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中國移動(dòng)發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構的 Cat.1 通信模組 ML305M

IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì )上首次亮相。據介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開(kāi)發(fā)。CM8610 是國內首顆基于 64 位 RISC-V 內核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡(jiǎn) BOM 設計，edrx 待機電流達到 0.74mA，最小接收靈敏度達到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
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RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰爭新戰場(chǎng)

在中美科技戰的新戰線(xiàn)上，拜登政府正面臨一些立法者的施壓，要求限制美國公司開(kāi)發(fā)在中國廣泛使用的免費芯片技術(shù)，此舉可能會(huì )顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭論的焦點(diǎn)是RISC-V，發(fā)音為“風(fēng)險五”，這是一種開(kāi)源技術(shù)，與英國半導體和軟件設計公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂貴專(zhuān)有技術(shù)競爭。RISC-V可以用作從智能手機芯片到人工智能高級處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會(huì )主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國家安全為由，
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中美科技戰新戰場(chǎng)！RISC-V開(kāi)源芯片技術(shù)成焦點(diǎn)

中美科技競爭又有新動(dòng)向。美國政府正面臨國會(huì )壓力，要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開(kāi)源芯片技術(shù)發(fā)展，目前RISC-V的開(kāi)源性使得這項技術(shù)在中國大陸獲得廣泛的應用以及發(fā)展，但如果禁止的話(huà)，可能對全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據《路透社》6日報導，這一次的爭議焦點(diǎn)主要集中在RISC-V上，這是一種開(kāi)放原始碼架構，與英國的安謀國際科技公司（Arm Holdings）的競爭激烈。RISC-V可應用于智能手機芯片到先進(jìn)人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會(huì )議員以國家安全為由，敦促拜登政府針對RISC-V問(wèn)題采取行動(dòng)，
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基于Microchip MCU的汽車(chē)流水轉向燈方案

此方案的主要芯片選用汽車(chē)級MCU PIC16F15324-I/SLVAO，輸出11個(gè)信道，每信道控制2顆LED，形成流水燈效果。LY E67F是OSRAM 汽車(chē)級高亮LED，廣泛應用于汽車(chē)轉向燈，尾燈等應用。方案應用于汽車(chē)流水轉向燈及汽車(chē)高位剎車(chē)燈。1、流水燈的通斷電時(shí)間需要根據閃光器的實(shí)際時(shí)間進(jìn)行調整。2、PCB 請根據實(shí)際產(chǎn)品尺寸來(lái)設計并考慮散熱，主要發(fā)熱元件：LED燈珠、68歐電阻、三極管。3、正式生產(chǎn)時(shí)請將代碼保護開(kāi)啟：#pragma config CP = ON 也可以直接在MCC中配
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上新!100%國產(chǎn)物料認證,米爾入門(mén)級國產(chǎn)核心板全志T113-i方案

自米爾國產(chǎn)全志T113系列的核心板發(fā)布以來(lái)，這款高性?xún)r(jià)比、低成本、入門(mén)級、高性能的國產(chǎn)核心板咨詢(xún)不斷，配套的開(kāi)發(fā)板已經(jīng)成交量數百套，深受工程師們的青睞，為了集齊T113全系列的產(chǎn)品，這次米爾發(fā)布了基于全志T113-i處理器的核心板和開(kāi)發(fā)板，讓廣大工程師有了更多的選擇。接下來(lái)看看T113-i這款國產(chǎn)核心板的性能和優(yōu)勢。MYC-YT113i國產(chǎn)核心板真正的國產(chǎn)核心板，100%國產(chǎn)物料認證核心板采用100%國產(chǎn)物料，經(jīng)賽寶實(shí)驗室權威認證，物料自主可控，產(chǎn)品生命周期長(cháng)，全面驗證國產(chǎn)化，終端用戶(hù)可放心選用。圖&nb
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這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠(chǎng)宣布開(kāi)源！

隨著(zhù)PD3.1協(xié)議的市場(chǎng)應用越來(lái)越多，市場(chǎng)對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩定性的同時(shí)增加更多系統級功能，這對傳統PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰。廣芯微電子宣布開(kāi)源基于RISC-V內核的PD控制器，以支持客戶(hù)更好地部署快充系統和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng )新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強的外設和廣泛的系統資源，在
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蘋(píng)果與Arm達成長(cháng)期協(xié)議，加強合作的同時(shí)不忘布局RISC-V

