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1gbitag-and
1gbitag-and 文章 進(jìn)入1gbitag-and技術(shù)社區
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過(guò)往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠(chǎng)牌使用各自的接口，導致裝置汰換時(shí)將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過(guò)此接口傳輸數據，進(jìn)而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過(guò)去即使透過(guò)USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長(cháng)的時(shí)間來(lái)充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規范 (USB Power Delivery Specifi
- 關(guān)鍵字： ST 意法半導體 GAN 第三代半導體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機構TrendForce表示，隨著(zhù)清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過(guò)于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長(cháng)遠來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應用成長(cháng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲存
- 關(guān)鍵字： AND Flash
瑞薩與力晶簽署1GbitAG-AND技術(shù)授權合約
- 瑞薩科技近日宣布與力晶半導體簽署授權合約，內容涵蓋運用于1Gbit AG-AND 閃存器件的技術(shù)以及此類(lèi)器件的銷(xiāo)售。在此之前，雙方已簽署過(guò)關(guān)于制造的合同。 新的合約提升了合作伙伴雙方的關(guān)系，并開(kāi)始允許力晶半導體（PSC）以自己的品牌出售閃存。此合約的簽署，會(huì )使市場(chǎng) AND 閃存的供應量增長(cháng)，也將促進(jìn)此類(lèi)器件市場(chǎng)的擴充，對客戶(hù)大有裨益。
- 關(guān)鍵字： 1GbitAG-AND 力晶 瑞薩
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