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原子級工藝實(shí)現納米級圖形結構的要求
- 原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。泛林集團先進(jìn)技術(shù)發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽(yáng)博士?分享了他對這個(gè)話(huà)題的看法。圖 1.?原子層工藝中的所有半周期反應是自限性反應。技術(shù)節點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對制造工藝變化進(jìn)行更嚴格的控制。最先進(jìn)的工藝現在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導體制造已經(jīng)跨越了從納米級到原子級工藝的門(mén)檻。工程師現在必須關(guān)注結構的尺寸變化，僅相當于幾個(gè)原子大小。由于多重圖案模式等復雜集成增加了工藝數量，進(jìn)一步限制了每個(gè)步驟允許的變化。3D N
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