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2023年中國IGBT芯片細分應用領(lǐng)域分析高壓IGBT打破國外技術(shù)壟斷

1、中國IGBT芯片應用領(lǐng)域：三大類(lèi)產(chǎn)品的應用場(chǎng)景IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件，是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高速開(kāi)關(guān)特性和低導通狀態(tài)損耗等特點(diǎn)，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從600V-6500V的電壓范圍，按照使用電壓的情況，IGBT可以分為低壓、中壓和高壓三大類(lèi)產(chǎn)品，不同的電壓范圍適用不同的應用場(chǎng)景。2、中國不同電壓等級IGBT芯片應用及
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IGBT是一個(gè)超級電子開(kāi)關(guān)，它能耐受超高電壓。我們家中插座里的市電交流電電壓是220V，而薄如紙張的IGBT芯片能承受的電壓最高可達6500V。我們一般家庭里家用電器全部開(kāi)啟最大電流也不會(huì )超過(guò)30A，而一顆指甲蓋大小的IGBT芯片就能流過(guò)約200A的電流!下圖是安裝在基板上的4個(gè)IGBT芯片和4個(gè)二極管芯片。4個(gè)IGBT芯片和4個(gè)二極管芯片但是，像這樣裸露的芯片是不能直接用的。我們需要把芯片再封裝到一個(gè)外殼里面，外殼中再填充絕緣的材料，把芯片的電極引到外端子上，就形成了能夠使用的IGBT產(chǎn)品。封裝好的IG
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　　牽引萬(wàn)噸的電力機車(chē)是如何制造出來(lái)的?高速列車(chē)是如何跑出時(shí)速605公里的速度的?2月24日—25日，參加第三屆“車(chē)迷有約走進(jìn)南車(chē)”活動(dòng)的近60名火車(chē)迷走進(jìn)中國南車(chē)株洲基地，參觀(guān)了助力中國高鐵走向“芯時(shí)代”的國內首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線(xiàn)。　　據中國南車(chē)技術(shù)專(zhuān)家介紹，高速列車(chē)為什么會(huì )跑得那么快?牽引控制系統是關(guān)鍵，一個(gè)小小的芯片就是它的中樞大腦——這就是IGBT模塊。目前國內有少數個(gè)別企業(yè)掌握了大功率高壓IGBT的后
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　現在的動(dòng)車(chē)組每節車(chē)廂都可以有動(dòng)力，而讓每節車(chē)廂的動(dòng)力協(xié)同一致、控制自如，必須用一種大功率芯片，此前我國在 ...
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　　近日，由科達半導體公司主導、聯(lián)合其他兩家單位共同實(shí)施的《汽車(chē)用IGBT芯片及模塊研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》項目，被財政部、工業(yè)和信息化部確定為2011年度電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金項目，并獲得500萬(wàn)元資金扶持。　　《汽車(chē)用IGBT芯片及模塊研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》項目總投資4000多萬(wàn)元，項目完成時(shí)，將達到年產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)汽車(chē)點(diǎn)火器、8萬(wàn)個(gè)IGBT芯片及1萬(wàn)個(gè)IGBT模塊的生產(chǎn)能力，對滿(mǎn)足汽車(chē)點(diǎn)火器與新能源汽車(chē)快速充電系統、逆變驅動(dòng)系統所需IGBT，促進(jìn)我國新型電力電子器件技術(shù)進(jìn)步及產(chǎn)業(yè)發(fā)展，具有積極的推動(dòng)作用。　　科達半
關(guān)鍵字：科達半導體 IGBT芯片

　　中國南車(chē)大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標志著(zhù)中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線(xiàn)項目正式啟動(dòng)。　　IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動(dòng)、智能電網(wǎng)、電力電子、新能源汽車(chē)等戰略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟的“核芯”。　　
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