氣相組元過(guò)濾，調整局部溫度梯度，引導物質(zhì)流方向，控制泄露等環(huán)節。值得一提的是，多孔碳化鉭還可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導的構件。此外，部分構件可以重復使用，降低了耗材的使用成本。

▌技術(shù)參數

◎ 孔隙率  ≤75%  （國際領(lǐng)先）

◎ 形狀：片狀、筒狀 （國際領(lǐng)先）

◎ 孔隙度均勻