9月6日，軟銀旗下芯片設計公司Arm提交給美國證券交易委員會(huì )（SEC）的首次公開(kāi)募股（IPO）文件顯示，蘋(píng)果已與Arm就芯片技術(shù)授權達成了一項“延續至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前，Arm拒絕就其提交文件以外的內容發(fā)表評論，蘋(píng)果也沒(méi)有立即回復置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著(zhù)不可或缺的角色，它將其芯片設計授權給包括蘋(píng)果在內的500多家公司，已經(jīng)占據了智能手機芯片領(lǐng)域95%以上的市場(chǎng)份額，包括平板電腦等，實(shí)際上已經(jīng)完全控制了整個(gè)移動(dòng)芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
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Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器

IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計算機（SBC），其外觀(guān)接近于樹(shù)莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹(shù)莓派 Model B 類(lèi)似，只是并沒(méi)有使用基于 ARM 的處理器，而是使用基于 RISC-V 架構的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計算機端口如下：1 個(gè) HDMI 2.0 端口1 個(gè)千兆端口4 個(gè) USB 3.0 主機端口1 個(gè) USB 2.0 Type-C 端口1 個(gè)
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RISC-V邁入高性能，量產(chǎn)落地是關(guān)鍵！

這是最好的一屆RISC-V中國峰會(huì )，雖已落幕一周，但它流傳的故事依舊激昂人心，它引發(fā)的話(huà)題仍未褪色，它帶來(lái)的啟發(fā)依舊值得我們細細品味。后摩爾時(shí)代，芯片制造工藝遭遇瓶頸，在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規律下，RISC-V開(kāi)源指令集橫空出世，開(kāi)辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今，萬(wàn)物互聯(lián)已成必然，計算場(chǎng)景復雜多變，RISC-V設計的初衷便是覆蓋各種計算場(chǎng)景，這與時(shí)代需求完美契合。無(wú)論從商業(yè)還是技術(shù)角度， RISC-V進(jìn)入高性能應用場(chǎng)景已成必然。在2
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Vishay推出具有業(yè)內先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650?V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉換過(guò)程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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RISC-V工委會(huì )正式成立

據賽昉科技官微消息，8月31日，中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會(huì )RISC-V工作委員會(huì )正式成立。RISC-V工委會(huì )是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿組成的全國性、行業(yè)性、非營(yíng)利性社會(huì )團體，是中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會(huì )（簡(jiǎn)稱(chēng)“中電標協(xié)”）所屬分支機構。消息顯示，RISC-V 工委會(huì )的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用，為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的標準研制、標準符合性評估、知識產(chǎn)權保護、人才培養、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務(wù)，引導國內RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無(wú)序競爭走向協(xié)同創(chuàng )新，形成產(chǎn)業(yè)合力，實(shí)
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國家支持，RISC-V 工委會(huì )正式成立

IT之家 8 月 31 日消息，據賽昉科技消息，8 月 31 日，中國北京 —— 中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會(huì ) RISC-V 工作委員會(huì )正式成立，賽昉科技當選副會(huì )長(cháng)單位。中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會(huì ) RISC-V 工作委員會(huì )，簡(jiǎn)稱(chēng)：RISC-V 工委會(huì )，英文名稱(chēng)為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，縮寫(xiě)：RVEI，是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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RISC-V的下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)在哪里？

開(kāi)源的 RISC-V 已成為中國業(yè)界最受歡迎的芯片架構。
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如何有效使用RISC-V的跟蹤技術(shù)

在嵌入式軟件開(kāi)發(fā)中，利用完整的應用跟蹤，可為開(kāi)發(fā)人員分析其產(chǎn)品行為提供無(wú)限的可能性。通過(guò)對應用程序的全面了解，他們可以跟蹤每一條指令，看看他們的應用程序是否按照預期運行，或者是否出現錯誤或漏洞。那么，如何才能最大化地利用現有可用的RISC-V跟蹤呢？什么是跟蹤？與傳統的通過(guò)設置斷點(diǎn)、printf等進(jìn)行調試相比，跟蹤更像是在不打擾的情況下觀(guān)察你的應用程序?；旧?，開(kāi)發(fā)人員可以在不干擾程序的情況下觀(guān)察整個(gè)程序的工作情況。跟蹤包括完整的指令執行流程（不需要printf也不需要UART），一旦跟蹤數據被捕獲，你可
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