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spice模型 文章 進(jìn)入spice模型技術(shù)社區
使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節點(diǎn)設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
- 關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過(guò)去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結構沒(méi)有考慮所有這些非線(xiàn)性因素?，F在，通過(guò)引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
結電容對功率MOSFET關(guān)斷特性的影響分析
- 摘 要：為了分析功率MOSFET關(guān)斷特性，本文基于結電容的概念探討了功率MOSFET關(guān)斷過(guò)程的機理并推導 了數學(xué)模型，表明了MOSFET關(guān)斷過(guò)程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模 型，仿真結果對數學(xué)模型進(jìn)行了驗證；設計了雙脈沖實(shí)驗，實(shí)驗結果與模型和仿真結果一致。研究結論有助于 器件設計優(yōu)化和應用改善。關(guān)鍵詞：關(guān)斷特性；結電容；Spice模型；雙脈沖1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect tran
- 關(guān)鍵字： 202210 關(guān)斷特性 結電容 Spice模型 雙脈沖
利用Pspice模型分析放大器環(huán)路的穩定性
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- 關(guān)鍵字： SPICE模型 放大器環(huán)路 穩定性 反饋
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