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一季度全球寬帶用戶(hù)增加1600萬(wàn)

  • 據行業(yè)分析機構 Point Topic為寬帶論壇發(fā)布的數據顯示,2012年第一季度,??全球寬帶用戶(hù)數量增長(cháng)1610萬(wàn),總線(xiàn)路超過(guò)6億。這一數字較上一季度環(huán)比上升2.7%,較去年同比增長(cháng)11.5%。這一統計數據表明用戶(hù)增長(cháng)速度在加快——在過(guò)去18個(gè)月中,新增用戶(hù)總數超過(guò)1億。 按地區劃分,中國(4.4%)、俄羅斯(3.9%)和巴西(3.6%)一季度的增長(cháng)最為強勁,其中中國仍然是世界上最大的寬帶市場(chǎng),寬帶用戶(hù)總數高達1.379億。就寬帶接入技術(shù)而言,光纖接入增長(cháng)勢頭最猛,一季度上升
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新型集成電路簡(jiǎn)化嵌入式POL DC/DC轉換器設計

  • 新型集成電路簡(jiǎn)化嵌入式POL DC/DC轉換器設計,LTC3770 工作細節在一般工作情況下,高端的 MOSFET 按照由單次計時(shí)器決定的固定時(shí)間間隔接通。當高端的 MOSFET斷開(kāi)時(shí),低端的 MOSFET 接通,直到電流比較器 ICMP 跳變?yōu)橹?,然后再重新啟?dòng)單次計時(shí)器并啟動(dòng)下一個(gè)周期
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POL電源設計的優(yōu)化原則

  • 1 引言  當我們?yōu)門(mén)I的DaVinci數字信號處理器 (DSP)進(jìn)行POL電源解決方案設計時(shí),對基本電源技術(shù)的充分了解 ...
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負載點(diǎn)(POL)電源設計技術(shù)和參考設計

  • 處理器技術(shù)的發(fā)展  由于更高的集成度、更快的處理器運行速度以及更小的特征尺寸,內核及I/O電壓的負載點(diǎn)(P ...
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POL 電源設計技術(shù)和參考設計

  • 處理器技術(shù)的發(fā)展
    由于更高的集成度、更快的處理器運行速度以及更小的特征尺寸,內核及I/O電壓的負載點(diǎn)(POL)處理器電源設計變得越來(lái)越具挑戰性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須和POL電源設計技術(shù)相匹配。5年或10年以前使用的
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升特的超小型500mA雙POL穩壓器是LDO的更高效率替代品

  •   在模擬和混合信號半導體領(lǐng)域領(lǐng)先的供應商升特公司(Semtech)今天宣布了其buck控制器平臺上的最新器件。新型SC197是一只500mA、雙輸出的負載點(diǎn)(POL)穩壓器,它在一個(gè)超小超薄的2 x 3 x 0.6mm封裝中包含了兩個(gè)PWM調制DC-DC穩壓器,整個(gè)設計解決方案的占位面積只有80mm2。SC197的小型體積與面積都能幫助設計者比使用兩只單通道開(kāi)關(guān)管的方案大大節省電路板空間,電源效率可高達94%,因而是LDO的更高效率替代品。SC197最適合用于便攜設備中的電源管理應用,以及多電壓軌的低壓
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單相PoL變換器的數字控制

  • 數字電源控制有時(shí)稱(chēng)為傳統模擬控制電源的管理和監控,其定義與數字域中開(kāi)關(guān)電源的反饋回路和PWM產(chǎn)生緊密相關(guān)。這也包括電源的監控和管理?! 底蛛娫纯刂频暮锰幨庆`活性、易于板開(kāi)發(fā)。數字電源控制允許設計人員在最
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利用DC-DC非隔離式負載點(diǎn)(POL)電源模塊來(lái)簡(jiǎn)化設計

  •   采用FPGA、DSP或微處理器設計是設計的關(guān)鍵部分,也最花費時(shí)間。系統級設計人員可以通過(guò)將主要精力集中于系統設計而受益匪淺,他們還需要解決諸如產(chǎn)品上市時(shí)間、實(shí)現小型化尺寸的問(wèn)題。使用最新一代DC-DC非隔離式
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Intersil的新款電源模塊攻克5個(gè)最困難的電源難題

  •   全球高性能模擬半導體設計和制造領(lǐng)導廠(chǎng)商Intersil公司今天宣布,推出緊湊、可擴展的電源模塊ISL8200M。這個(gè)靈活的新模塊為設計者提供了易用的通用電源解決方案,可滿(mǎn)足各種各樣負載點(diǎn)(POL)電源的要求。   ISL8200M是10A、高度集成的POL穩壓器,采用表面安裝的QFN封裝,內部包含一個(gè)PWM控制器、功率MOSFET、功率電感器和相關(guān)的分立器件,是計算、通信和網(wǎng)絡(luò )基礎設施,以及工業(yè)市場(chǎng)中各種應用的理想之選。   現在,電源系統設計者已面臨著(zhù)相當多的挑戰,而且應用對性能的需求還在不
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一種POL終端匹配電源的熱模擬研究

  • 摘要:介紹了一種廣泛應用于存儲器、CPU等高速信號端口的POL終端匹配電源的工作原理。根據電源各元器件的功耗,建立該電源的熱模型,并利用ICEPAK軟件對其進(jìn)行熱模擬仿真。通過(guò)仿真結果與實(shí)際測試結果的對比,確認模
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Point 35 Microstructures將氧化物釋放添加到MEMS制造系列

  •   全球微機電系統(MEMS)產(chǎn)業(yè)蝕刻和沉積設備供應商Point 35 Microstructures公司,今日在上海宣布推出汽相氧化物釋放蝕刻模塊,進(jìn)一步擴展其微機電系統(MEMS) 單晶圓制造memsstar?產(chǎn)品系列。這項新增的技術(shù)將確保MEMS器件設計師得到更多的生產(chǎn)選擇,同時(shí)帶來(lái)了寬泛的制造工藝窗口和各種工藝控制等等好處,從而使良率得到了最大的提升。   SVR-vHF氧化物釋放模塊結合現有的memsstar? SVR-Xe 犧牲性汽相釋放(SVR)模塊,利用無(wú)水氫氟蒸汽(aH
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小而酷—SupIRBuck系列穩壓器將面向PoL設計的單級轉換帶上新臺階(08-100)

  •   由于以下幾方面的原因,負載點(diǎn)(PoL)架構成為目前功率系統的架構選擇:首先,現代設備所需的低電壓使設計師可以顯著(zhù)削減片上功耗,但是以如此低的電壓分配系統功率會(huì )造成功率損失。因此,這樣的設計很有意義:通過(guò)一條高壓總線(xiàn)來(lái)分配功率,并在接近使用點(diǎn)的地方進(jìn)行電壓轉換。
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IBA基電源系統的保護電路(05-100)

  •   在很多計算和通信應用中,非隔離負載點(diǎn)(niPOL)中間總線(xiàn)結構(IBA)轉換器正在繼續替代通常的分布和中央電源系統方案。這種趨勢的關(guān)鍵驅動(dòng)力包括:系統電壓數的增加,較高的輸出電流,較嚴格的穩壓要求和較低總系統成本。很多IBA/niPOL方案能滿(mǎn)足這些要求。但是,這種方案沒(méi)有從前一般方案中的保護機構。
  • 關(guān)鍵字: IBA/POL  電源  
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