Ameya360：羅姆入局氧化鎵

據報道，2022年5月，Novell Crystal Technology以ROHM為承銷(xiāo)商進(jìn)行了第五次第三方配售。Novell Crystal Technology將通過(guò)此次增資獲得的資金以及與ROHM的合作，加速β型氧化鎵（β-Ga2O3）外延片的商業(yè)化。

　　Novell Crystal Technology基于由 Tamura Corporation、國立信息通信技術(shù)研究所 (NICT) 和東京農業(yè)科技大學(xué)領(lǐng)導的研究小組開(kāi)展的氧化鎵開(kāi)發(fā)成果，開(kāi)發(fā)和制造Ga2O3外延片。

　　2022年3月，該公司表示，其開(kāi)發(fā)的第三代氧化鎵100mm外延片能將致命缺陷減少到傳統的1/10，并使用“HVPE（鹵化物氣相沉積）方法”在6英寸晶圓上移動(dòng)。我們有取得了具體成果，例如宣布我們已成功形成氧化鎵膜。

　　同時(shí)，為了加速新的商業(yè)模式，羅姆于 2021 年 7 月啟動(dòng)了針對初創(chuàng )公司的企業(yè)風(fēng)險投資 (CVC) 活動(dòng)。對 Novell Crystal Technology 的投資就是其中的一部分。

　　功率半導體預測，氧化鎵前景可期

　　2021年6月，富士經(jīng)濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導體等下一代功率半導體的全球市場(chǎng)進(jìn)行了調查。功率半導體市場(chǎng)預計到 2030 年將達到 40471 億日元，而 2020 年為 28043 億日元。

　　該調查針對使用SiC、GaN（氮化鎵）、Ga2O3（氧化鎵）和 Si 功率半導體（例如 MOSFET 和 IGBT）的下一代功率半導體。我們還調查了與功率半導體相關(guān)的組件和制造設備市場(chǎng)。調查時(shí)間為2020年11月至2021年2月。

　　2020年，Si功率半導體將占功率半導體市場(chǎng)的大部分，達27529億日元。Si功率半導體在中國市場(chǎng)擴大，但在其他地區，汽車(chē)和工業(yè)設備的銷(xiāo)售額下降，與2019年相比下降了4.0%。從 2021 年開(kāi)始，汽車(chē)和 5G（第 5 代移動(dòng)通信）相關(guān)產(chǎn)品的需求有望增加，預計 2030 年將達到 37,981 億日元。

　　預計到 2030 年，下一代功率半導體市場(chǎng)將達到 2490 億日元，而 2020 年為 514 億日元。雖然市場(chǎng)規模仍然較小，但預計2021年后年增長(cháng)率仍將接近20%。

　　Fuji Keizai將SiC 功率半導體、GaN 功率半導體和Ga2O3功率半導體列為未來(lái)功率半導體市場(chǎng)感興趣的產(chǎn)品。

　　SiC 功率半導體用于 SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-FET 和 SiC 功率模塊。盡管 2020 年受到新型冠狀病毒感染的影響，但由于對信息和通信設備和太陽(yáng)能發(fā)電的強勁需求，市場(chǎng)規模同比增長(cháng) 9.6% 至 493 億日元。未來(lái)，汽車(chē)、鐵路車(chē)輛、能源設備、工業(yè)設備等的采用將增加，預計到2030年將達到1859億日元。

　　GaN 功率半導體市場(chǎng)預計到 2030 年為 166 億日元，而 2020 年為 22 億日元。數據中心和5G****投資將繼續增加，信息通信設備領(lǐng)域有望保持堅挺。預計在2022年后安裝在xEV等汽車(chē)上。

　　Ga2O3功率半導體的市場(chǎng)仍然很小，但預計到2021年開(kāi)始量產(chǎn)時(shí)市場(chǎng)將達到2億日元。與SiC功率半導體和GaN功率半導體相比，具有高耐壓、低損耗等特點(diǎn)，可以降低成本。首先，它將用于消費設備和其他耐壓為600V的應用，預計2025年后將安裝在汽車(chē)上。2030年市場(chǎng)規模預計為465億日元。

　　此外，預計到 2030 年功率半導體相關(guān)組件市場(chǎng)為 3752 億日元，而 2020 年為 2068 億日元。2030年制造設備市場(chǎng)預計為3144億日元，2020年為1449億日元。中國和臺灣市場(chǎng)計劃大力資本投資，預計2021年后需求將主要在亞洲增長(cháng)。

　　第三代半導體高速成長(cháng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

　　研調機構TrendForce調查指出，受惠車(chē)用、工業(yè)與通訊需求挹注，今年第三代半導體成長(cháng)動(dòng)能可望高速回升，又以GaN功率元件成長(cháng)力道最明顯，預估其今年市場(chǎng)規模將達6100萬(wàn)美元，年增幅高達90.6%。

　　2018 至2020 年，第三代半導體產(chǎn)業(yè)陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響，整體市場(chǎng)成長(cháng)動(dòng)力不足。不過(guò)，TrendForce 預期，首先，疫苗問(wèn)世后疫情有所趨緩，將帶動(dòng)工業(yè)能源轉換所需零組件如逆變器、變頻器等，及通訊基地臺需求回穩；其次，隨著(zhù)特斯拉Model 3 電動(dòng)車(chē)逆變器逐漸改采SiC 元件制程后，第三代半導體于車(chē)用市場(chǎng)逐漸備受重視。

　　第三，中國政府為提升半導體自主化，今年提出十四五計畫(huà)，投入巨額人民幣擴大產(chǎn)能，三大因素都將成為推升今年GaN及SiC等第三代半導體高速成長(cháng)的動(dòng)能。

　　觀(guān)察各類(lèi)第三代半導體元件，GaN元件目前雖有部分晶圓制造代工廠(chǎng)如臺積電、世界先進(jìn)等，嘗試導入8吋晶圓生產(chǎn)，但目前主力仍以6吋為主。

　　TrendForce預估，因疫情趨緩，所帶動(dòng)的5G基地臺射頻前端、手機充電器及車(chē)用能源傳輸等需求逐步提升，預期今年GaN通訊及功率元件營(yíng)收分別達6.8億和6100萬(wàn)美元，年增30.8%及90.6%。

　　其中，GaN 功率元件成長(cháng)主要動(dòng)能來(lái)自手機品牌如小米、OPPO、Vivo 率先推出快充，筆電廠(chǎng)商也有意跟進(jìn)。TrendForce 預期，GaN 元件將持續滲透至手機與筆電配件，且年增率將在2022 年達到最高峰，后續隨著(zhù)廠(chǎng)商采用逐漸普及，成長(cháng)動(dòng)能將略為趨緩。

　　SiC元件部分，由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該基板，6吋晶圓供應吃緊，預估今年SiC元件于功率領(lǐng)域營(yíng)收可達6.8億美元，年增32%。目前各大基板商如CREE、II-VI、意法半導體等已陸續開(kāi)展8吋基板研制計畫(huà)，但仍有待2022年后，才有望逐漸紓緩供給困境。