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先進(jìn)碳化硅技術(shù),有效助力儲能系統

- 人們普遍認識到,碳化硅(SiC)現在作為一種成熟的技術(shù),在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè),覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅(Si)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的應用具有更多優(yōu)勢,包括更高的開(kāi)關(guān)頻率,更低的工作溫度,更高的電流和電壓容量,以及更低的損耗,進(jìn)而可以實(shí)現更高的功率密度,可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件,熱管理和電源組件現在尺寸更小,重量更輕,成本更低,從而降低了總 BOM 成本,同時(shí)也實(shí)現了更小的占用空間。SiC 已經(jīng)是一種成熟的技術(shù),并成
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AMP 創(chuàng )新型電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案:采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件

- 2022年11月14日,美國北卡羅來(lái)納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,電動(dòng)交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動(dòng)交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過(guò)采用 Wolfspeed 創(chuàng )新型碳化硅技術(shù),將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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捷豹路虎與 Wolfspeed 合作,為下一代電動(dòng)汽車(chē)引入碳化硅半導體技術(shù)

- · 在“重塑未來(lái)”戰略指引下,捷豹路虎正在向電動(dòng)化優(yōu)先轉型,全力開(kāi)啟未來(lái)出行之路,在 2039 年實(shí)現凈零碳排放· 與 Wolfspeed 的戰略合作將確保碳化硅(SiC)半導體技術(shù)的供應,并成為下一代路虎?攬勝、路虎?發(fā)現、路虎?衛士、捷豹汽車(chē)電動(dòng)化的重要組成部分· &
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素

- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比,GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙,達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿,達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率,這意味著(zhù)與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比,GaN RF 高電子遷移率晶體管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇,在所有 RF 細分市場(chǎng)中獲得應用。其中許多應用需要很長(cháng)的使用壽
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Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠(chǎng)

- -? ?Wolfspeed 計劃提升材料產(chǎn)能超10倍-? ?碳化硅材料制造工廠(chǎng)將位于北卡羅來(lái)納州查塔姆縣(Chatham County),戰略毗鄰現有的達勒姆(Durham)材料工廠(chǎng)-? ?公司將與北卡羅來(lái)納農業(yè)與理工州立大學(xué)(NC A&T)拓展合作,培養新一代碳化硅人才全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,將投入數十億美元在北卡羅來(lái)納州查塔姆縣(Chatham County
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英飛凌以 8.5 億美元現金收購 Wolfspeed
- 英飛凌科技(Infineon)與Cree公司宣布英飛凌已簽訂最終協(xié)議,將收購 Cree 旗下的 Wolfspeed 功率與射頻部門(mén) (“Wolfspeed”),此收購包括功率與射頻功率的 SiC 晶圓基板事業(yè)。此全額現金支付的交易的收購金額為 8.5 億美元 (約 7.4 億歐元)。此收購讓英飛凌能夠提供最廣泛的復合半導體產(chǎn)品,并進(jìn)一步強化英飛凌在電動(dòng)交通、再生能源及與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)的次世代行動(dòng)通訊基礎設施等高成長(cháng)市場(chǎng)上作為功率和射頻 (RF) 功率解決方案供應商的領(lǐng)導地
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更小、更快、更酷、更高效,900V SiC MOSFET在PFC中的應用

- Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET,這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場(chǎng)通過(guò)擴大我們在終端系統解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開(kāi)關(guān)速率和更低的開(kāi)關(guān)損耗,從而為電力電子工程師們提供了設計出更小,更快,更酷,更高效的電源解決方案可能。 新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴大了產(chǎn)品應用空間,能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領(lǐng)域,更高的直流母線(xiàn)電壓可以覆蓋
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