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Nordic nRF9160 SiP已通過(guò)終端產(chǎn)品部署所需的全部主要認證 進(jìn)入最終批量生產(chǎn)階段

- 挪威奧斯陸 – 2019年7月4日 – Nordic Semiconductor宣布其nRF9160 SiP LTE-M/NB-IoT和GPS蜂窩IoT模塊已成功地通過(guò)了一系列主要資格和認證,包括GCF、PTCRB、FCC(美國和拉丁美洲)、CE(歐盟)、ISED(加拿大)、ACMA(澳大利亞和新西蘭)、TELEC / RA(日本)、NCC(中國臺灣)和IMDA(新加坡),成功進(jìn)入最終硅片批量生產(chǎn)階段。nRF9160 SiP模塊的尺寸僅為10 x 16 x 1mm,適用于非常緊湊的可穿戴消費產(chǎn)品和醫療設備
- 關(guān)鍵字: Nordic Semiconductor nRF9160 SiP LTE-M/NB-IoT
印度第一顆CPU橫空出世:八大系列 軟件開(kāi)發(fā)啟動(dòng)

- 我們忙著(zhù)推進(jìn)國產(chǎn)芯片的同時(shí),隔壁的印度也沒(méi)閑著(zhù)。作為印度頂級高校的印度理工學(xué)院(IIT)之馬德拉斯校區已經(jīng)發(fā)布了其首顆處理器“Shakti”(代表女性力量的印度神話(huà)人物)的SDK軟件開(kāi)發(fā)包,并承諾會(huì )很快放出開(kāi)發(fā)板。這樣,在處理器商用上市之前,開(kāi)發(fā)者們已經(jīng)可以著(zhù)手開(kāi)發(fā)軟件了。印度Shakti處理器2016年啟動(dòng)開(kāi)發(fā),基于開(kāi)源的RISC-V指令集架構,得到了印度電子和信息技術(shù)部的大力支持。Shakti處理器首批就規劃了多達6個(gè)不同系列,各自針對不同的市場(chǎng),號稱(chēng)在核心面積、性能、功耗方面相比當前商用處理器都很有
- 關(guān)鍵字: CPU處理器,印度,RISC-V
RISC-V生態(tài)處于起步期,歡迎開(kāi)發(fā)者使用、分享和完善

- 王瑩 《電子產(chǎn)品世界》 RISC-V以開(kāi)放的指令集和學(xué)術(shù)化的設計,正在吸引越來(lái)越多愿意嘗試新事物、面向未來(lái)設計的開(kāi)發(fā)人員。不過(guò),RISC-V在社區、生態(tài)和商業(yè)化方面還大有潛力可挖,以打造成像Linux社區一樣的大家共同去維護、服務(wù)和完善的生態(tài)系統?! ?019年5月,RISC-V基金會(huì )在中國五座城市開(kāi)展RISC-V免費入門(mén)活動(dòng)。在北京站,電子產(chǎn)品世界等媒體訪(fǎng)問(wèn)了RISC-V基金會(huì )新任CEO(首席執行官)Calista Redmond女士,請她介紹了RISC-V的生態(tài)和基金會(huì )的發(fā)展狀況?! ? 中國及
- 關(guān)鍵字: 201906 RISC-V 生態(tài)
電動(dòng)自行車(chē)用鉛酸蓄電池SOC顯示電路設計

- 肖青,周秀珍 ?。ㄩL(cháng)江工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院,湖北 武漢 430200) 摘要:鉛酸蓄電池作為目前電動(dòng)自行車(chē)動(dòng)力源,其充電過(guò)程中析氫現象是發(fā)生爆炸的原因之一。經(jīng)研究表明:鉛酸蓄電池充電過(guò)程中,其容量達到80%以上才發(fā)生析氫現象,可見(jiàn)監控蓄電池容量是必要的。本文基于鉛酸蓄電池開(kāi)路電壓SOC估算法,以12V 2AH鉛酸蓄電池作為研究對象,設計電動(dòng)自行車(chē)用鉛酸蓄電池SOC顯示電路,最終驗證了其可行性?! £P(guān)鍵詞:電動(dòng)自行車(chē);12 V 2 AH 鉛酸蓄電池,SOC顯示電路 基金項目:湖北省教育廳科研計劃一般項目
- 關(guān)鍵字: 201906 電動(dòng)自行車(chē) 12 V 2 AH 鉛酸蓄電池 SOC顯示電路
RISC-V生態(tài)處于起步期,歡迎開(kāi)發(fā)者采用、分享和完善

- ? ? ? RISC-V以開(kāi)放的指令集和學(xué)術(shù)化的設計,正在吸引越來(lái)越多愿意嘗試新事物、面向未來(lái)設計的開(kāi)發(fā)人員。不過(guò),RISC-V在社區、生態(tài)和商業(yè)化方面還大有潛力可挖,以打造成像Linux社區一樣的大家共同去維護、服務(wù)和發(fā)展的生態(tài)系統。? ? ? 2019年5月,RISC-V基金會(huì )在中國五座城市開(kāi)展RISC-V免費入門(mén)活動(dòng)。在北京站,電子產(chǎn)品世界等媒體訪(fǎng)問(wèn)了RISC-V基金會(huì )新任CEO(首席執行官)Calista Redmond女士,請她介紹了R
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羅德與施瓦茨公司聯(lián)合紫光展銳成功認證LTE終端能力等級1bis測試用例

