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【E課堂】數字電路中△ I噪聲的產(chǎn)生與特點(diǎn)
- 隨著(zhù)數字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展，數字電路中的△I噪聲正逐步成為數字系統的主要噪聲源之一，因此研究△I噪聲的產(chǎn)生過(guò)程與基本特點(diǎn)，對認識△I噪聲特性進(jìn)而抑制△I噪聲具有實(shí)際意義?！ 》聪嗥魇菙底衷O計的核心。本文從反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過(guò)程與基本特點(diǎn)?！ ? △I噪聲的產(chǎn)生 1.1 TTL中△I噪聲的產(chǎn)生 TTL反相器的基本電路如圖1所示。在穩定狀態(tài)下，輸出Vo分別為高電平VOH和低電平VOL時(shí)，電源提供的電流IH和I
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
最簡(jiǎn)單的上下拉的問(wèn)題
- 本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問(wèn)題。 重要信號線(xiàn)的上下拉問(wèn)題 一般說(shuō)來(lái)，不光是重要的信號線(xiàn)，只要信號在一段時(shí)間內可能出于無(wú)驅動(dòng)狀態(tài)，就需要處理。 比如說(shuō)，一個(gè)CMOS門(mén)的輸入端阻抗很高，沒(méi)有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至會(huì )導致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導通，對器件壽命造成影響。 總線(xiàn)上當所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現。因為這時(shí)讀寫(xiě)控制
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
一些常用的電平標準
- 現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡(jiǎn)單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因為2.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端的處理方法
- 簡(jiǎn)介：CMOS和TTL集成門(mén)電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩定的工作?本文給出了解決這個(gè)問(wèn)題的方法，供大家參考。 CMOS門(mén)電路 CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理
- 一、CMOS門(mén)電路 CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法： 1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
千兆采樣ADC確保直接RF變頻
- 隨著(zhù)模數轉換器(ADC)的設計與架構繼續采用尺寸更小的過(guò)程節點(diǎn)，一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應運而生。能以千兆赫速率或更高速率進(jìn)行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統、儀器儀表和雷達應用的直接RF數字化帶來(lái)了全新的系統解決方案。 最先進(jìn)的寬帶ADC技術(shù)可以實(shí)現直接RF采樣。就在不久前，唯一可運行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構是分辨率為6位或8位的Flash轉換器。這些器件能耗極高，且通常無(wú)法提供超過(guò)7位的有效位數(ENOB)，這是由于Flash架構的幾何尺寸與功耗限
- 關(guān)鍵字： ADC RF 轉換器 LVDS FPGA
選擇合適的轉換器：JESD204B與LVDS對比
- 1 為不同應用提供不同選擇 對于數據轉換器的高速串行傳輸，不同的應用有不同的選擇。十多年來(lái)，數據轉換器制造商一直選擇LVDS作為主要差分信號技術(shù)。盡管有些LVDS應用可使用更高的數據速率，但目前該市場(chǎng)上的轉換器廠(chǎng)商可提供的最大LVDS數據速率仍然為0.8至1 Gbps。LVDS技術(shù)一直難以滿(mǎn)足轉換器的帶寬要求。LVDS受TIA/EIA 644A規范控制，這是一項LVDS核心制造商的行業(yè)標準。該規范可作為設計人員的最佳實(shí)踐指南，提高不同廠(chǎng)商的LVDS發(fā)送器及接收器兼容性。同樣，沒(méi)有完全遵守LVDS
- 關(guān)鍵字： JESD204B LVDS 轉換器 FPGA PHY
定時(shí)解決方案專(zhuān)業(yè)廠(chǎng)商 ECS Inc.成立35年周年慶典
- 設計和制造硅基定時(shí)器件和頻率控制產(chǎn)品的全球創(chuàng )新領(lǐng)導廠(chǎng)商ECS Inc. International欣然宣布2015年慶祝企業(yè)運營(yíng)35周年。 ECS Inc.主席兼首席執行官Brad Slatten表示：“回顧以往成就，我們感到十分自豪。ECS公司擁有朝氣蓬勃的團隊合作、持續不斷的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，與客戶(hù)合作并在最短時(shí)間內為其提供合適定時(shí)解決方案的決心，所有這些努力均已帶來(lái)了回報，使得ECS公司成功地在這個(gè)競爭極為激烈的行業(yè)中立足35年。” ECS Inc.的35年周年慶典恰
- 關(guān)鍵字： ECS LVDS
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