一種POL終端匹配電源的熱模擬研究與仿真

　　0 引言

　　POL(P0int Of LOad)終端匹配電源廣泛應用于存儲器、CPU等高速信號端口。端口電壓能夠自動(dòng)跟蹤1／2主電源的電壓，并輸出或吸入信號的匹配電流。本文中自主研制的端口匹配電源DDRl2V4520，輸出穩壓精度高、響應快、電壓設定數字化，已廣泛應用于多個(gè)工程項目，實(shí)際使用效果良好。本文對比該電源的熱模擬仿真結果與實(shí)測結果，評估電源的溫升，確認了模型的準確性。在以后的同類(lèi)電源設計中，通過(guò)仿真計算，可以相當準確地預計電源的熱工作狀況。

　　1 工作原理

　　電源DDR12V4520的主電源輸出電壓為1．5V～2．8V，額定輸出電流45A。匹配電源跟蹤l／2主電源電壓，可以輸出或吸入電流，額定容量20A。圖l是該電源的原理圖。圖2給出了完成貼裝焊接的電源DDRl2V4520的實(shí)物照片。主電源控制器為ADP3163(Analog Devices)，匹配電源控制器為MAXl917(Maxim)。主電源的功率器件采用三合一DrMOSR2J20601(Renesas)，匹配電源的功率器件是FDD6035AL和FDD8870(Fairchild)。輸出采用低串聯(lián)阻抗固體有機膜電容器濾波，實(shí)用效果十分理想。主電源的輸出電壓通過(guò)5位VID碼設定(ADP3163)，使用十分方便，電壓精度可達0．025V。

　　主電源功率器件DrMOS R2J20601是Renesas公司推出的一種新型的三合一芯片。該芯片集兩個(gè)MOSFET和一個(gè)驅動(dòng)電路于一體，具有工作頻率高、功耗低、結構緊湊、封裝小、輸出電流大、效率高等優(yōu)點(diǎn)，十分適用于低電壓、大電流的應用場(chǎng)合。圖3給出了該芯片的內部結構圖。圖4給出了該芯片的實(shí)物圖。

　　2 熱模型

　　利用ICKPAK軟件進(jìn)行熱模擬仿真，首先需要建立熱仿真模型。因此需要估算電源的各元器件的功耗，來(lái)確定仿真參數。表1給出了電源在滿(mǎn)負荷與半負荷工作狀態(tài)時(shí)的參數。

　　估算電感的損耗時(shí)，分為銅損和鐵損來(lái)估算。銅損為電流的直流分量在電感中產(chǎn)生的損耗，鐵損為電流的交流分量產(chǎn)生的損耗。對于電源中的電容、電阻等常規元件的功耗評估不再贅述，重點(diǎn)討論一下主電源與匹配電源功率器件的功耗估算。

　　電源工作頻率為600kHz，主電源功率器件有3片DrMOS R2J20601(Renesas)，因此單個(gè)器件工作頻率為200kHz。根據參考文獻中提供的典型工作數據曲線(xiàn)，可得滿(mǎn)負荷工作情況下的單個(gè)該器件LOSS=2．

　　同樣在滿(mǎn)負荷工作狀態(tài)，實(shí)際試驗環(huán)境溫度、風(fēng)冷條件與仿真條件相同的情況下，對電源進(jìn)行考機試驗，得到電源A面與B面的溫度實(shí)際測量結果分別如圖5(b)、圖6(b)所示。

　　2)半負荷工作狀態(tài)

　　在仿真軟件ICEPAK中，設置環(huán)境溫度為17℃，強迫風(fēng)冷，風(fēng)速為0．8m／s，風(fēng)向不變。在半負荷工作狀態(tài)下，電源的A面與B面仿真計算結果分別如圖7(a)、圖8(a)所示。

　　在相同的工作狀態(tài)、試驗條件下，對電源DDR12V4520進(jìn)行考機試驗，得到電源A面與B面的溫度實(shí)際測量結果分別如圖7(b)、圖8(b)所示。

　　4 結束語(yǔ)

　　ICKPAK仿真模型建立得不能太復雜，單體尺寸不能相差太大，否則網(wǎng)格劃分時(shí)數量過(guò)多。當網(wǎng)格數小于20萬(wàn)時(shí)，單機運算速度良好；大于40萬(wàn)時(shí)，運算速度過(guò)于緩慢而影響計算。本試驗中的風(fēng)道截面為120mm×120mm，如何測量風(fēng)速十分關(guān)鍵。使用普通的風(fēng)機式測風(fēng)儀，會(huì )破壞整個(gè)試驗風(fēng)道的平衡，不適用于本試驗，只適合于大環(huán)境的測量，例如機艙級或者機房級的測量。為了保證試驗的真實(shí)性和準確性，本試驗使用了點(diǎn)狀測風(fēng)儀(EATVS一4W／Sensor)，對原風(fēng)道基本沒(méi)有影響，測量三個(gè)點(diǎn)的風(fēng)速，取其算術(shù)平均值，因此所得的風(fēng)速測量值十分可信。

　　計算所得的效率與實(shí)測的效率有一些差異，主要的原因是功率芯片的功耗計算值不夠精確，文獻中提供的功耗是在25℃時(shí)的給定值，但在實(shí)際運行時(shí)，溫度上升會(huì )使功耗有所上升。

　　L1，L2，L3上方的PCB區域有很多過(guò)孔，電流從B面通過(guò)這些過(guò)孔流到A面，引發(fā)PCB局部發(fā)熱。在計算時(shí)，沒(méi)有將過(guò)孔建立發(fā)熱模型，只是PCB整體均勻發(fā)熱，所以局部的溫度分布不很真實(shí)，L2上方測溫點(diǎn)的計算值與實(shí)驗值有6℃左右的差異。

　　如表3所示，計算值與實(shí)際測試值比較接近，說(shuō)明模型和計算方法基本正確，可廣泛應用于電源模塊的熱能工作狀態(tài)評估。在今后的同類(lèi)電源設計驗證中可采用此模擬仿真方法，無(wú)需搭建復雜的試驗平臺，可大大簡(jiǎn)化設計驗證步驟，縮短設計周期，有效提高了設計效率，具有很大的實(shí)用價(jià)值。