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東芝正式宣布半導體業(yè)務(wù)結構改革計劃
- 東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導體業(yè)務(wù)結構改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點(diǎn)。 第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠(chǎng)的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)資產(chǎn)轉讓給索尼。完成轉讓后，該工廠(chǎng)將成為索尼全資子公司——索尼半導體(SCK)的生產(chǎn)基地之一，主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。 另外，利用300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著(zhù)300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)轉讓?zhuān)c之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
- 關(guān)鍵字： 東芝 CMOS
最簡(jiǎn)單的上下拉的問(wèn)題
- 本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問(wèn)題。 重要信號線(xiàn)的上下拉問(wèn)題 一般說(shuō)來(lái)，不光是重要的信號線(xiàn)，只要信號在一段時(shí)間內可能出于無(wú)驅動(dòng)狀態(tài)，就需要處理。 比如說(shuō)，一個(gè)CMOS門(mén)的輸入端阻抗很高，沒(méi)有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至會(huì )導致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導通，對器件壽命造成影響。 總線(xiàn)上當所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現。因為這時(shí)讀寫(xiě)控制
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
Sony欲強化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購可能
- Sony于8月推出全球首款內建4K錄影功能的數位相機α7R II后，將續推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬(wàn)提高至4，240萬(wàn)，同時(shí)加強自動(dòng)對焦(AF)與防手震功能。 日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)報導，該相機并有399個(gè)相位對焦點(diǎn)、5軸圖像穩定系統與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達ISO 102，400，結合了高解析、高感光及高速對焦的機種，實(shí)際售價(jià)約45.1萬(wàn)日圓(約3，800美
- 關(guān)鍵字： Sony CMOS
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。 基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.
- 關(guān)鍵字： DC-DC CMOS
艾邁斯半導體推出可拓展的高壓CMOS晶體管
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專(zhuān)業(yè)制程平臺?；谠摳邏褐瞥唐脚_的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導體能涵蓋一整套可有效節省空間并提升設備性能的電壓可拓展的晶體管。 新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化，顯著(zhù)降低了導通電阻，因此可節省器件空間。在電源管理應用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
- 關(guān)鍵字： 艾邁斯 CMOS
使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題： 1、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
一些常用的電平標準
- 現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡(jiǎn)單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因為2.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
CMOS電路中ESD保護結構的設計要求
- 簡(jiǎn)介：大部分的ESD電流來(lái)自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過(guò)PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線(xiàn)，再由電壓線(xiàn)分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。 引言 靜電放電會(huì )給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著(zhù)集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來(lái)越薄，芯片的面
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD
學(xué)習總結之電路是計算出來(lái)的
- 簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現輸入小信號的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線(xiàn)性特性，并且實(shí)現信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端的處理方法
- 簡(jiǎn)介：CMOS和TTL集成門(mén)電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩定的工作?本文給出了解決這個(gè)問(wèn)題的方法，供大家參考。 CMOS門(mén)電路 CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理
- 一、CMOS門(mén)電路 CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法： 1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
我的一些數字電子知識總結（3）
- 簡(jiǎn)介：繼續把我在學(xué)習數字電路過(guò)程中的一些“細枝末節”小結一下，和大家共享。 1、在數字電路中，BJT一般工作在截止區或飽和區，放大區的經(jīng)歷只是一個(gè)轉瞬即逝的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程越長(cháng)，說(shuō)明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區或可變電阻區，恒流區的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過(guò)程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過(guò)于“含糊”，否則數字系統內門(mén)電路之間的抗干擾性能會(huì )大打折扣! 2、數字IC內部很多門(mén)電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來(lái)，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
學(xué)習總結之電路是計算出來(lái)的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現輸入小信號的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線(xiàn)性特性，并且實(shí)現信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
- 關(guān)鍵字： CMOS 電路
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