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igbt 7 文章 進(jìn)入igbt 7技術(shù)社區
CPLD在IGBT驅動(dòng)設計中的應用
- 隨著(zhù)國民經(jīng)濟的不斷發(fā)展，變頻調速裝置的應用越來(lái)越廣泛。如何打破國外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個(gè)嚴肅的課題擺在我國工程技術(shù)人員的面前。
在某型號大功率變頻調速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結構 - 關(guān)鍵字： CPLD IGBT 驅動(dòng)設計 中的應用
家電下鄉全國推廣 半導體市場(chǎng)需求放大
- 經(jīng)過(guò)一年多的試點(diǎn)，我國家電下鄉工作已全面鋪開(kāi)，從2009年2月1日起，家電下鄉工作從12個(gè)省、自治區、直轄市向全國推廣。新形勢下，在全國范圍內推廣家電下鄉對于擴大內需、保持經(jīng)濟平穩較快增長(cháng)具有重要意義。作為家電產(chǎn)品不可或缺的零部件，半導體器件的市場(chǎng)需求也將同步放大，家電下鄉政策為我國半導體行業(yè)提供了發(fā)展機遇。 分立器件和低端IC首先獲益 從2007年12月開(kāi)始，我國在山東、河南、四川三省進(jìn)行了家電下鄉試點(diǎn)工作，對彩電、冰箱(含冰柜)、手機三大類(lèi)產(chǎn)品給予產(chǎn)品銷(xiāo)售價(jià)格13%的財政資金直
- 關(guān)鍵字： 家電下鄉 分立器件 IGBT 節能
英飛凌擴大面向可再生能源和傳統電機驅動(dòng)應用的功率模塊生產(chǎn)
- 英飛凌科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足日益增長(cháng)的對于可再生能源和傳統系統的需求。從現在開(kāi)始到2012年，公司將投資近1,700萬(wàn)歐元用于建造廠(chǎng)房和購買(mǎi)制造設備。英飛凌今天與匈牙利經(jīng)濟部的代表簽訂了協(xié)議，根據該協(xié)議，匈牙利經(jīng)濟部將為該項目融資140萬(wàn)歐元。 Cegléd工廠(chǎng)主要生產(chǎn)標準功率模塊，這種功率模塊是風(fēng)輪機和光伏系統太陽(yáng)能逆變器以及機車(chē)驅動(dòng)裝置、有軌電車(chē)、制造工廠(chǎng)、扶梯和電梯使用
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT 功率半導體
大功率IGBT驅動(dòng)過(guò)流保護電路研究
- 摘要：針對IGBT驅動(dòng)過(guò)流保護問(wèn)題，提出了分離元件驅動(dòng)過(guò)流保護電路和模塊驅動(dòng)過(guò)流保護電路.文中給出了分離元件驅動(dòng)過(guò)流保護電路和模塊驅動(dòng)過(guò)流保護電路,并詳細分析了兩者的工作原理，指出了它們之間的優(yōu)缺點(diǎn). 關(guān)鍵詞：IGBT；分離元件驅動(dòng)過(guò)流保護電路；模塊驅動(dòng)過(guò)流保護電路 IGBT因其飽和壓降低和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)而成為大功率開(kāi)關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件，但IGBT和晶閘管一樣，其抗過(guò)載能力不高[1-2].因此，如何設計IGBT的驅動(dòng)過(guò)流保護電路，使之具有完善的驅動(dòng)過(guò)流保護功能，是設計者必須考
- 關(guān)鍵字： IGBT 分離元件 驅動(dòng) 過(guò)流保護電路
IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統計方法
- 摘要：利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機模塊參數和系統不平衡度計算出電流不平衡、開(kāi)關(guān)損耗及結溫。 關(guān)鍵詞：IGBT模塊并聯(lián)；模擬分析方法；蒙特卡羅方法 IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題同器件的工藝問(wèn)題一樣是一個(gè)老問(wèn)題了。在試圖回答該問(wèn)題時(shí)，工程師們通常會(huì )很快地發(fā)現自己處在一個(gè)兩難的位置上。過(guò)去，人們針對該問(wèn)題提出了一些考慮統計因素的方法，但是到目前為止，仍然沒(méi)有人可以回答這樣的關(guān)鍵問(wèn)題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時(shí)，超出器件限值的概率有多大?，F在，英飛
- 關(guān)鍵字： IGBT 模塊并聯(lián) 模擬分析方法 蒙特卡羅方法 200809
IR 推出適合汽車(chē)應用的堅固可靠600V IC
