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淺談集成電路對EMI設計的影響

　　電磁兼容設計通常要運用各項控制技術(shù)，一般來(lái)說(shuō)，越接近EMI源，實(shí)現EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來(lái)源，因此，如果能夠深入了解集成電路芯片的內部特征，可以簡(jiǎn)化PCB和系統級設計中的EMI控制。　　在考慮EMI控制時(shí)，設計工程師及PCB板級設計工程師首先應該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類(lèi)型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著(zhù)重探討IC對EMI控制的影響。　　集成電路EMl來(lái)源　　PC
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EMI/EMC設計PCB被動(dòng)組件的隱藏行為和特性解析

傳統上，EMC一直被視為“黑色魔術(shù)(black magic)”。其實(shí)，EMC是可以藉由數學(xué)公式來(lái)理解的。不過(guò)，縱使有數學(xué)分析方法可以利用，但那些數學(xué)方程式對實(shí)際的EMC電路設計而言，仍然太過(guò)復雜了。幸運的是，在大多數的實(shí)務(wù)工作中，工程師并不需要完全理解那些復雜的數學(xué)公式和存在于EMC規范中的學(xué)理依據，只要藉由簡(jiǎn)單的數學(xué)模型，就能夠明白要如何達到EMC的要求。　　本文藉由簡(jiǎn)單的數學(xué)公式和電磁理
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有效解決手機EMI及ESD干擾的新型濾波器設計

　　目前對于許多流行的手機(尤其是翻蓋型手機)而言，手機的彩色LCD、OLED顯示屏或相機模塊CMOS傳感器等部件，都是通過(guò)柔性電路或長(cháng)走線(xiàn)PCB與基帶控制器相連的，這些連接線(xiàn)會(huì )受到由天線(xiàn)輻射出的寄生GSM/CDMA頻率的干擾。同時(shí)，由于高分辨率CMOS傳感器和TFT模塊的引入，數字信號要在更高的頻率上工作，這些連接線(xiàn)會(huì )像天線(xiàn)一樣產(chǎn)生EMI干擾或可能造成ESD危險事件。　　上述這種EMI及ESD干擾均會(huì )破壞視頻信號的完整性，甚至損壞基帶控制器電路。受緊湊設計趨勢的推動(dòng)，考慮到電路板空間、手機工作頻率上
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利用雙絞線(xiàn)與低通濾波器抑制RFI和EMI有效方案

　　引言　　“The Twist”指雙絞線(xiàn)，Alexander Graham Bell于1881年申請該項專(zhuān)利。而該項技術(shù)一直沿用到今天，原因是它提供了諸多便利。此外，隨著(zhù)現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)器件處理能力的逐漸強大，結合電路仿真及濾波器設計軟件，使得雙絞線(xiàn)在數據通信領(lǐng)域的應用也越來(lái)越普遍。　　FPGA為設計工程師提供了強大、靈活的控制能力，特別是那些無(wú)法獲取專(zhuān)用集成電路(ASIC)的小批量設計項目，可以利用FPGA實(shí)現設計;許多大批量生產(chǎn)的產(chǎn)品，在項目設計初期也利用
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基于示波器的EMI調試

　　過(guò)去，示波器很難用于EMI調試，因為它沒(méi)有捕獲EMI輻射信號所需要的靈敏度，FFT頻譜分析功能也不夠強大，而且使用起來(lái)很復雜。　　　　圖1：R RTO數字示波器——低噪聲前端和高級FFT分析能力使它成為強大的EMI調試工具　　R&S公司的RTO數字示波器的出現，使情況完全改觀(guān)。它在4GHz范圍內都具有1mV/div靈敏度，有非常低的固有噪聲，這使它成為使用近場(chǎng)探頭捕獲和分析EMI輻射的理想工具?；贓MC一致性測試結果，該示波器成為極為理
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一種新型應對汽車(chē)EMI問(wèn)題解決方案

