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cmos“ 文章 進(jìn)入cmos“技術(shù)社區
索尼仍是CMOS感光元件市場(chǎng)絕對領(lǐng)導者
- 對于消費者而言，智能手機的拍照能力依然是決定購買(mǎi)的重要因素之一，這也使得手機攝像頭元件制作成為目前一個(gè)重要且快速增長(cháng)的產(chǎn)業(yè)。在未來(lái)5年里，CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價(jià)值將達到190億美元。而就目前而言，索尼依然是CMOS感光元件市場(chǎng)的絕對領(lǐng)導者。 根據調查統計，CMOS感光元件市場(chǎng)在2015年總市值達到67億美元，而單單索尼就控制著(zhù)其中35%的市場(chǎng)份額(36億美元)。而其余的競爭者都無(wú)法撼動(dòng)索尼的地位，不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時(shí)研究機構IMEC記憶體部門(mén)總監Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類(lèi)型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著(zhù)微縮的問(wèn)題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節點(diǎn)可望具有更長(cháng)的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
Sony暗示iPhone相機模組被LG搶單？坦承錯估CMOS需求
- Sony 24日盤(pán)后公布了因熊本強震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財測，而熊本強震雖對Sony營(yíng)益帶來(lái)1,150億日圓的影響，不過(guò)Sony仍預估今年度營(yíng)益有望呈現增長(cháng)，也帶動(dòng)Sony 25日股價(jià)大漲?！ 「鶕螌?shí)XQ全球贏(yíng)家系統報價(jià)，截至臺北時(shí)間25日上午8點(diǎn)18分為止，Sony飆漲5.47%至3,044日圓，稍早最高漲至3,058日圓、創(chuàng )4月21日以來(lái)新高水準?！ 〔贿^(guò)全球智能手機成長(cháng)減速，也對Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來(lái)沖擊，Sony也坦承嚴重錯估了使
- 關(guān)鍵字： Sony CMOS
CCD與CMOS技術(shù)，我們居然還有這么多不知道
- 在工業(yè)應用中成像系統的廣泛采用持續擴展，不僅由新的影像感測器技術(shù)和產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)所推動(dòng)，還由支援平臺的進(jìn)步所推動(dòng)，如電腦功率和高速數據介面。今天，成像系統的使用在各種領(lǐng)域很常見(jiàn)，如配線(xiàn)檢查、交通監測/執法、監控和醫療及科學(xué)成像，由于影像感測器技術(shù)的進(jìn)步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著(zhù)影像感測器現在采用電荷耦合元件(CCD)和互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術(shù)設計，審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應用的影像感測器很有幫助?！ ‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀60年代，諾貝爾獎得主Boyle和Smit
- 關(guān)鍵字： CCD CMOS
如何提高抗干擾能力和電磁兼容性
- 在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí)，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結了一些方法?！ ∫?、下面的一些系統要特別注意抗電磁干擾： 1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高，總線(xiàn)周期特別快的系統?！ ?、系統含有大功率，大電流驅動(dòng)電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開(kāi)關(guān)等?！ ?、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統?！ 《?、為增加系統的抗電磁干擾能力采取如下措施： 1、選用頻率低的微控制器： 選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
- 關(guān)鍵字： 電磁兼容 CMOS
模擬IC與數字IC異同
- 處理連續性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱(chēng)為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續性，可以轉換為正弦波研究。而數字IC處理的是非連續性信號，都是脈沖方波?！ ∧MIC按技術(shù)類(lèi)型來(lái)分有只處理模擬信號的線(xiàn)性IC和同時(shí)處理模擬與數字信號的混合IC。模擬IC按應用來(lái)分可分為標準型模擬IC和特殊應用型模擬 IC。標準型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調節與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數據轉換(Data
- 關(guān)鍵字： 模擬IC CMOS
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法
- 本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進(jìn)行了較為詳細的說(shuō)明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問(wèn)題?！ MOS門(mén)電路 CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法： 與門(mén)和與非門(mén)電路 由
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
干貨分享：工程師教你如何設計D類(lèi)放大器
- D類(lèi)放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來(lái)。那么，什么是D類(lèi)放大器?它們與其它類(lèi)型的放大器相比如何? 為什么D類(lèi)放大器對于音頻應用很有意義?設計一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類(lèi)音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題?！ ∫纛l放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內具有良好的頻率響應(當驅動(dòng)頻帶有限的揚聲器時(shí)頻率
- 關(guān)鍵字： D類(lèi)放大器 CMOS
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現有CMOS標準技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據HPC Wire網(wǎng)站報導，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！ ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬(wàn)美元的計劃重點(diǎn)是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統。 除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
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