EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
rf-cmos
rf-cmos 文章 進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區
干貨分享：工程師教你如何設計D類(lèi)放大器
- D類(lèi)放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來(lái)。那么，什么是D類(lèi)放大器?它們與其它類(lèi)型的放大器相比如何? 為什么D類(lèi)放大器對于音頻應用很有意義?設計一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類(lèi)音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題?！ ∫纛l放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內具有良好的頻率響應(當驅動(dòng)頻帶有限的揚聲器時(shí)頻率
- 關(guān)鍵字： D類(lèi)放大器 CMOS
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現有CMOS標準技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據HPC Wire網(wǎng)站報導，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
選擇RF和微波濾波器的八個(gè)竅門(mén)
- 在不了解會(huì )受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發(fā)現，當需要給無(wú)線(xiàn)器件確定濾波器參數時(shí)，急需復習射頻基礎知識。如果沒(méi)有考慮濾波器類(lèi)型和最低技術(shù)規格要求方面的基本要素，可能導致產(chǎn)品不能通過(guò)“測試”，結果產(chǎn)品又得重新開(kāi)始設計，導致代價(jià)昂貴的生產(chǎn)推遲。另一方面，懂得如何準確確定濾波器參數，將有助于使生產(chǎn)出的產(chǎn)品滿(mǎn)足客戶(hù)的生產(chǎn)標準和功能。事實(shí)上，這種知識有助于在提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的成功機會(huì )的同時(shí)，控制生產(chǎn)費用?！ 幕A開(kāi)始 在當今無(wú)線(xiàn)領(lǐng)域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關(guān)注濾波器的性能。如
- 關(guān)鍵字： RF 微波濾波器
使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！ ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
降低RF電路寄生信號的八個(gè)設計規則
- RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng )造性。記住以下這八條規則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，而且還可提高工作日程的可預見(jiàn)性。 規則1：接地通孔應位于接地參考層開(kāi)關(guān)處 流經(jīng)所布線(xiàn)路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過(guò)回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號線(xiàn)路并行布置的接地。在參考層繼續時(shí)，所有耦合都僅限于傳輸線(xiàn)路，一切都非常正常。不過(guò)，如果信號線(xiàn)路從頂層切換至內部或底層時(shí)，回流也必須獲得路徑。 圖1就是一個(gè)實(shí)例。頂層信號線(xiàn)路電流下面緊挨著(zhù)就是回流。當它轉移到底層時(shí)，回
- 關(guān)鍵字： RF 寄生信號
歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬(wàn)美元的計劃重點(diǎn)是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統。 除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
安森美半導體推出先進(jìn)的1300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結合高性能的SuperPD?相位檢測自動(dòng)對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過(guò)采用其片上PDAF處理，大大簡(jiǎn)化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場(chǎng)上其它
- 關(guān)鍵字： 安森美 CMOS
改善RF信號質(zhì)量的電源線(xiàn)噪聲對策
- 本文以改善RF的信號質(zhì)量(頻帶外的不必要輻射)為目的，介紹使用了片狀鐵氧體磁珠和片狀電感器的移動(dòng)終端的PA電源線(xiàn)的噪聲對策方法?！ ∫灾悄苁謾C為首的移動(dòng)無(wú)線(xiàn)終端的Power Amplifier (PA)中，為了抑制不必要的輻射(頻帶外的&雜散發(fā)射)，尋求改善PA的電源質(zhì)量(PI: 電源完整性)的例子很多。在無(wú)線(xiàn)通信中，以國際標準(ITU)為首，3GPP(無(wú)線(xiàn)通信標準機構)，以及各運營(yíng)商都對不必要的輻射的范圍值設定了嚴格的標準。因此，我們有必要通過(guò)PA的電源線(xiàn)的噪聲
- 關(guān)鍵字： RF 噪聲
摩爾定律邁入“后CMOS”時(shí)代
- 在英特爾(Intel)負責晶圓廠(chǎng)業(yè)務(wù)的最高長(cháng)官表示，摩爾定律(Moore’s Law)有很長(cháng)的壽命，但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。 “如 果我們能專(zhuān)注于降低每電晶體成本，摩爾定律的經(jīng)濟學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt，在近日于美國舊金山舉行的年度固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)上對近3,000名與會(huì )者表示：“而超越CMOS，我們將看
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 CMOS
歷時(shí)兩年,清芯華創(chuàng )完成對OmniVision收購
- 美國 CMOS 圖像感測器大廠(chǎng)豪威(OmniVision)28 日宣布與中國清芯華創(chuàng )為首的投資基金完成收購，從清芯華創(chuàng )等提出收購邀約到完成并購歷時(shí)長(cháng)達兩年，而在消息公布同時(shí)，豪威也于 28 日暫停在那斯達克證券市場(chǎng)的交易。 豪威 28 日宣布，與中國清芯華創(chuàng )、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購，豪威以每股 29.75 美元、總計 19 億美元代價(jià)授予中國該基金，并于 28 日起于那斯達克證券市場(chǎng)暫停交易。據悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來(lái)自清
- 關(guān)鍵字： OmniVision CMOS
rf-cmos介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條rf-cmos!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
rf-cmos電路
rf-cmos相關(guān)帖子
rf-cmos資料下載
rf-cmos專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473