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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

  •   日前,Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的開(kāi)關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,柵極電荷為34nC。   SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性,從而能夠更好地抵御EMI,實(shí)現更高的效率,同時(shí)避免出現導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。   Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級,在10V柵極驅動(dòng)下的最大導通電
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Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件

  •   日前,Vishay宣布,推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP®電感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形,具有高最高頻率、高達92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標準感值。   新款I(lǐng)HLP-6767DZ-01的頻率范圍達2MHz,是終端產(chǎn)品中電壓調節模塊(VRM)和DC-DC應用的高效能、節省空間和低功耗的解決方案,這些應用領(lǐng)域包括下一代移動(dòng)設備、桌面電腦、服務(wù)器、圖形卡和汽車(chē)電子系統,低外形、
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Vishay發(fā)布新款集成功率光敏

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新的集成功率光敏,分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A,擴充了其光電產(chǎn)品組合。這些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和電源TRIAC兩個(gè)器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC,這些器件可節省電路板空間和降低成本。這些光耦產(chǎn)品采用8引腳的DIP封裝,可保護人體免受電擊,在家電和很多其他系統中,可對低壓控制電路與高壓電源進(jìn)行光電隔離,避免出現過(guò)流情況。   VO2223和VO2223A的
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Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內領(lǐng)先的標準,如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創(chuàng )新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示,是很多關(guān)鍵應用的理想選擇,也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線(xiàn)組合的典型代表產(chǎn)品。   2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是: 597D和T97多模鉭電容:對于+28V應
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Vishay推出保護USB-OTG端口的新款ESD保護陣列

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護陣列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08,可保護USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作電壓范圍內可提供3路USB ESD保護,在12V工作電壓范圍內提供1路VBUS保護。   VBUS053BZ-HNH-G-08采用無(wú)鉛的LLP1713-9M,封裝,具有0.6mm的超低外形,可在高速數據應用中減少有源ESD保護所需的電路板
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Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩壓器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉換器解決方案,具有先進(jìn)的控制器IC和柵極驅動(dòng)器、兩個(gè)針對PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨立降壓穩壓器配置中的自啟動(dòng)開(kāi)關(guān),采用節省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。   microBUCK系列的產(chǎn)品綜合了Vishay獨特的分立MOSFET設計、IC專(zhuān)長(cháng)和封裝工藝,為客戶(hù)提供了具有成本效
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Vishay發(fā)布基于光敏二極管的環(huán)境光傳感器的視頻演示

  •   日前,Vishay宣布,為幫助客戶(hù)了解在應用中使用環(huán)境光傳感器的益處,Vishay公司將在官方網(wǎng)站上發(fā)布其光電產(chǎn)品組的視頻產(chǎn)品演示。   Vishay的環(huán)境光傳感器采用獨家的紅外濾波環(huán)氧樹(shù)脂技術(shù),能夠使感光光譜匹配人眼的敏感度特性,而對非可見(jiàn)光的敏感度則很小。這種特性可避免自然光、白熾燈和鹵素燈泡等人工照明中紅外成分對傳感器的干擾。這段5分鐘的新視頻演示了亮度測試,顯示出Vishay的TEMT6200FX01在性能上優(yōu)于競爭產(chǎn)品和標準的硅光敏晶體管。   這段演示表明,在不同的光源下,其他技術(shù)
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Vishay Siliconix 推出符合DrMOS規定的新款器件

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內,該器件集成了對PWM信號優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅動(dòng)IC,以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規定的服務(wù)器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統中電壓調節器(VR)標準。該器件的工作頻率超過(guò)1MHz,效率高達92%。   SiC7
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Vishay推出6款新型整流器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出6款單芯片和雙芯片80-V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些整流器采用4種功率封裝,具有10A~30A的電流額定范圍。   今天發(fā)布的器件包括單芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及雙芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
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Vishay推出用于LED照明的表面貼裝白光LED器件

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用兩種分裝版本的新款表面貼裝白光LED --- VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。為了與類(lèi)似器件保持大范圍的引腳兼容,VLMW321xx LED提供了3個(gè)陽(yáng)極和1個(gè)陰極,VLMW322xx LED提供了3個(gè)陰極和1個(gè)陽(yáng)極。   今天發(fā)布的這些器件采用PLCC-4封裝,優(yōu)化的引線(xiàn)框使熱阻降低至300K/W,功率耗散高達200mW,從而使器件能夠使用高達50mA的驅動(dòng)電流,使亮度
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Vishay推出新TANTAMOUNT低ESR固鉭貼片電容器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出內置熔絲的新系列TANTAMOUNT®低ESR固鉭貼片電容器 --- TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸,可在以安全為首要考慮的應用中為短路故障提供非常高級別的保護。   TF3系列器件具有一個(gè)內部的電子式熔斷裝置,在+25℃、最小5A電流條件下,熔斷裝置可以0.1秒的時(shí)間內起作用。在因電流過(guò)大引發(fā)故障的情況下,可以防止對電路元器件造成損傷。   這些電容器在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25&
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Vishay推出4款MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay推出ESD級別高達2kV的車(chē)用精密薄膜電阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通過(guò)AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的新款PAT系列精密車(chē)用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃,經(jīng)過(guò)激光微調后的容差低至±0.1%,可滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對溫度、濕度提出的新需求,同時(shí)具有可靠的可重復性和穩定的性能。   由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜,使PAT電阻實(shí)現了穩定的薄膜,在+70℃下經(jīng)過(guò)10,000小時(shí)后的性能特性為1000ppm。器件針對混合動(dòng)力/電控
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Vishay的接線(xiàn)柱功率鋁電容器新增三種外形尺寸

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其101/102 PHR-ST螺旋式接線(xiàn)柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸,接線(xiàn)柱的長(cháng)度為13mm。   101/102 PHR-ST 器件現在共有從35mmx 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸,圓柱形的鋁外殼與圓盤(pán)里的藍色套筒和減壓裝置保持絕緣。新的外形尺寸使器件實(shí)現了從1F、25V至10,000F、45
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Vishay推出TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。   今天發(fā)布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210,以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。   由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優(yōu)異的雪崩容量
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vishay介紹

威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過(guò)科技創(chuàng )新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國家,其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠(chǎng)分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]

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