IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開(kāi)發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內存程序進(jìn)行驗證。海力士的 DRAM 開(kāi)發(fā)主管 Jonghwan Kim 說(shuō)，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對
隨著(zhù)高性能半導體需求的不斷增加，半導體市場(chǎng)越來(lái)越意識到“封裝工藝”的重要性。 順應發(fā)展潮流，SK海力士為了量產(chǎn)基于HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）的先進(jìn)封裝產(chǎn)品和開(kāi)發(fā)下一代封裝技術(shù)，盡力確保生產(chǎn)線(xiàn)投資與資源。一些曾經(jīng)專(zhuān)注于半導體存儲器制造技術(shù)的企業(yè)也紛紛布局封裝技術(shù)領(lǐng)域，其投資力度甚至超過(guò)專(zhuān)攻此類(lèi)技術(shù)的OSAT1（外包半導體組裝和測試）公司。這是因為，越來(lái)越多的企業(yè)深信封裝技術(shù)將會(huì )成為半導體行業(yè)及企業(yè)未來(lái)的核心競爭力。隨著(zhù)高性能半導體需求的不斷增加，半導體市場(chǎng)越來(lái)越意識到