- 近日,R&S公司聯(lián)合紫光展銳共同調試新的LTE UE能力等級1bis一致性測試用例。這個(gè)新的LTE 終端能力等級1bis相對應于機器類(lèi)通信能力等級0而言,有更高的數據傳輸率,和能力等級1一樣適合更多的行業(yè)應用比如可穿戴設備或者功能手機。在4月9日至10日上海舉行的CAG(GCF Conformance Agreement Group Meeting)會(huì )議上,GCF開(kāi)始認證Cat.1bis相關(guān)測試用例,至今為止在LTE頻段1、3、7、20和28的Work Item 被激活了。針對
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RISC-V基金會(huì )宣布在中國五座城市開(kāi)展RISC-V免費入門(mén)活動(dòng)
- 中國上?!?019年4月18日事項:RISC-V基金會(huì )(The RISC-V Foundation)將在中國舉辦一系列為期一天的免費RISC-V入門(mén)(Getting Started with RISC-V)活動(dòng)。時(shí)間和地點(diǎn):深圳:5月6日在深圳富苑皇冠假日酒店舉行成都:5月8日在成都天府麗都喜來(lái)登飯店舉行杭州:5月13日在上海外灘茂悅大酒店舉行上海:5月14日在阿里巴巴集團企業(yè)園區舉行北京:5月16日在北京中關(guān)村皇冠假日酒店舉行詳細信息:RISC-V基金會(huì )將與Linux基金會(huì )合作,舉辦一系列為期一天的免費
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Vishay推出新款FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器降低導通和開(kāi)關(guān)損耗

- 賓夕法尼亞、MALVERN—2019年4月17日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導通和開(kāi)關(guān)損耗在同類(lèi)器件中達到最佳水平,提高高頻逆變器和軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。?日前發(fā)布的器件可與MOSFET或高速I(mǎi)GBT配合使用,專(zhuān)門(mén)用于提高PFC、EV/HEV 電池充電站輸出整流級、太陽(yáng)能逆變器增壓級
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RISC-V CON 上海、深圳3月登場(chǎng) 聚焦RISC-V 發(fā)展最新動(dòng)向
- 2019年3月06日—中國近年來(lái)積極發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè),其中又以RISC-V近年來(lái)成長(cháng)動(dòng)能強勁,布局RISC-V架構已久的32/64位嵌入式CPU核心供貨商晶心科技(Andes Technology),將于3月19、21日分別在上海及深圳舉辦「RISC-V CON」,除了介紹晶心AndeStar? V5高效能處理器核心25系列的新產(chǎn)品及最新小面積的22系列,還邀請到RISC-V基金會(huì )中國顧問(wèn)委員會(huì )主席方之熙博士及中國開(kāi)放指令生態(tài)(RISC-V)聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)暨中科院計算所研究員包云崗博士,分享中國RI
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UltraSoC在2019年嵌入式世界展(Embedded World 2019)上演示了高級多核調試技術(shù)
- UltraSoC今天宣布,其UltraDevelop 2集成開(kāi)發(fā)環(huán)境(IDE)現在可用于beta測試,并正在向合格的重點(diǎn)客戶(hù)提供試用。新IDE將于本周在德國紐倫堡舉辦的嵌入式世界展會(huì )(Embedded World 2019)上首次公開(kāi)展示?! ltraDevelop 2于2018年10月推出,為系統級芯片(SoC)的開(kāi)發(fā)團隊提供了一個(gè)完整而全面的集成化開(kāi)發(fā)環(huán)境(IDE):集成了調試、運行控制和性能調優(yōu)功能,可為硬件、固件和軟件的運行提供集成化的視圖,以及高級異常檢測、可視化和數據科學(xué)等功
- 關(guān)鍵字: UltraSoC RISC-V
加碼LSI業(yè)務(wù),三星要力爭成為世界半導體第一
- "三星電子在2018年第四季度和2017年全年業(yè)績(jì)情況,一舉創(chuàng )下歷史最好紀錄。僅第四季度,收入就達到600億,營(yíng)業(yè)利潤接近190億美元。全年收入創(chuàng )歷史新高2120億,營(yíng)業(yè)利潤接近480億美元,超過(guò)2016年和2015年的營(yíng)業(yè)利潤總和。相關(guān)數據顯示,頂端和底端增長(cháng)的主要驅動(dòng)力是半導體事業(yè)部門(mén)而非移動(dòng)業(yè)務(wù)部門(mén),可見(jiàn)三星電子主營(yíng)業(yè)務(wù)極有可能向半導體方向靠攏。" 為發(fā)展率先調整布局 2016年三星電子計劃重組S.LSI半導體部門(mén),并且可能拆分其芯片代工業(yè)務(wù)?! 私?,三星半導體包括M
- 關(guān)鍵字: 三星 LSI LTE
lte-v介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條lte-v!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對lte-v的理解,并與今后在此搜索lte-v的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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