　　印刷電路板布局決定著(zhù)所有電源的成敗，決定著(zhù)功能、電磁干擾(EMI)和受熱時(shí)的表現。開(kāi)關(guān)電源布局不是魔術(shù)，并不難，只不過(guò)在最初設計階段，可能常常被忽視。然而，因為功能和EMI要求都要必須滿(mǎn)足，所以對電源功能穩定性有益的安排也常常有利于降低EMI輻射，那么晚做不如早做。還應該提到的是，從一開(kāi)始就設計一個(gè)良好的布局不會(huì )增加任何費用，實(shí)際上還可以節省費用，因為無(wú)需EMI濾波器、機械屏蔽、花時(shí)間進(jìn)行EMI測試和修改PC板。　　此外，當為了實(shí)現均流和更大的輸出功率而并聯(lián)多個(gè)DC/DC開(kāi)關(guān)模式穩壓器時(shí)，潛在的
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IC芯片對EMI設計的影響

　　電磁兼容設計通常要運用各項控制技術(shù)，一般來(lái)說(shuō)，越接近EMI源，實(shí)現EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來(lái)源，因此，如果能夠深入了解集成電路芯片的內部特征，可以簡(jiǎn)化PCB和系統級設計中的EMI控制。　　在考慮EMI控制時(shí)，設計工程師及PCB板級設計工程師首先應該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類(lèi)型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著(zhù)重探討IC對EMI控制的影響。　　集成電路EMI來(lái)源　　PCB中集
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如何解決多層PCB設計時(shí)的EMI

　　解決EMI問(wèn)題的辦法很多，現代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設計等。本文從最基本的PCB布板出發(fā)，討論PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設計技巧。　　電源匯流排　　在 IC的電源引腳附近合理地安置適當容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來(lái)得更快。然而，問(wèn)題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應的特性，這使得電容無(wú)法在全頻帶上生成干凈地驅動(dòng)IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會(huì )形成電壓降，這些瞬態(tài)
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如何管理高速數字接口的EMI

　　當今高速數字接口使用的數據傳輸速率超過(guò)許多移動(dòng)通信設備(如智能手機和平板電腦)的工作頻率。需要對接口進(jìn)行精心設計，以管理接口產(chǎn)生的本地電磁輻射，避免接口信號受其他本地射頻的干擾。本文探討了管控高速數字接口EMI的若干最重要技術(shù)，說(shuō)明了它們是如何有助于解決EMI問(wèn)題的。　　小尺寸且低成本的高速串行(HSS)接口對那些必須要體積小、功耗低、重量輕的移動(dòng)設備尤為可貴。當移動(dòng)設備必須與遠程網(wǎng)絡(luò )通信時(shí)，會(huì )發(fā)生電磁干擾(EMI)，因為現代HSS接口使用的數據速率往往高于移動(dòng)設備所使用的無(wú)線(xiàn)通信頻率。　　
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電源技巧：一個(gè)小小的疏忽就會(huì )毀掉EMI性能

　　在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。　　從開(kāi)關(guān)節點(diǎn)到輸入引線(xiàn)的少量寄生電容(100 毫微微法拉)會(huì )讓您無(wú)法滿(mǎn)足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會(huì )因寄生問(wèn)題而提供寬泛的容差。　　不過(guò)，在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。　　圖1是這些非計劃中電容的一個(gè)實(shí)例。圖中的右側是一個(gè)垂直安裝
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EMI和EMC電路中磁珠和電感起到的不同作用

　　磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來(lái)看看磁珠和電感的區別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多用于信號回路，用于EMC對策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側重于抑制傳導性干擾。磁珠是用來(lái)吸收超高頻信號，象一些RF電路，PLL,振蕩電路，含超高頻存儲器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠，兩者都可用于處理EMC、EMI問(wèn)題。　　磁珠和電感在EMI和EMC電路中關(guān)鍵是是對高頻傳導干擾信號進(jìn)行抑制，也有抑制
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TE Connectivity針對物聯(lián)網(wǎng)、智能手機和可穿戴設備推出三款細間距板對板連接器