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出適合汽車(chē)應用的高、中、低壓堅固600V單通道高壓端驅動(dòng)IC AUIRS212xS系列，其應用包括通用汽車(chē)驅動(dòng)器、高壓執行器和低油耗直噴系統。 AUIRS2123S 和 AUIRS2124S高速功率MOSFET 和IGBT驅動(dòng)器符合AEC-Q100標準，可以提供10V至20V的柵極驅動(dòng)電源電壓。輸出驅動(dòng)器具有適用于最小驅動(dòng)器跨導的高脈沖電流緩沖過(guò)程，而浮動(dòng)通道可用來(lái)驅動(dòng)在600V電壓下工作的高壓端配置的N溝道功率MO
- 關(guān)鍵字： IR 汽車(chē) 驅動(dòng)器 IGBT
電力電子技術(shù)突顯節能功效 新型器件嶄露頭角
- 發(fā)展電力電子產(chǎn)業(yè)的首要意義在于節約電能，因此，高效率是我們對電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業(yè)控制、消費電子、汽車(chē)電子等多個(gè)領(lǐng)域充當了節能的“急先鋒”，而在新能源領(lǐng)域，電力電子器件也是不可或缺的元素。 電力電子器件在其發(fā)展的初期(上世紀60年代-80年代)主要應用于工業(yè)和電力系統。而近20年來(lái)，隨著(zhù)4C產(chǎn)業(yè)(通信、計算機、消費電子、汽車(chē))的蓬勃發(fā)展，電力電子器件的應用范圍有了大幅度的擴展，其技術(shù)已成為航空、航天、火車(chē)、汽車(chē)、通信
- 關(guān)鍵字： 電力電子 IGBT 新能源 節能
Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動(dòng)器系列
- Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動(dòng)器系列，用于開(kāi)關(guān)電源和電機驅動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動(dòng)器IC更快，有助于加快開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高電路效率。 該系列包含4款高速非反向柵極驅動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開(kāi)關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對MOSFET開(kāi)關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
- 關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅動(dòng)器
- PSHI 3系列IGBT驅動(dòng)器是基于具有自主知識產(chǎn)權的ASIC而設計的智能型1700V雙路IGBT驅動(dòng)器，包括邏輯信號處理的ASIC PSD001，門(mén)極驅動(dòng)的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號處理、故障鎖存及處理、短路保護、欠壓保護、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅動(dòng)； PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅動(dòng)； PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。 驅動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 普爾盛 IGBT 驅動(dòng)器
用于功率變換器的IGBT驅動(dòng)核心電路
- 除了功率模塊以外，每個(gè)電力電子系統都還有另外一個(gè)關(guān)鍵部件就是IGBT驅動(dòng)電路，它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此，選擇適當的驅動(dòng)電路就和逆變器整體方案的可靠性緊密相關(guān)。與此同時(shí)，驅動(dòng)電路還應該具備最廣泛的系統適應性和用戶(hù)接口友好性。 例如，在一個(gè)電力電子逆變器中，微控制器提供系統正確運行所需要的數字信號。IGBT驅動(dòng)電路的功能就是將來(lái)自于微控制器的信號轉換成具有足夠功率的驅動(dòng)信號，來(lái)保證IGBT安全地關(guān)斷與開(kāi)通。另一方面，IGBT驅動(dòng)電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
- 關(guān)鍵字： IGBT SKYPER
三菱電機第五代IGBT模塊將亮相于電子展
- 三菱電機將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶(hù)提供與其相應的應用解決方案。 ? 三菱電機采用最新開(kāi)發(fā)的載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實(shí)現了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)。分別針對不同應用開(kāi)發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
- 關(guān)鍵字： 三菱 IGBT 電子展 200802
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