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超高壓MOS在變頻器上的應用

  • 一、變頻器的定義及應用領(lǐng)域 變頻器的定義變頻器是應用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過(guò)改變電機工作電源頻率方式來(lái)控制交流電動(dòng)機的電力控制設備。變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、制動(dòng)單元、驅動(dòng)單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線(xiàn)、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調整電機的功率,實(shí)現電機的變速運行,達到省電的目的。2、降低電力線(xiàn)路中電壓的波動(dòng),避免一旦電壓發(fā)生異常而導致設備的跳閘或者出現異常運行的現象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊,從而有效地減少無(wú)功損耗,增
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用

  • 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器,其基本原理就是SPWM,硬件架構為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路,橋式輸出至負載間串接低通濾波元件,控制回路具有兩個(gè)信號產(chǎn)生源,一個(gè)是固定幅值的三角波(調制波)發(fā)生器,一個(gè)為正弦波發(fā)生器,利用三角波對正弦波進(jìn)行調制,就會(huì )得到占空比按照正弦規律變化的方波脈沖列,調制比不同,一個(gè)正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率)。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路,在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相,
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超結MOS/低壓MOS在微型逆變器上的應用

  • 微型逆變器,一般指的是光伏發(fā)電系統中的功率小于等于1000瓦、具組件級MPPT的逆變器,全稱(chēng)是微型光伏并網(wǎng)逆變器?!拔⑿汀笔窍鄬τ趥鹘y的集中式逆變器而言的。傳統的光伏逆變方式是將所有的光伏電池在陽(yáng)光照射下生成的直流電全部串并聯(lián)在一起,再通過(guò)一個(gè)逆變器將直流電逆變成交流電接入電網(wǎng);微型逆變器則對每塊組件進(jìn)行逆變。一、前言 微型逆變器,一般指的是光伏發(fā)電系統中的功率小于等于1000瓦、具組件級MPPT的逆變器,全稱(chēng)是微型光伏并網(wǎng)逆變器?!拔⑿汀笔窍鄬τ趥鹘y的集中式逆變器而言的。傳統的光伏逆變方式是將
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RS瑞森半導體在PC電源上的應用

  • PC電源又稱(chēng)電腦電源,是電腦各部件供電的樞紐,是電腦的重要組成部分。主要作用是將220V交流電(全球不同國家電壓不同,做到80V-264Vac全球通用)變換為+5VSB、+5V、+12V、-12V、+3.3V等穩定可靠的直流電源,供給主機箱內的系統板、各種適配器和擴展卡、 硬盤(pán)驅動(dòng)器 、光盤(pán)驅動(dòng)器等系統部件及鍵盤(pán)和鼠標使用,具有體積小,效率高等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)兼有過(guò)流(OCP)、過(guò)壓(OVP)、過(guò)溫(OTP)保護。PC電源又稱(chēng)電腦電源,是電腦各部件供電的樞紐,是電腦的重要組成部分。主要作用是將220V交流電(全
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RS瑞森半導體碳化硅二極管在光伏逆變器的應用

  • 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用,甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區電阻,這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。一、前言碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩定性。寬帶隙
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RS瑞森半導體-大功率開(kāi)關(guān)電源的應用

  • 大功率開(kāi)關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開(kāi)關(guān)管進(jìn)行高速的導通與截止。將直流電轉化為高頻率的交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓,從而產(chǎn)生所需要的一組或多組電壓。一、開(kāi)關(guān)電源功率簡(jiǎn)介 大功率開(kāi)關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開(kāi)關(guān)管進(jìn)行高速的導通與截止。將直流電轉化為高頻率的交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓,從而產(chǎn)生所需要的一組或多組電壓。轉化為高頻交流電的原因是高頻交流在變壓器變壓電路中的效率要比50Hz高很多。所以開(kāi)關(guān)變壓器可以做的很小,而且工作時(shí)不是很熱,成本很低。如果不將50Hz變?yōu)楦哳l開(kāi)關(guān)電源就沒(méi)有意義。二、開(kāi)關(guān)電源工作
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RS瑞森半導體-PCB LAYOUT中ESD的對策與LLC方案關(guān)鍵物料選型分享

  • 運用LAYOUT技巧改善性能,可提升產(chǎn)品性?xún)r(jià)比,把握關(guān)鍵物料選型可降低產(chǎn)品故障率,縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期,加快產(chǎn)品上線(xiàn)。接上一篇:關(guān)于 LAYOUT通用原則在LLC系列方案中提升穩定性的應用做分享,本篇對LAYOUT中ESD的對策及瑞森LLC系列方案做設計時(shí),關(guān)鍵物料選型事項繼續做分享。一、PCB LAYOUT中ESD的對策 (一)PCB LAYOUT的關(guān)鍵中的重點(diǎn):功率回路經(jīng)過(guò)正確的路徑回流。(二)在不同電位的兩個(gè)銅箔之間,尤其是高壓側與低壓側的間距需要大于或等于P,如下公式:P 〉0.015*(V
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RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場(chǎng)空白

  • 現階段半導體市場(chǎng),900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,并存在價(jià)格高、交付周期長(cháng)等問(wèn)題,為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術(shù),利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計,研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面 。一、破局進(jìn)口品牌壟斷現階段半導體市場(chǎng),900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,并存在價(jià)格高、交付周期長(cháng)等問(wèn)題,為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術(shù),利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
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rs瑞森半導體介紹

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