　　全球連接領(lǐng)域的領(lǐng)導者TE Connectivity (TE) 今天宣布新推出三款板對板(BTB) 連接器，包括0.4毫米細間距EMI(電磁干擾)屏蔽板對FPC(柔性印刷電路)連接器、0.4毫米間距板對板連接器和帶有鎖緊固定栓的0.35毫米間距板對板連接器，進(jìn)一步擴展了面向物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能手機、可穿戴設備和其他移動(dòng)設備的板對板產(chǎn)品組合。這三款產(chǎn)品旨在滿(mǎn)足智能手機制造商對于超薄、超小型BTB解決方案的需求。　　TE數據與終端設備事業(yè)部?jì)炔窟B接副總裁Eric Himelright表示：&ldquo
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冷知識:慢恢復管在開(kāi)關(guān)電源中的妙用

　　由于開(kāi)關(guān)電源始終處在打開(kāi)和關(guān)閉的循環(huán)，這就要求開(kāi)關(guān)電源中的器件有較高的強度和較短的反應時(shí)間。通常來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)電源的工作效率在幾十Khz到上百Khz之間。為了能夠滿(mǎn)足頻繁的開(kāi)關(guān)模式，開(kāi)關(guān)電源當中的整流管對Trr時(shí)間有嚴格的要求，理論上，不能使用一般的二極管，而是要使用超快恢復的肖特基二極管。　　如果是這樣的話(huà)，慢恢復的二極管就不能使用在開(kāi)關(guān)電源當中了嗎?事實(shí)上，開(kāi)關(guān)電源中合理的使用慢恢復二極管將會(huì )得到意外的驚喜。下面將以?xún)蓚€(gè)實(shí)例的分析來(lái)說(shuō)明。　　下面就和網(wǎng)友分享一下兩個(gè)工作中的實(shí)例：　　案例一
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Vitesse使業(yè)界為小型化物聯(lián)網(wǎng)（IoT）聯(lián)網(wǎng)做好準備

　　在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)廣泛普及的推動(dòng)下，預計全球聯(lián)網(wǎng)設備的數量將呈指數級增長(cháng)。數據量的增加也在加大整個(gè)網(wǎng)絡(luò )的功耗，促使政府出臺提升消費電子產(chǎn)品、服務(wù)器和數據中心能效的強制規定。同時(shí)，執行關(guān)鍵任務(wù)的IoT應用需要冗余度與預估潛在停機時(shí)間的能力。　　為了促進(jìn)業(yè)界對這些急迫需求加以響應，在電信網(wǎng)、企業(yè)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)網(wǎng)絡(luò )中推進(jìn)“以太網(wǎng)無(wú)處不在”策略的領(lǐng)先芯片解決方案供應商Vitesse Semiconductor公司日前宣布：推出兩款雙端口千兆以太網(wǎng)(GE)PHY參考設計，它們皆
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開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性技術(shù)

　　1 引言　　電磁兼容是一門(mén)新興的跨學(xué)科的綜合性應用學(xué)科。作為邊緣技術(shù)，它以電氣和無(wú)線(xiàn)電技術(shù)的基本理論為基礎，并涉及許多新的技術(shù)領(lǐng)域，如微波技術(shù)、微電子技術(shù)、計算機技術(shù)、通信和網(wǎng)絡(luò )技術(shù)以及新材料等。電磁兼容技術(shù)應用的范圍很廣，幾乎所有現代化工業(yè)領(lǐng)域，如電力、通信、交通、航天、軍工、計算機和醫療等都必須解決電磁兼容問(wèn)題。其研究的熱點(diǎn)內容主要有：電磁干擾源的特性及其傳輸特性、電磁干擾的危害效應、電磁干擾的抑制技術(shù)、電磁頻譜的利用和管理、電磁兼容性標準與規范、電磁兼容性的測量與試驗技術(shù)、電磁泄漏與靜電放電
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