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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 90-nm

UPS逆變模塊的Nm冗余并聯(lián)結構和均流

  • 0 引言 隨著(zhù)國民經(jīng)濟的發(fā)展和用電設備的不斷增加,對UPS容量的要求越來(lái)越大。大容量的UPS有兩種構成方式:一種是采用單臺大容量UPS;另一種是在UPS單機內部采用功率模塊N+m冗余并聯(lián)結構。前者的缺點(diǎn)是成本高
  • 關(guān)鍵字: 余并聯(lián)  結構  Nm  模塊  逆變  UPS  

用FPGA解決65nm芯片設計難題

  •  隨著(zhù)工藝技術(shù)向65nm以及更小尺寸的邁進(jìn),出現了兩類(lèi)關(guān)鍵的開(kāi)發(fā)問(wèn)題:待機功耗和開(kāi)發(fā)成本。這兩個(gè)問(wèn)題在每一新的工藝節點(diǎn)上都非常突出,現在已經(jīng)成為設計團隊面臨的主要問(wèn)題。在設計方法上從專(zhuān)用集成電路(ASIC)和專(zhuān)
  • 關(guān)鍵字: FPGA  65  nm  芯片設計    

可在0~-180度范圍內變化的-90度移相電路

  • 電路的功能“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”的移相電路只能在0~+180度范圍內移相,可使用CO與RO位置互換的-90度的移相電路。電路的工作原理基本工作原理與“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”相同,只是改
  • 關(guān)鍵字: 180  90  變化  移相電路    

可用10DB為單位選定40~90DB增益的可編程放大器

  • 電路的功能當用OP放大器進(jìn)行高倍數AC放大時(shí),若改變反饋電路的分壓比,使放大倍數改變,頻率特性也會(huì )大幅度地改變。本電路設有40、20、20、10DB增益固定的放大器,通過(guò)繼電器選用這些放大器,可使最大增益達90DB。本
  • 關(guān)鍵字: DB  10  40  90    

在28-nm FPGA 上實(shí)現集成100-GbE 交換解決方案

  • 隨著(zhù)高速100-GbE 通信網(wǎng)絡(luò )標準的完成,交換功能在互聯(lián)網(wǎng)正常運行中扮演了重要角色。網(wǎng)絡(luò )總流量每6個(gè)月翻倍,通過(guò)多種協(xié)議進(jìn)行傳送,網(wǎng)絡(luò )越來(lái)越復雜,交換體系結構面臨很大的挑戰。目前的單芯片體系結構無(wú)法滿(mǎn)足越來(lái)越大的帶寬和復雜度要求,因此,需要開(kāi)發(fā)高效算法和交換體系結構,以滿(mǎn)足高速網(wǎng)絡(luò )需求。Stratix V FPGA 支持硬件設計人員在下一代交換機和路由器中集成100-GbE 元件,在系統中均衡的分配數據,確保QoS。 詳情參見(jiàn) http://share.eepw.com.cn/share/downlo
  • 關(guān)鍵字: 28-nm  FPGA   100-GbE 交換  

在28-nm FPGA 上實(shí)現100-Gbit OTN 復用轉發(fā)器解決方案

  • 視頻和寬帶無(wú)線(xiàn)技術(shù)對帶寬越來(lái)越高的要求使得通信網(wǎng)絡(luò )承受了很大的壓力。目前的10-Gbit OTN 基礎設備通道容量接近了極限,面臨帶寬耗盡的問(wèn)題。面對越來(lái)越高的資本支出和運營(yíng)支出以及不斷下滑的利潤,服務(wù)提供商轉向了100-Gbit OTN 解決方案,將目前的10-Gbit 網(wǎng)絡(luò )容量提高10 倍。但是,還有很多在用的低速率OTN、SONET、以太網(wǎng)和存儲系統,這需要通過(guò)100-Gbit OTN 復用轉發(fā)器將這些系統置入到新的基礎光設施中。Altera Stratix V FPGA 系列采用了多項關(guān)鍵創(chuàng )新技術(shù)
  • 關(guān)鍵字: 28-nm  FPGA  100-Gbit OTN   復用轉發(fā)器  

Altera發(fā)布28-nm Stratix V FPGA系列

  • Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸,同時(shí)降低了系統功耗和成本 2010年4月20號,北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天發(fā)布業(yè)界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix? V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力,采用各種創(chuàng )新技術(shù)和前沿28-nm工藝,降低了寬帶應用的成本和功耗。 Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工藝進(jìn)行制造,提供1
  • 關(guān)鍵字: Altera  28-nm  Stratix V FPGA  

