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錯誤檢測與糾正電路的設計與實(shí)現
- 在一些電磁環(huán)境比較惡劣的情況下,一些大規模集成電路常常會(huì )受到干擾,導致不能正常工作。特別是像RAM這種利用雙穩態(tài)進(jìn)行存儲的器件,往往會(huì )在強干擾下發(fā)生翻轉,使原來(lái)存儲的"0"變?yōu)?1",或者"1"變?yōu)?0",造成的后果往往是很?chē)乐氐?。例如導致一些控制程序跑飛,存儲的關(guān)鍵數據出錯等等?，F在,隨著(zhù)芯片集成度的增加,發(fā)生錯誤的可能性也在增大。在一些特定的應用中,這已經(jīng)成為一個(gè)不能忽視的問(wèn)題。例如在空間電子應用領(lǐng)域,單粒子翻轉效應就成為困擾設計師的一個(gè)難題。 在這種情況下,我們可以采用錯誤檢測與糾正EDA
- 關(guān)鍵字： EDAC VHDL 74630 模擬IC
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