10億！長(cháng)光華芯子公司擬建先進(jìn)化合物半導體光電子平臺

來(lái)源：化合物半導體市場(chǎng)

據公告，項目計劃投資額10億元，計劃建設總建筑面積約46,293平方米的生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動(dòng)力站及配套設施，項目計劃2023年開(kāi)工，2025年建成投產(chǎn)，本項目預計年產(chǎn)值不低于6億元。

據悉，該項目將形成年產(chǎn)1億顆芯片、500萬(wàn)器件的能力，具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測器芯片的產(chǎn)線(xiàn)建設及器件封裝能力，具備其他高功率半導體激光器芯片等功率芯片研發(fā)、封測能力(包括6-8英寸器件封測生產(chǎn)線(xiàn)建設)。

長(cháng)光華芯成立于2012年3月，是半導體激光行業(yè)的垂直整合廠(chǎng)商，專(zhuān)注于半導體激光芯片、器件及模塊等的研發(fā)、制造及銷(xiāo)售，公司曾獲華為哈勃投資。

目前，與蘇州高新區政府共建了蘇州半導體激光創(chuàng )新研究院為平臺，現已形成由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構成的四大類(lèi)、多系列產(chǎn)品矩陣，主要產(chǎn)品包括高功率單管系列產(chǎn)品、高功率巴條系列產(chǎn)品、高效率VCSEL系列產(chǎn)品及光通信芯片系列產(chǎn)品等。

產(chǎn)能方面，目前長(cháng)光華芯擁有砷化鎵、磷化銦和氮化鎵三大材料體系，2英寸GaN激光器研發(fā)能力以及3英寸磷化銦和6英寸砷化鎵激光器的生產(chǎn)線(xiàn)。

今年8月，蘇州長(cháng)光華芯半導體研究院項目完工啟用。預計項目投用后，長(cháng)光華芯的高功率半導體激光芯片量產(chǎn)規模進(jìn)一步擴大，生產(chǎn)產(chǎn)能將提升5-10倍。

業(yè)績(jì)方面，2022年前三季度，公司實(shí)現營(yíng)業(yè)總收入3.17億元，同比下降0.35%；歸母凈利潤9487.81萬(wàn)元，同比增長(cháng)22.66。

值得注意的是，今年11月，蘇州半導體激光創(chuàng )新研究院與中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗室”在蘇州長(cháng)光華芯正式揭牌成立。

12月，長(cháng)光華芯順利通過(guò)IATF16949:2016質(zhì)量管理體系認證，為公司擴展汽車(chē)激光雷達市場(chǎng)奠定了基礎。（文：化合物半導體市場(chǎng) Doris整理）