采用帶有收發(fā)器的全系列40-nm FPGA 和ASIC 實(shí)現創(chuàng )

  • 人們對寬帶服務(wù)的帶寬要求越來(lái)越高,促使芯片供應商使用更多的高速串行收發(fā)器。因此,下一代應用采用了多種數據速率,從幾Mbps 到數百Gbps,在一種設備中集成了多種協(xié)議和服務(wù)。以太網(wǎng)等迅速發(fā)展的標準以及對提高
  • 關(guān)鍵字: FPGA  ASIC  40  nm    

在40-nm 工藝節點(diǎn)實(shí)現世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件

  • 實(shí)現世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件引言
    Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標志著(zhù)世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
    40-nm ASIC 無(wú)風(fēng)險移植途徑的誕生。Altera 通過(guò)三年周密的規劃和
  • 關(guān)鍵字: 40  nm  工藝  定制    

泰科電子推出全新熱縮標識系列產(chǎn)品

  •   泰科電子宣布推出全新TMS-90-SCE熱縮標識系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品能夠充分滿(mǎn)足從航空、國防、船舶、鐵路、公共交通到工業(yè)及電子等各行業(yè)領(lǐng)域對高性能電纜及線(xiàn)纜標記的需求。泰科電子TMS-90-SCE熱縮標識系列產(chǎn)品的推出,為高溫環(huán)境下的作業(yè)帶來(lái)了可靠的機械強度、長(cháng)時(shí)間高溫防護,以及強大的高溫防水性能。   泰科電子TMS-90-SCE熱縮標識具備極高的耐用性,持久性。該產(chǎn)品所用材料為耐用、阻燃的輻射交聯(lián)熱縮均聚聚烯烴,適用溫度范圍為-55°C至+135°C。并且產(chǎn)品重量輕巧,收縮率
  • 關(guān)鍵字: 泰科  電子  TMS-90-SCE  熱縮標識  

Altera發(fā)布業(yè)界首款40-nm FPGA和HardCopy ASIC

  • ?  為幫助設計人員提高集成度,進(jìn)一步創(chuàng )新,Altera公司今天發(fā)布了業(yè)界的首款40-nm FPGA和HardCopy? ASIC。Stratix? IV FPGA和HardCopy IV ASIC都提供收發(fā)器,在密度、性能和低功耗上遙遙領(lǐng)先。Stratix IV系列有680K邏輯單元(LE),比Altera的Stratix III系列高2倍,是目前市場(chǎng)上密度最大的FPGA。HardCopy IV ASIC系列在密度上和Stratix IV器件等價(jià),具有1330萬(wàn)邏輯門(mén)。Alte
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安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes

  • Avago Technologies(安華高科技)宣布,已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續其在嵌入式SerDes技術(shù)的領(lǐng)導地位,Avago最新一代的工藝技術(shù)能夠節省高達25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬(wàn)通道數的SerDes總出貨量,Avago在提供可靠高性能知識產(chǎn)權(IP)上擁有輝煌穩定的紀錄,現在更以65 nm工藝上經(jīng)驗證的17 Gbps SerDes性能將
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統  單片機  安華高科技  65  nm  CMOS  嵌入式  

瑞薩科技開(kāi)發(fā)出90 nm工藝SuperH系列SH72546RFCC微控制器

  • 瑞薩科技公司宣布,開(kāi)發(fā)出32位SuperH™*1 系列SH72546RFCC,這是業(yè)界第一個(gè)采用90 nm(納米)工藝并帶有片上閃存的微控制器,可用于汽車(chē)引擎、傳輸等控制程序的開(kāi)發(fā)。樣品將從2007年10月開(kāi)始在日本交付。 SH72546RFCC可在汽車(chē)應用所需的125℃的高溫工作環(huán)境下實(shí)現200 MHz的業(yè)界最高運行速度。此外,它還采用了業(yè)界最大的片上閃存容量,可以實(shí)現領(lǐng)先的高精度的控制。 SH72546RFCC適用于控制程序開(kāi)發(fā),2008年瑞薩科技將根據SH7
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普華永道:全球半導體市場(chǎng)增長(cháng)90%歸功中國

  •   中國制造的電子系統推動(dòng)2005年全球半導體消費增長(cháng)90%。這種趨勢在2003年首次被發(fā)現并延續至今。這是普華永道 (PricewaterhouseCoopers) 對在該課題上中國的和其它公布的統計數據進(jìn)行全面分析后得到的論斷。    《China's Impact on the Semiconductor Industry: 2006 Update》(《中國對半導體行業(yè)的影響:2006最新分析》)首次
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

  • ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存儲器接口,支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
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90-nm介紹

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